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fd- 文章 最新資訊

Leti從FD-SOI學到的一課：打造生態(tài)系統(tǒng)

  • 　　今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時IMEC舉辦的年度開放日活動剛好都在六月的同一時期舉行。但這種時程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認為。Leti的一位官方代表指出，“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動。對他們來說，我們的排程應該不是什么秘密。” 　　   　　Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶 　　不過，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
  • 關(guān)鍵字： FD-SOI  物聯(lián)網(wǎng)  

哪些半導體公司會成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？

  • 　　美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 　　   　　FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進平面型，20nm上努力了一
  • 關(guān)鍵字： FD- SOI  FinFET  

格羅方德半導體推出業(yè)內(nèi)首個22nm FD-SOI工藝平臺

  • 　　格羅方德半導體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場提供了一個最佳解決方案。 　　雖然某些設(shè)備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數(shù)無線設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
  • 關(guān)鍵字： 格羅方德  FD-SOI  

GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝

  • 　　GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術(shù)實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。 　　
  • 關(guān)鍵字： GlobalFoundries  FD-SOI  

只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！

  • 　　在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體業(yè)者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶，有越來越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。 　　例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點采用
  • 關(guān)鍵字： FinFET  FD-SOI  

FD-SOI制程技術(shù)已到引爆點？

  • 　　身為記者，我有時候會需要經(jīng)過一系列的資料收集──通常包含非正式評論、隨機事實(random facts)、推特文章、研討會/座談會資料或是公關(guān)宣傳稿，然后才能把許多線索串聯(lián)在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)就是一個例子。 　　我從美國旅行到中國接著又到歐洲，在與電子產(chǎn)業(yè)人士討論技術(shù)的過程中，發(fā)現(xiàn)FD-SOI從一個不容易了解的名詞，逐漸變得越來越“有形”。關(guān)于這個技術(shù)，我在最近這幾個星期所收集到的隨機
  • 關(guān)鍵字： 晶圓  FD-SOI  

CAN FD 總線技術(shù)分析

  • 　　最近越來越多工程師關(guān)注CAN FD，同時也會向虹科反饋CAN FD的產(chǎn)品應用信息。編者覺得對于CAN FD的發(fā)布，對于中國的工程師或者是中國對CAN技術(shù)的應用將會迎來新的契機。試想，國外累計了20多年的CAN技術(shù)呈現(xiàn)出來的新技術(shù)-CAN FD，在它誕生沒多久就可以見證和陪伴它的“成長”，對于技術(shù)工程師來說是多么美妙的事情。 　　剛好上個月參加CiA在天津的CAN FD技術(shù)發(fā)布會，期間編者有幸擔當CiA 主席的Holger的現(xiàn)場翻譯，也是收獲良多。當?shù)谝淮谓佑|CAN FD，現(xiàn)場
  • 關(guān)鍵字： CAN  FD  

羅德與施瓦茨公司示波器引領(lǐng)CAN-FD高速接口協(xié)議分析

  • 　　CAN-FD總線協(xié)議選件發(fā)布，支持高達15Mbps數(shù)據(jù)速率的總線控制局域網(wǎng)性能。優(yōu)勢在于現(xiàn)代汽車電子領(lǐng)域的管理解決方案。R&S RTx-K9選件使得R&S RTE和R&S RTO用戶能夠分析總線接口和協(xié)議觸發(fā)。基于硬件解碼分析能夠使用示波器快速的找到錯誤，加速CAN FD接口協(xié)議測試的認證和調(diào)試過程。 　　客戶可以直接觸發(fā)報文起始，報文結(jié)束和數(shù)據(jù)值，并且可以采用高性能的搜索功能找出相關(guān)的事件。解碼后的報文結(jié)果可以以不同顏色表示的報文內(nèi)容顯示或者以表格形式顯示。在解碼總線配置時
  • 關(guān)鍵字： 羅德與施瓦茨  CAN-FD  

