書上看到的畢竟是理論的東西,實際應(yīng)用中總會碰上意外的或者說是不可預(yù)測的情況,與其在那瞎推理,還不如動手做點實際的工作。 特權(quán)同學(xué)用的是11.0592MHz的STC89C52做測試,C代碼也很簡單: #include #d
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時序 實驗 讀寫 RAM 擴(kuò)展 單片機(jī)
在RAM中處理視頻的策略, 包括Analog Devices公司的ADV7179 DAC在內(nèi)的許多視頻器件都帶有PAL和NTSC視頻信號專用模擬基帶電視接口。遺憾的是,這些類型的DAC只接受隔行掃描圖像格式的視頻,而你也許需要逐行掃描視頻。而且,許多逐行掃描圖像
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策略 視頻 處理 RAM
MCS96系列單片機(jī)是一種16位字長,比MCS51系列單片機(jī)功能更全、性能更高的單片機(jī),在儀器儀表、過程控制等領(lǐng)域應(yīng)用極為廣泛。在采用MCS96系列單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)中,我們碰到一個難題:當(dāng)需要大容量的數(shù)據(jù)存儲時,數(shù)據(jù)存
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RAM 擴(kuò)展 技術(shù) 外部 大容量 段式 管理 采用
在各種單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中,存儲器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性,對系統(tǒng)的可靠性進(jìn)行測試是十分必要的。通過測試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲器發(fā)生故障對系統(tǒng)帶來的破壞問題。本文針對
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RAM 單片機(jī)系統(tǒng) 測試方法
基于FPGA的雙口RAM實現(xiàn)及應(yīng)用,摘要:為了在高速采集時不丟失數(shù)據(jù),在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和CPU之間設(shè)置一個數(shù)據(jù)暫存區(qū)。介紹雙口RAM的存儲原理及其在數(shù)字系統(tǒng)中的應(yīng)用。采用FPGA技術(shù)構(gòu)造雙口RAM,實現(xiàn)高速信號采集系統(tǒng)中的海量數(shù)據(jù)存儲和時鐘匹配。功能仿
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實現(xiàn) 應(yīng)用 RAM 雙口 FPGA 基于
雙端口RAM原理介紹及其應(yīng)用,摘要:IDT7132/IDT7142是一種高速2k×8雙端口靜態(tài)RAM,它擁有兩套完全獨立的數(shù)據(jù)、地址和讀寫控制線。文中分析了雙端口RAM(DPRAM)的設(shè)計方案。并以IDT7132/7142為例介紹了雙端口RAM的時序、競爭和并行通訊接口設(shè)計以及雷達(dá)仿真平臺中的應(yīng)用。 關(guān)鍵詞:微處理器 雙端口RAM IDT7132/7142
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及其 應(yīng)用 介紹 原理 RAM 雙端口
在各種單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中,存儲器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性,對系統(tǒng)的可靠性 ...
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單片機(jī)系統(tǒng) RAM
自從OLED顯示技術(shù)面世以來,可彎曲折疊的“顯示器”并不算少見,不過可以卷曲的RAM你見過么?近日,韓國科學(xué)技術(shù)研究院(KAIST)的研究人員制造出了柔性、非揮發(fā)(斷電不丟數(shù)據(jù))的RRAM(阻抗式內(nèi)存)。研究結(jié)果發(fā)表在10月末的美國化學(xué)會期刊《納米通訊》上。
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OLED RAM
摘要:為了提高PCI總線與AVR單片機(jī)之間的數(shù)據(jù)傳輸速度,利用雙口RAM通過共享的方式實現(xiàn)PCI總線與AVR單片機(jī)之間的高速數(shù)據(jù)交換。利用有限狀態(tài)機(jī)方法將PCI接口芯片局部端邏輯轉(zhuǎn)換為雙口RAM讀寫控制信號和地址數(shù)據(jù)信號,
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接口 設(shè)計 應(yīng)用 AVR 總線 RAM PCI 雙口
RAM讀寫時序限制解決方案,本文為了提高AVS解碼器的處理速度,綜合了國內(nèi)外學(xué)者的設(shè)計思想提出了一種逆掃描、反量化與反變換模塊結(jié)構(gòu),在消耗邏輯資源允許的情況下提高了處理速度,做到速度和面積的平衡?! ”疚膶⒛鎾呙琛⒎戳炕头醋儞Q模塊
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解決方案 限制 時序 讀寫 RAM
圖2.2 (1)靜態(tài)RAM結(jié)構(gòu)組成原理圖靜態(tài)RAM的結(jié)構(gòu)組成原理圖如圖2.2(1)所示,存儲體是一個由64×64=4096個六管靜態(tài)存 ...
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靜態(tài) RAM 原理圖
法拉電容也叫超級電容器,雙電層電容,其體積小、容量大、電壓記憶特性好、可靠性高。與充電電池相比,具有充電時間短、功率密度高、使用壽命長、低溫特性好及無環(huán)境污染等優(yōu)勢[2]。在數(shù)據(jù)保護(hù)電路中采用法拉電容取代
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應(yīng)用 保護(hù) 數(shù)據(jù) RAM 電容
摘要:介紹一種基于雙口RAM的LonWorks現(xiàn)場總線智能通信節(jié)點的設(shè)計方法,并給出詳細(xì)的設(shè)計步驟、硬件及軟件實現(xiàn)。通過此LonWorks智能通信節(jié)點,能夠完成RS-232-C/RS-485標(biāo)準(zhǔn)與LonTalk協(xié)議間的轉(zhuǎn)換提供RS-232-C/RS-485
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通信 節(jié)點 設(shè)計 智能 LonWorks 雙口 RAM 基于
Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布,現(xiàn)在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線上制造的首批預(yù)驗證鐵電存儲器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品,這些器件可為電子系統(tǒng)提供高性能非易失性數(shù)據(jù)采集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲性能、無延遲(NoDelay?)寫入、高讀/寫耐用性及低功耗特性。
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Ramtron F-RAM
f-ram介紹
非易失性鐵電存儲器
F-RAM廣泛用于計量、計算、工業(yè)、科研和醫(yī)療領(lǐng)域的各種要求嚴(yán)苛的場合。F-RAM的獨特性質(zhì),使它特別適合用于廣范的關(guān)鍵性任務(wù)諸如:電信應(yīng)用(比如橋接、路由器和電信交換機(jī)) 和要求高可靠性和可用性的工業(yè)應(yīng)用中
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