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- 通過對OMAP啟動方式的分析，針對OMAP需要從外部Flash啟動、耗時大、風險高的缺點，提出了一種多級啟動的Boot Loader設計方案。該方案通過兩級啟動，在RAM中運行Boot Loader，降低了代碼運行的風險，減小了Boot過程的耗時。實驗證明，使用該方法拷貝程序的耗時能夠減少20％左右。
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Boot Loader 啟動 多級 OMAP 適于 通信協議
- 來自調研公司 iSuppli的統計顯示，2009年半導體產業整體處于下滑狀態，但總部在亞太地區的半導體供應商卻實現了逆勢上漲。
亞太區供應商專注熱門產品
iSuppli調研結果顯示，2009年總部位于亞太地區的半導體供應商合計營業收入實際增長2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導體營業收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。
“去年芯片產業形勢黯淡，而亞太地區的供應商卻設法實現了增長，因為他們專注于
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芯片 NAND
- 東芝公司今年計劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗生產線，生產小于25納米制程的NAND閃存芯片。
目前東芝生產的NAND閃存是采用32與43納米技術，主要應用于手機及數字相機等電子消費產品。為生產新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術，因此，東芝也將進行相應的技術升級。目前，東芝已向荷蘭半導體微影系統大廠ASML訂購設備，預計在今年夏天試驗投產。消息一經公布，東芝在股市中漲幅達3.5%，遠遠超過同類電氣機器指數0.8%的漲幅
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東芝 NAND 閃存
- Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財年第二季度的運營成果。對于2010財年的第二季度，該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元，合攤薄股每股0.39美元的凈收入，其凈銷售額達近20億美元。相比之下，2010財年第一季度的凈收入為2.04億美元，合攤薄股每股0.23美元，凈銷售額為17.4億美元，并且2009財年第二季度的凈虧損為7.63億美元，合攤薄股每股0.99美元，凈銷售額為10億美元。2010財年之前各個時期的金額及
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Micron NAND Flash
- 由于目前存儲器供應短缺、供不應求，全球第2大存儲器廠商海力士(Hynix)預期2010年的營收可望達到10年來的最高點。
目前DRAM市場正處于供不應求的狀態。自2009年全球經濟逐漸回溫后，企業放寬支出，對個人計算機(PC)的需求也回升，光是2010年PC銷量就可能較2009年增加10%，帶動了DRAM的需求量上升。
另外，智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)及其它行動設備的市場規模日增，也讓NAND Flash的需求量不斷攀升。但相對于存儲器芯片需求量節
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Hynix NAND 存儲器芯片
- 據iSuppli公司，由于來自高密度應用的需求上升以及供應商的產量穩步增長，NAND閃存價格波動了兩年之后，該市場已恢復穩定。
第一季度NAND平均價格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于這些相對溫和的變化，2009年第一季度大漲34%。
NAND價格持續透明，導致2009年第四季度營業收入創出最高記錄，使得多數NAND供應商對于2010年持有非常樂觀的看法。在智能手機和microSD卡等高密度應用的推動下，市場對于NAND閃存的需求不斷增長，也增強了廠商的信心。這種旺盛需
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閃存 NAND
- 三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數面臨沖擊者為非內存生產線。
YonhapNews于南韓時間24日下午7時48分報導，三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區在當地時間
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三星電子 DRAM NAND
- 三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數面臨沖擊者為非內存生產線。
Yonhap News于南韓時間24日下午7時48分報導，三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區在