意法半導體(ST)發(fā)布2013年企業(yè)可持續(xù)發(fā)展報告

  • 　　橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體公布了2013年可持續(xù)發(fā)展報告(Sustainability Report)。意法半導體連續(xù)17年公布可持續(xù)發(fā)展報告。報告內(nèi)容全面地介紹意法半導體在2013年實施的可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略、政策和業(yè)績，并例證了可持續(xù)發(fā)展計劃如何在企業(yè)經(jīng)營中發(fā)揮重要作用，為所有的利益相關(guān)者創(chuàng)造價值。 　　意法半導體公司總裁兼首席執(zhí)行官Carlo Bozotti表示：“意法半導體在很早之前就認識到了可持續(xù)發(fā)展的重要性，20年來，可持續(xù)發(fā)展已成為意法半導體核心戰(zhàn)略的
  • 關(guān)鍵字： 意法半導體  FD-SOI  可持續(xù)發(fā)展  

需要更快的速度：CAN FD

  • 　　CAN FD 到底是什么意思?全雙工?頻域?還是消防局?都不是，實際上它是 CAN 領(lǐng)域的最新技術(shù)，F(xiàn)D 代表 Flexible Data-rate(靈活數(shù)據(jù)速率)，幾年前由博世公司的一篇白皮書引入該領(lǐng)域，目前已經(jīng)過標準化，成了 ISO11898-1 的更新版本。　　控制域網(wǎng)絡(luò) (CAN) 是一個常見的通信協(xié)議及總線，主要用于對微處理器需要通信的分布式應用進行互連。眾所周知，該技術(shù)植根于汽車領(lǐng)域。經(jīng)過多年的發(fā)展壯大，它目前可用于工業(yè)控制、現(xiàn)場總線、大型家用電器、航空航天甚至咖啡機等眾多應用。這種協(xié)議層
  • 關(guān)鍵字： CAN FD  TI  ISO11898-2  

Teledyne LeCroy發(fā)布CAN FD串行觸發(fā)和解碼方案，擴展汽車總線測試領(lǐng)導地位

  • 　　Teledyne LeCroy 今天發(fā)布業(yè)界首個CAN FD觸發(fā)和解碼解決方案，進一步豐富了已有的汽車電子測試工具(CAN, LIN, FlexRay, SENT, MOST 和 BroadR Reach)。CAN FD觸發(fā)和解碼功能可以幫助設(shè)計者洞察被測系統(tǒng)，將物理層信號和協(xié)議層數(shù)據(jù)同時顯示在一個界面上。CAN FD觸發(fā)功能可以隔離Frame ID、特定數(shù)據(jù)包、remote frames 以及 error frames。解碼功能運用不同顏色的背景疊層，清晰標識出數(shù)據(jù)不同的幀結(jié)構(gòu)，允許用戶快速識別出諸
  • 關(guān)鍵字： 力科  CAN FD  Frame ID  

不懈追尋科技引領(lǐng)智能生活理念

  • 電子技術(shù)的變革，讓人們的生活不斷智能化，智能化手機，電視，家居，汽車甚至機器人和人體輔助設(shè)備等。意法半導體追尋的理念就是科技引領(lǐng)智能生活，意法半導體執(zhí)行副總裁兼數(shù)字融合事業(yè)部總經(jīng)理GIAN LUCA BERTINO，論述ST在智能電視和智能化家居方面的企業(yè)戰(zhàn)略及技術(shù)演進。
  • 關(guān)鍵字： ST  機頂盒  多媒體處理器  FD-SOI  

FD-SOI: 下一代NovaThor平臺的助力器

  • 隨著智能手機功能最近不斷升級演化，消費者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現(xiàn)已成為高端手機的標配。同時，消費者還期望手機纖薄輕盈，電池續(xù)航能力至少
  • 關(guān)鍵字： 助力  平臺  NovaThor  下一代  FD-SOI:  

下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm

  • 　　在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 　　根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)
  • 關(guān)鍵字： ST  FD-SOI  10nm  

ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI

  • 　　12月13日，意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導體以28納米技術(shù)節(jié)點提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應用市場的需求。 　　FD-SOI技術(shù)平臺包括全功能且經(jīng)過硅驗證的設(shè)計平臺和設(shè)
  • 關(guān)鍵字： ST  晶圓  FD-SOI  
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