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- 援引DigiTimes報道，東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴重的惡意攻擊，被迫關閉NAND生產線數周時間，這將導致近階段公司NAND閃存的供應比較緊張。
DigiTimes消息稱為了清除惡意程序，東芝公司的NAND生產線將停工3-6周時間才能恢復正常供應，預估將減少10萬個wafers產量。PCGamesN網站預估假設這段停產時間正常生產，能夠帶來5000萬個芯片或者40萬TB的NAND閃存。
近年來由于智能手機和服務器的需求不斷增大，NAND的售價也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產
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東芝 NAND
- DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現價格瘋漲現象，在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中，也許大家都是贏家。
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DRAM NAND
- 摘要：NAND FLASH在電子行業已經得到了廣泛的應用，然而在生產過程中出現壞塊和在使用過程中會出現壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法，實驗結果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關鍵時序參數，如tREA(讀信號低電平到數據輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等，使用測試系統為器件施加適當的控制激勵，完成NAND FLASH的時序配合，從而達到器件性
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NAND magnum
- DRAM與NAND的區別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區別
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DRAM NAND RAM
- Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用于大量數據的存儲，如嵌入式產品中包括數碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等。 1989年，東芝公司發表了Nand Flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經過十幾年的發展，NAND應用越來越廣泛，但是大多數工程師卻仍然不知道關于NAND應用的一些難點：分區、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
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Nand Flash 東芝
- 隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多數人所想象的更短許多...
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3D NAND 摩爾定律
- 內存股王群聯電子昨(27)日舉行股東臨時會補選一席董事，由日商東芝內存株式會社(TMC)當選。在市場供需方面，群聯董事長潘健成樂觀表示，未來五年，儲存型閃存(NANDFlash)將持續供不應求。
臺灣東芝先進半導體因集團組織調整，今年8月1日辭去群聯董事，群聯昨日召開股東臨時會補選，并順利由東芝內存株式會社當選。
潘健成表示，東芝內存主導負責東芝的全球半導體事業，東芝已將群聯股權移轉給東芝內存;而群聯與東芝間不僅相互投資，也透過合作互補，強化技術，雙方關系將比過去15年更加緊密，在產業的競
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NAND
- 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash產業需求受到智能手機搭載容量與服務器需求的帶動，加上供給面受到制程轉進進度不如預期的影響下，供不應求的狀況自2016年第三季起已持續六個季度;展望2018年，NAND Flash供給將增加42.9%，需求端將成長37.7%，明年整體供需狀況將轉為供需平衡。
DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋指出，從NAND Flash的供給面來看，因為NAND制程從2D轉進3D不如預期，導致2017年非三星陣營的新
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NAND 西數
- 9月6日，深圳市閃存市場資訊有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主辦了“中國存儲·全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)，本文根據部分會議內容整理了國內外NAND閃存及部分非易失存儲器市場信息。
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閃存 NAND 3D Xpoint 201710
- 日前，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦的、以“中國存儲 全球格局”為主題的中國閃存市場峰會在深圳圓滿落幕。本次峰會齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、海康存儲等企業重量級嘉賓，一起探討存儲產業未來發展和企業市場發展機會。峰會吸引全球近700家企業參會，其中包括東芝、西部數據、SK海力士、長江存儲、華為、聯想、中興、網易、騰訊、阿里巴巴等企業參會，涵蓋領域包括存儲企業、手機、電腦、汽車、工業、大數據應用等，參會觀眾超
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NAND 閃存
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導體事業以2兆日圓出售給由美國私募股權業者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯盟，，由于此出售案較預期延宕，對于NAND Flash市場的產能影響，預期要到明年上半年才會趨于明顯;中長期而言，在資金到位的情況下，將有助東芝在3D-NAND產能與技術上力拼三星。
DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋指出，此次出售案的收購對象日美韓聯盟成員中包括日本政府支持的產業革新機構(INCJ)財團、
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3D NAND 東芝
- 到底為什么東芝半導體可以引起如此大的波瀾?產品和技術有什么過人之處?鴻海為首的“不差錢”軍團又希望從東芝半導體得到什么?小編給你一一說明。
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東芝 NAND
- 9月6日，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會除了齊聚國內外產業鏈重要企業嘉賓演講，其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業界知名企業領導。 當天吸引全球近700家企業參會，其中包括西部數據、SK海力士、長江存儲、金士頓、華為、聯想、中興、百度、阿里巴巴等企業參會，涵蓋領域包括存儲企業、手機、電腦、
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NAND 閃存
- 與美國在半導體先進工藝制程等方面的差距，不僅表現在人材，技術等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產業大環境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進步。
01引言
近期華爾街日報撰文“中國的下一個目標奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場，歪曲事實。
此次中國半導體業的“奮力突圍”，有兩層意義：
一個是差距大，希望迅速的成長，至多是擴大芯片的自給率。
另一個是西方千方百計的阻礙中國半導體業的進步
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NAND DRAM
- 2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動DRAM、3DNAND及晶圓代工擴產計劃，預計資本支出上看150億~220億美元，遠超過臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規模，三星為確保新產能如期開出，近期傳出已與多家硅晶圓供應商洽談簽長約，狂掃全球硅晶圓產能，并傳出環球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應量將減少30%，主要便是為支持三星產能需求做準備。
三星為因應DRAM和3DNAND市場強勁需求，加上在邏輯事業全力投入7納米制程，企圖與臺積電一較長短，搶
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三星 NAND
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