- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款采用超小尺寸薄型SlimSMA HV（DO-221AC）封裝的全新第三代 650 V和1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管---2 A的 VS-3C02EJ07-M3和1 A 的VS-3C01EJ12-M3以及2 A的VS-3C02EJ12-M3。這些器件采用合并PIN肖特基（MPS）設計，最小爬電距離為3.2 mm，融合低電容電荷與溫度不變的開關特性等優點，可提高高速硬開關電源設計的效率。對于高壓應用，Vishay日
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Vishay SiC肖特基二極管
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款采用工業標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。這些Vishay半導體器件旨在為高頻應用提供高速和高效率，在同類二極管中，它們在電容電荷（Qc）和正向壓降之間實現了出色的平衡。日前發布的二極管包括40 A至240 A的并聯雙二極管組件，以及50 A至90 A單相橋器件。這些二極管基于先進的薄晶圓技術制造，正向壓降低至1.36 V，顯著減小導通損耗，提高能效。此外，與硅基二極管相
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Vishay SiC肖特基二極管
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪涌電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低，有助于提升開關電源設計能效和可靠性。日前發布的新一代SiC二極管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC?2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封裝和D2PAK 2L（TO-263AB
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Vishay SiC肖特基二極管 開關電源
- 器件采用MPS結構設計，額定電流4 A~ 40 A，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年5月23日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結構設計，具有高浪涌電流保護能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助于提升開關電源設計
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