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nand閃存技術 文章 最新資訊

英特爾與美光以創新鞏固NAND閃存技術領導地位

  •   英特爾公司和美光科技公司日前宣布推出全球首款20納米制程128 Gb多層單元(MLC)NAND設備,在NAND閃存技術領域樹立了新的標桿。兩家公司還宣布開始量產其20納米制程64Gb NAND閃存,進一步擴展了雙方在NAND制程工藝技術領域的領導地位。   單片容量達128Gb的全新20納米制程NAND設備是由英特爾與美光的合資企業——IM Flash Technologies(IMFT)開發而成,它也是業內首款通過在指尖大小的封裝中僅集成8塊芯片來實現1Tb數據存儲容量的N
  • 關鍵字: 英特爾  NAND閃存技術  
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nand閃存技術介紹

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