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diodes 文章 最新資訊

Diodes MOSFET使電源供應器超越“能源之星”效率目標

  • Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器,讓反激式電源設計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器,作為理想驅動二極管。同時,ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗,以及逾87%的滿載效率。
  • 關鍵字: Diodes  控制器  MOSFET  

Diodes:MOSFET控制器提升PSU效率

  •   Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。這款新品能取代返馳式轉換器內效率較低的肖特基二極管,并通過減少多達70%的整流器損耗,有效提升最高達3.5%的電源效率。因此,該器件有助電源供應系統更容易達到能源之星V2.0所規定的電源平均效率需達到87%的評級要求。   這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣,介于5V至25V之間,可由適配器的19V供電軌直接供電,并且在瞬態過壓狀態下,保證器件正常
  • 關鍵字: Diodes  MOSFET  控制器  

MOSFET控制器有助提升PSU效率

  • Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。這款新品能取代返馳式轉換器內效率較低的肖特基二極管,并通過減少多達70%的整流器損耗,有效提升最高達3.5%的電源效率。因此,該器件有助電源供應系統更容易達到能源之星V2.0所規定的電源平均效率需達到87%的評級要求。
  • 關鍵字: Diodes  MOSFET  ZXGD3104N8  

Diodes封裝MOSFET有助于實現低溫操作

  •   Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結點至環境熱阻(Rthj-a)為130oC/W,能在持續狀態下支持高達1W的功率耗散,相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝,能實現更低溫度運行。   這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣,印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2,并具備0.5mm的狹小離板高度,但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET
  • 關鍵字: Diodes  MOSFET  

Diodes負載開關提升HDMI端口保護功能

  • Diodes公司推出AP2331單信道限流負載開關。該產品專為高清晰度多媒體接口 (HDMI) 的標準及其它監視器接口的保護功能而優化設計,適合于3V至5V的熱插拔連接以及其它承受高電容性負載和可能受短路影響的應用。
  • 關鍵字: Diodes  負載開關  AP2331  

Diodes推出新型P通道MOSFET

  • Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升電池效率及減少電路板空間,并滿足空間局限的便攜式產品設計要求,如智能手機及平板計算機等。
  • 關鍵字: Diodes  MOSFET  DMP1245UFCL  

Diodes超薄型整流器簡化太陽能電池板設計

  • Diodes推出SBR12U45LH超級勢壘整流器 (SBR) ,額定電流為12A,以超薄型PowerDI-5SP封裝,為生產新一代太陽能光電模塊 (PV module) 的太陽能電池板制造商,解除設計和生產方面的主要顧慮 。
  • 關鍵字: Diodes  太陽能電池板  

Diodes偏壓控制及電源管理IC為LNB設計節省成本

  • Diodes公司針對單波段衛星低噪聲模塊 (LNB) 推出一款高集成偏壓、控制及電源管理ICZXNB4204。該器件可減少 ...
  • 關鍵字: Diodes  控制及  電源管理IC  

DIODES在成都高新區設立封裝測試生產基地

  •   達爾科技(DIODES)7月19日在成都高新綜合保稅區的生產基地奠基。達邇科技(成都)有限公司,是由美商達爾科技股份有限公司和成都亞光電子股份有限公司共同出資組建。   
  • 關鍵字: DIODES  封裝  

Diodes 40V閘極驅動器減少IGBT開關損耗

  •   Diodes 公司推出專為開關高功率 IGBT 設計的 ZXGD3006E6 閘極驅動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的功率轉換效率。
  • 關鍵字: Diodes  IGBT  

Diodes推出40V 閘極驅動器減少IGBT 開關損耗

  • Diodes 公司推出專為開關高功率 IGBT 設計的 ZXGD3006E6 閘極驅動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的功率轉換效率。
  • 關鍵字: Diodes  閘極驅動器  ZXGD3006E6  

Diodes 40V閘極驅動器減少IGBT開關損耗

  •   Diodes 公司推出專為開關高功率 IGBT 設計的 ZXGD3006E6 閘極驅動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的功率轉換效率。   當輸入電流為 1mA 時,該閘極驅動器通常可提供 4A 的驅動電流,使其成為控制器的高輸出阻抗和 IGBT 的低輸入阻抗之間高增益緩沖級的最佳選擇。ZXGD3006E6 擁有一個發射極跟隨器配置,可防止閂鎖效應(latch-up)及貫通問題(shoot-through),實現少于 10ns 的傳輸延遲時間。  
  • 關鍵字: Diodes  閘極驅動器  XGD3006E6  

Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機損耗

  • Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD,可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導通電阻(Rdson)性能,以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。
  • 關鍵字: Diodes  MOSFET  DMC4040SSD  

Diodes 推出超勢壘整流器提高汽車應用可靠性

  • Diodes 公司推出首款針對汽車應用的超勢壘整流器(Super Barrier Rectifier,簡稱SBR)系列。與同類肖特基或超快二極管相比,該系列器件擁有更低的正向電壓降、改善了雪崩額定值以及更高的安全運行區(SOA)。這些堅固耐用的整流器讓汽車設計師可提升電機控制、顯示板以及 LED 照明電路的可靠性。
  • 關鍵字: Diodes  整流器  

Diodes 超勢壘整流器提高汽車應用可靠性

  • ????????Diodes 公司推出首款針對汽車應用的超勢壘整流器(Super Barrier Rectifier,簡稱SBR)系列。與同類肖特基或超快二極管相比,該系列器件擁有更低的正向電壓降、改善了雪崩額定值以及更高的安全運行區(SOA)。這些堅固耐用的整流器讓汽車設計師可提升電機控制、顯示板以及 LED 照明電路的可靠性。   獲 AECQ101 認證的 SBR20A60CTBQ、SBR30A45CTBQ
  • 關鍵字: Diodes  整流器  SBR  
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