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三星電子 DRAM NAND
- 韓國三星電子公司近日表示本月24日下午，其設在Kiheung地區的一個NAND閃存生產基地遭遇了斷電事故，不過據三星公司的發言人表示這次為期一小 時的斷電并沒有對其32Gb以及其它大容量NAND閃存芯片的生產造成顯著影響。
據三星的通路合作伙伴透露，在這次停電事故中受到影響的工廠主要包括三星旗下兩間12英寸廠Fab13和Fab14.其中Fab13主要負責為三星生產內存芯片，而Fab14則主要生產NAND閃存芯片。Fab13和Fab14的月產能大約分別是12萬/13萬片晶圓。
無獨有偶，20
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三星電子 NAND 晶圓
- 東芝公司近日宣布他們將在日本三重縣四日市現有的生產運營中心附近新建一座Fab5閃存芯片廠，這間芯片廠將于今年七月份開始動工。目前，東芝設在四日市的生產運營中心 已建有四間NAND閃存芯片廠。盡管2008年秋季爆發了全球經濟危機，而NAND閃存芯片的市場需求也一度相當萎靡，但近期隨著智能手機和其它應用型產 品的熱銷，閃存芯片的市場需求已經開始回暖，而且未來一段時間內還將保持增長趨勢，因此東芝最終作出了開工建造Fab5芯片廠的決定。
按照東芝的計劃，其Fab5工廠將于明年春季完工，而后期的投資力度和
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東芝 NAND 閃存芯片
- NAND Flash控制芯片市場曾吸引眾多IC設計業者爭相投入，隨著快閃記憶卡市場飽和，以及固態硬碟(SSD)競爭對手環伺，過去擁有NAND Flash大廠作靠山便是票房保證的時代已不再，未來NAND Flash大廠對于控制芯片業者而言，恐怕不再是大樹好乘涼，尤其包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)等大廠在走進SSD時代后，由于用在PC的零組件輕忽不得，遂紛收回控制芯片采購權，改采自家芯片，NAND Flash控制芯片產業勢必將展開一波整合及淘汰賽。
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三星電子 NAND IC設計
- 日本最大的內存芯片廠商東芝將重啟因經濟衰退而擱置的產能擴展計劃，它將從7月開始建設新的閃存生產廠。
東芝表示，新生產廠位于日本中部四日市，是公司第五條生產線，預計在2011年春季完建。東芝沒有透露該生產廠的建設成本。
包括蘋果iPhone在內的智能手機銷售的增長，推動了NAND內存需求的增長。據市場調研公司 iSuppli預計，NAND閃存市場今年的總收入將增長34%達到181億美元。
東芝發言人Hiroki Yamazaki稱，雖然東芝尚未決定四日市芯片生產廠的投資規模，但是建立新
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東芝 內存芯片 NAND
- Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預計今年晚些時候就可以看到相關U盤、記憶卡、固態硬盤等各種產品。
IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產，這也是該領域的制造工藝首次進軍到30nm之下，并應用了沉浸式光刻技術。新閃存內核面積167平方毫米，每單位容量 2bit，總容量8GB，相比現有的34nm工藝閃存容量翻了一番，內核面積卻小了十分之一。
Intel NA
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Intel NAND 25nm
- 2009年全球半導體產業急劇下滑，但亞太的芯片廠商安然無恙?？偛吭趤喬貐^的半導體供應商，2009年合計營業收入實際增長2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導體營業收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。
“去年芯片產業形勢黯淡，而亞太地區的供應商卻設法實現了增長，因為他們專注于熱門半導體產品而且受益于該地區的強勁需求，”iSuppli公司市場情報服務資深副總裁Dale Ford表示，“
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半導體 NAND LED
- 據報道，包括威剛、創見、PQI勁永等在內的臺灣閃存產品廠商以及閃存控制器廠商群聯電子近期都已經開始從SanDisk公司購買NAND閃存晶圓。這意味著SanDisk已經從自有品牌閃存設備制造商，搖身一變成了NAND晶圓供應商。
據稱，SanDisk已經從閃存制造合作伙伴東芝一道，成了多家臺灣閃存產品廠商的上游供應商之一。實際上，自2008年起就有傳言稱SanDisk將對外供應NAND閃存，但在當時在全球閃存市場供求旺盛的狀況下，SanDisk一致謹慎的實行自有品牌的戰略。隨著近一兩年全球金融危機以
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SanDisk 閃存控制器 NAND 閃存晶圓
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