- 據韓媒報道，被韓媒譽為“HBM之父”的韓國科學技術院（KAIST）電氣工程系教授金仲浩表示，高帶寬閃存（HBF）有望成為下一代AI時代的關鍵存儲技術，并將與HBM并行發展，共同推動各大芯片廠商的性能增長。HBF的設計理念與HBM類似，都利用硅通孔（TSV）連接多層堆疊芯片。不同的是，HBM以DRAM為核心，而HBF則利用NAND閃存進行堆疊，具有“更高容量、更劃算”的優勢。Kim Joung-ho指出，雖然NAND比DRAM慢，但其容量通常大10倍以上。有效地堆疊數百層甚至數千層，可以滿足AI模型的海量存
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HBM HBF NAND堆疊 AI 存儲
- 近日，據媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發展藍圖，目標2027年實現1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數經歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規劃較此前公布的時間早了近3年，據日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，公司計劃于2030至2031
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鎧俠 3D NAND堆疊
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