引言 隨著電子信息技術的迅速發展，當前半導體器件日益趨向小型化、高密度和多功能化，特別是像時尚消費電子和便攜式產品等對主板面積要求比較嚴格的應用，很容易受到靜電放電(ESD)的影響。電路保護元件的選擇根據所要保護的布線情況、可用的電路板空間以及被保護電路的電特性來決定。因為利用先進工藝技術制造的IC電路里氧化層比較薄，柵極氧化層更易受到損害。而且一些采用深亞微米工藝和甚精細線寬布線的復雜半導體功能電路，對電路瞬變過程的影響更加敏感，這將導致上述問題加重。因此要求保護器件必須具備低箝位電壓以提供有效的ESD
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ESD TVS 電源技術 靜電放電 模擬技術
飛兆半導體公司宣布推出基于 µSerDes™ 技術的重要強化產品FIN224AC。與備受歡迎的前代產品FIN24AC相比，全新的FIN224AC占用相同的占位面積和基礎架構，但卻提供增強的靜電放電 (ESD) 保護功能并能降低EMI。對任何手持式電子產品而言，ESD損害都是重要的考慮問題。飛兆半導體將FIN24AC的8kV ESD保護性能提升至 FIN224AC的15kV ESD，因而解決了這一難題。另一項改進
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µ SerDes™ 15kV ESD 保護 單片機 電源技術 飛兆半導體 模擬技術 嵌入式系統
大部分電子產品需要通過電快速瞬變脈沖群（EFT）（根據IEC61000-4-4）和靜電放電（ESD）(根據IEC61000-4-2)等項目的標準測試。EFT和ESD是兩種典型的突發干擾，EFT信號單脈沖的峰值電壓可高達4kV，上升沿5ns。接觸放電測試時的ESD信號的峰值電壓可高達8kV，上升時間小于1ns。這兩種突發干擾，都具有突發、高壓、寬頻等特征。 在進行標準的EFT/ESD測試時，把干擾脈沖從設備外部耦合到內部，同時監視設備的工作狀態。如果設備沒有通過這些標準的測試，測試本身幾乎不能提
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EFT/ESD 測量 測試
意法半導體(ST)日前推出一系列ESD二極管陣列，采用外廓極小的微型引線框架封裝。該設計可保護易受靜電攻擊的設備，防止過壓瞬變損壞設備或降低性能。由于封裝尺寸極小，新器件的ESD保護設計適用于手機、數碼相機、MP3播放器等便攜應用以及計算機和電信產品，并都提供1到5線的ESD保護功能。 ESDALC6V1M3是一個在SOT883封裝內集成了兩個ESD二極管的低電容器件，適用于各種應用的1線或2線ESD保護功能。該二極管電容為7pF(Vr為2.5V), 因此適合高速數據線路或其它I/O接口。
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ESD ST 二極管 封裝
泰科電子旗下的Raychem電路保護部推出PESD0402和0603靜電放電（ESD）保護器件產品。PESD保護器件專為高速數據傳輸應用中的輸入/輸出接口保護而設計，能使電子設備中的敏感電路免受靜電放電影響。
Raychem的PESD器件優于傳統的保護器件，比如齊納二極管和多層壓敏電阻器（MLV）。傳統保護器件，不能在不引起信號質量下降或失真的情況下持續應用于高速數據傳輸中。另一方面，瞬態電壓抑制（TVS）二極管和微型氣體放電管對目前體積日趨減小的緊湊信息設備而言，顯得過大或過于昂貴。
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ESD
減小ESD引起的停機時間 半導體器件常常因靜電放電而失效。弄清楚失效的根源并遵守設計規則，就有助于避免這種失效。 ESD（靜電放電）是導致電子器件失 效的主要原因，它可以在任何階段——從制造到測試、組裝、生產、現場運行以及現場 PC 裝配等——影響電子器件的功能。專家估計，1994 年全世界電子行業因 ESD 造成的損失超過 900 億美元（參考文獻 1）。ESD 的發生原因是電荷在某一表面的累積，如摩擦生電。但是，由于電子產品的快速小型化，導致器件的幾何尺寸縮小，其中包括層厚度，因此這些高密
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ESD
esd介紹
ESD的意思是“靜電釋放”的意思，它是英文：Electro-Static discharge 的縮寫
ESD知識介紹
靜電是一種客觀的自然現象，產生的方式多種，如接觸、摩擦等。靜電的特點是高電壓、低電量、小電流和作用時間短的特點。
人體自身的動作或與其他物體的接觸，分離，摩擦或感應等因素，可以產生幾千伏甚至上萬伏的靜電。
靜電在多個領域造成嚴重危害。摩擦起電和人體靜電是電子工業中的兩 [
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