這個測試儀的基礎是一個皮爾茲CMOS緩沖振蕩器（圖一）。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區域通過電阻R1 以形成一個高增益反相放大器。由于這個高增益，這個逆變器比一個非緩沖門消耗的功率低，甚至是很小的信
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CMOS 電感測試儀 方案
提出一種標準CMOS工藝結構的低壓、低功耗電壓基準源，工作電壓為5～10 V。利用飽和態MOS管的等效電阻特性，對PTAT基準電流進行動態電流反饋補償，設計了一種輸出電壓為1．3 V的帶隙基準電路。使輸出基準電壓溫度系數在-25～+120℃范圍的溫度系數為7．427pp-m／℃，在27℃時電源電壓抑制比達82 dB。該基準源的芯片版圖面積為0．022 mm2，適用于低壓差線性穩壓囂等領域。
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CMOS 高精度 帶隙基準源
CMOS成像技術的領先創新者ApTIna今日推出其高性能、功能豐富、APS-C格式的1600萬像素的圖像傳感器。特別的設計令該產品可實現專業攝影師所要求的高畫質，除了以10幀/秒的速度捕捉1600萬像素的靜態圖像以外，新的MT9H004傳感器亦具備較高的靈敏度、較小的暗電流和較低的讀出噪聲。憑借該公司最新的動態響應(DR)像素技術創新(稱為Aptina DR-Pix技術)，新的APS-C格式成像解決方案在低亮度條件下可增加5分貝的信噪比(SNR)，而無需犧牲高亮度環境中的表現。高亮度下的最大信噪比可達
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圖像傳感器 CMOS
邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產水平時迎來重大轉折點。將由現行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導體廠商均已開始表現出這種技術意向。LSI的制造技術發生巨變之后，估計也會對各公司的微細化競爭帶來影響。
元件材料及曝光技術也會出現轉折
“估計一多半的半導體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”(英特爾)。“在20nm以
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CMOS 15nm 立體晶體管
本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術，設計了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對其各單元組成電路的設計進行了闡述。同時利用Cadence Hspice仿真工具對電路進行了仿真模擬，結果表明，鋸
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CMOS 工藝 鋸齒波 振蕩電路
摘要：介紹數字式CMOS攝像頭MT9M011的工作方式；提出MT9M011在基于HCSl2單片機的智能車控制系統中的應用方案，針對采集圖像時遇到的問題給出了相應的解決方法；分析數字式CMOS攝像頭相對于模擬攝像頭的優勢和不足。
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車中 應用 智能 攝像頭 CMOS 數字式
CMOS成像技術的領先創新者Aptina宣布推出其新款功能豐富的8MP CCS8140成像解決方案。CCS8140解決方案利用公司在像素、處理和封裝方面的創新技術，將高品質MT9E013 8MP CMOS影像傳感器與Aptina™ MT9E311成像協處理器完美結合，同時其各方面的處理速度保持在與獨立影像處理器類似的水平。經全面調節的Aptina CCS8140整套相機解決方案可提供一流的影像品質，同時僅需極少的調節和傳感器調整即可完成最終產品設計。該解決方案不僅可以為移動手持設備OEM和
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Aptina CMOS CCS8140
按全球半導體聯盟GSA經過調查后的報道，全球2010年Q2的硅片代工價格與上個季度相比下降。
為了支持與促進半導體產業鏈發展，一家非盈利組織GSA的報告，用于CMOS制造的200mm直徑代工硅片的中間價格環比下降9.5%，而同類的300mm硅片代工價格環比沒有改變，每片平均仍為3200美元。
據GSA說，調查的參與者也報道200mm CMOS工藝的掩模價格下降，在連續兩個季度價格上升之后，環比中間價格下降12%。而300mm CMOS工藝的掩模中間價沒有改變，而且已連續達3個季度。
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硅片 CMOS 200mm
據路透社援引俄羅斯當地報紙的一則報道稱，俄羅斯一家名為Sistema的公司最近呼吁俄羅斯當局禁止其對手廠商生產的同類IC芯片產品進口到俄羅斯市場。Sistema目前與意法半導體公司有合作關系，雙方正在合作生產90nm制程的電視，GPS,手機，電子護照等產品用的IC芯片。這家公司的國企背景深厚，著名的俄羅斯國有半導體企業俄羅斯納米技術集團(Rusnano)便是這家公司的大后臺之一，目前Rusnano正在全力支持在俄羅斯國內架設一條90nm制程CMOS產線的項目。據《俄羅斯日報》報道，俄羅斯總理普京9月2
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IC芯片 90nm CMOS
O 引言 電路中的功率消耗源主要有以下幾種：由邏輯轉換引起的邏輯門對負載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗，并且每引進一次新的制造技術會導致漏
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CMOS 單相 乘法器 能量 能量回收
佳能今天展示了全球最高像素值的CMOS傳感器：1.2億像素的APS-H尺寸產品，它比目前旗艦單反EOS 1D Mark IV的影像傳感器還大7.5倍，可拍攝全幅13280x9184圖像，并可實現9.5FPS的連拍和1080p視頻的錄制(僅需要用到1/60的有效像素)。這款變態級別的傳感器目前似乎還沒有應用到任何產品的計劃，之前，佳能在2007年展示了5000萬像素的傳感器樣本。
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佳能 CMOS 傳感器
CMOS數字集成電路具有輸入阻抗高、低功耗、電源電壓范圍廣以及輸出電壓擺帳大等優點。除了在數字化裝置中廣泛應用外，亦可用于線性電路，發揮它低功耗的特點。
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CMOS 門電路 放大電路圖 微功耗
日前，瑞典皇家科學院宣布，博伊爾和史密斯因發明了CCD圖像傳感器而與高錕分享了2009年的諾貝爾物理學獎。CCD圖像傳感器如今已經大規模應用于數碼相機、手機、攝像機、掃描儀、工業領域以及醫學設備中，年出貨量在億顆以上。不過，隨著照相手機市場的大規模增長，八十年代開始出現的CMOS圖像傳感器的出貨量在2004年超越了CCD，并開始逐步蠶食數碼相機等CCD傳統應用市場。
圖像傳感器領域的這一變化只是傳感器技術變化的一個縮影。傳感器技術的最大特點就是不斷引入多學科的新技術發展新功能，現在，隨著電子、M
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傳感器 CMOS
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