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cmos 探測器 文章 最新資訊

一種低電壓、低功耗模擬電路設計簡介

  • 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個三端設備。由于未來CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會遠低于現(xiàn)有標準，于是采用襯底驅(qū)動技術(shù)進行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅(qū)動MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場效應晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
  • 關鍵字： MOS  CMOS  

研究表明新三維封裝技術(shù)將提高智能移動設備性能

  • 當平面工藝已經(jīng)無法滿足對于性能提升的需求時，3D架構(gòu)是業(yè)界首先能想到的提升方式。
  • 關鍵字： CMOS  納米  

卓勝微電子向三星累積出貨已超2000萬顆

  • 　　作為專注在WiFi、藍牙、GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應商，卓勝微電子今日宣布，公司GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆。 　　“卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能。”卓勝微電子總經(jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機市場的領先者，三星對產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質(zhì)有著不懈追求，同時它對合作伙伴也有著非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力。” 　　卓勝微電子的GPS
  • 關鍵字： 卓勝微電子  CMOS  

卓勝微電子宣布MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆

  • 　　2014年5月5日，作為專注在WiFi，藍牙，GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應商，卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆。 　　“卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能。”卓勝微電子總經(jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機市場的領先者，三星對產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質(zhì)有著不懈追求，同時它對合作伙伴也有著非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力。” 　　卓勝微電子的G
  • 關鍵字： GPSLNA  卓勝  RF CMOS  

分析師預測2019年MRAM市場可達21億美元

  • 　　市場研究機構(gòu)CoughlinAssociates的最新報告預測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(field-induced)以及自旋力矩轉(zhuǎn)移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來因為取代DRAM與SRAM而繁榮發(fā)展。 　　CoughlinAssociates的報告指出，因為具備省電與非揮發(fā)特性，MRAM/STTMRAM市場營收規(guī)模可望由2013年的1.9億美元左右，到2019年成長至21億美元;期間的復合年平均成長率(CAGR)估計為50%。
  • 關鍵字： MRAM  CMOS  

Diodes雙門邏輯系列有效延長電池壽命

  • 　　Diodes公司?(Diodes?Incorporated)?推出先進的74AUP2G雙門超低功率?CMOS微型邏輯器件系列，為低壓和低功耗模式設計，可延長手機、電子書閱讀器及平板電腦等多種掌上消費性電子產(chǎn)品的電池壽命。　　這款邏輯器件的漏電流少于0.9?μA，達到低靜態(tài)功耗的效果。其功耗電容在3.6V供電下一般為6pF，可將動態(tài)功耗降到最低。74AUP2G系列提供從0.8V到3.6V的供電電壓范圍，使電路供電降到最低等級。　　全新超低功率74AUP2
  • 關鍵字： Diodes  電池  CMOS  

先進封裝技術(shù)：可穿戴電子設備成功的關鍵

  • 　　最近以來智能手表、體征監(jiān)測等穿戴式電子設備受到業(yè)界的極大關注，但市場一直處于“雷聲大，雨點小”的狀態(tài)。究其原因，有以下幾個因素制約了穿戴式電子設備實現(xiàn)突破：小型化低功耗技術(shù)還滿足不了需求、“殺手級”應用服務缺失、外觀工藝粗糙、用戶使用習慣仍需培養(yǎng)。　　從技術(shù)層面上看，先進封裝將是穿戴式電子取得成功的關鍵技術(shù)之一，特別是系統(tǒng)級封裝(SiP)以及3D封裝等。據(jù)深圳市半導體行業(yè)協(xié)會秘書長蔡錦江介紹，2001年以色列Given?Imaging公司推出的膠囊內(nèi)鏡就采用SiP技術(shù)將光學鏡頭、應用處理器、
  • 關鍵字： 穿戴式  SiP  3D  CMOS  

東芝為監(jiān)控攝像頭和行車記錄儀推出VGA CMOS圖像傳感器

  • 　　支持在低光條件下捕獲高靈敏度視頻　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)今天宣布，該公司將在4月底開始批量生產(chǎn)用于監(jiān)控攝像頭和行車記錄器的1/4英寸VGA?CMOS圖像傳感器“TCM3211PB”。　　這款新傳感器采用5.6?μm大像素，提高了低光敏感度。即使在月光[1]，也可以捕獲明亮的圖像。　　該傳感器還整合了基于東芝算法的單幀HDR(高動態(tài)范圍)功能[2]?。它可以減少假色[3]?，并能夠真實再現(xiàn)高對比度圖像的黑暗和明亮區(qū)域。　　該產(chǎn)品的60?
  • 關鍵字： 東芝  CMOS  傳感器  

