- 美國加州大學洛杉磯分校 （UCLA） 和密歇根大學安娜堡分校聲稱增強模式 N 極性深凹槽 （NPDR） 氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 具有破紀錄的小信號性能 [Oguz Odabasi 等人，IEEE 電子器件快報，2025 年 7 月 3 日在線發表]。特別是，122GHz 的高頻率T截止頻率可實現 9.1GHz-μm f 的高值TxLG盡管柵極長度很短，但品質因數很短 （LG).該團隊認為該器件結構在高頻、高功率應用中很有前途。研究人員認為 N 極性氮化鎵的優勢包括“
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