數(shù)字鐘設計與制作

  • 　　本文采用CMOS數(shù)字集成電路實現(xiàn)了一種數(shù)字鐘電路，該電路設計包括了時序邏輯電路、組合邏輯電路、數(shù)碼管顯示電路和脈沖信號產(chǎn)生電路等內(nèi)容，內(nèi)容涉及面寬、綜合性強，是電子技術(shù)自主性實驗教學的典型案例
  • 關鍵字： 數(shù)字鐘  CMOS  CD4518  BCD-7  

基于視覺的駕駛員輔助嵌入式系統(tǒng)(上)

  • 　　本文簡要描述了基于攝像頭的主動安全系統(tǒng)的應用、引入它的動機及好處。此外，本文還介紹了視覺處理的未來解決方案與技術(shù)進步，可確保在功率有限的情況下實現(xiàn)最大性能。適用于前照燈控制、車道保持、交通標志識別及防碰撞功能的多功能前置攝像頭解決方案，目前使用分辨率高達120萬像素、每秒30幀的CMOS成像儀。隨著新一代傳感器的推出，分辨率將進一步提高。要在惡劣的天氣和照明條件下可靠地檢測物體，需要復雜的算法。車道保持、自動緊急剎車或交通擁堵輔助等半自動駕駛員輔助功能需要帶有算法冗余的ASIL D安全級別，但所有這些
  • 關鍵字： 嵌入式  CMOS  FPGA  MAC  

基于Atmega8的智能微波探測器設計

  • 摘要：微波具有直線傳播、波段寬、設備小、穿透力和抗干擾能力強等優(yōu)點，基于此設計了一種基于Atmega8低功耗智能微波探測器，經(jīng)測試，該探測器靈敏度高、功耗低、穩(wěn)定性好，適用于自動門控制開關、室內(nèi)外安全防范系統(tǒng)、ATM自動提款機的自動錄像控制系統(tǒng)、野外安全警示等場所。 微波是頻率范圍在300 MHz到300 GHz的高頻電磁波，其波長從1 mm到1 m。微波具有如下主要特點：直線傳播，很容易被反射;波段寬，可利用的頻率多;微波設備比較小;對一些非金屬材料有一定的穿透力，金屬物體對微波有良好的反射特性;不受
  • 關鍵字： Atmega8  探測器  

非制冷紅外焦平面陣列電路設計

  • 　　針對SOI二極管型非制冷紅外探測器，設計了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調(diào)制積分(GMI)結(jié)構(gòu)，將探測器輸出電壓信號轉(zhuǎn)化為電流信號進行積分。設計了虛擬電流源結(jié)構(gòu)，消除線上壓降(IR drop)對信號造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進行設計，5V電源電壓供電。當探測器輸出信號變化范圍為0~5mV時，讀出電路仿真結(jié)果表明：動態(tài)輸出范圍2V，線性度99.68%，信號輸出頻率5MHz，功耗116mW。
  • 關鍵字： 紅外  ROIC  CMOS  SOI  GMI  201404  

中國廠商推出世界最高分辨率CMOS傳感器

  • 由中國辰芯光電設計、以色列Towerjazz代工、世界上最高分辨率的1.5億像素全畫幅CMOS圖像傳感器GMAX3005面世。除了超高的像素分辨率，這顆感光器的其他參數(shù)也是相當了得......
  • 關鍵字： CMOS  傳感器  

基于RS485總線的火災監(jiān)控探測器的設計

  • 1引言近年來，全國火災事故呈上升趨勢，而在火災事故中，電氣火災的比例居高不下，占火災年均發(fā)生次數(shù)的...
  • 關鍵字： 剩余電流式  火災監(jiān)控  探測器    RS485  

一種14位210MSPS校準電流DAC設計

  • 本文設計了一種3.3V 14位210MSPS 電流型DAC。該轉(zhuǎn)換器包括高速模擬開關、帶隙參考電路、電流調(diào)整電路和高速鎖存器等。采用了分段電流沉結(jié)構(gòu)，同時還采取了電流源調(diào)整技術(shù)，改善了芯片的線性參數(shù)。電路基于0.35μm CMOS工藝設計，芯片面積3.8mm2。測試表明，其刷新率可達210MSPS，INL為±0.8LSB，DNL為±0.5LSB，SFDR@fclk=210MSPS為72dBC@fout=5.04MHz，在3.3V電壓下工作時功耗小于120mW。 　
  • 關鍵字： DAC  CMOS  
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cmos 探測器介紹

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