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串行Flash存儲器的編程解決方案

串行Flash存儲器的編程解決方案,串行Flash存儲器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數(shù)據(jù)等諸多優(yōu)點(diǎn)，在IC卡和便攜式智能檢測儀表中廣泛的應(yīng)用。本文將介紹一種通過51系列單片機(jī)的串行口與AT45d041芯片通訊的方法，此方法不僅編程簡單，且運(yùn)行
關(guān)鍵字：解決方案編程存儲器 Flash 串行

基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫

基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫,1 引言

在DSP系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，經(jīng)常要使用片外存儲器擴(kuò)充系統(tǒng)存儲空間。特別是當(dāng)DSP的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器和程序存儲器容量比較小時, 必須把一部分?jǐn)?shù)據(jù)，如常量、原始數(shù)據(jù)庫等存儲到片外的存儲器中，從而節(jié)省DSP芯片內(nèi)部
關(guān)鍵字：方式實(shí)現(xiàn) FLASH 擦寫映射地址 DSP 嵌入式系統(tǒng) 通過

基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計(jì)

基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計(jì),Fution系列的FPGA是世界上首個基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA，即在數(shù)字FPGA的基礎(chǔ)上加入了模擬電路部分，解決了傳統(tǒng)模擬電路和FPGA分離給設(shè)計(jì)帶來的諸多問題，降低了PCB板的制作難度，縮小了產(chǎn)品的體積。FPGA的可編
關(guān)鍵字：心電監(jiān)控應(yīng)用設(shè)計(jì) FPGA 混合 Flash 構(gòu)架模數(shù) 基于

Flash單片機(jī)自編程技術(shù)

Flash的可自編程性（Self-Programmability）是指，用Flash存儲器中的駐留軟件或程序?qū)lash存儲器進(jìn)行擦除/編程，但是，要求運(yùn)行程序代碼的存儲區(qū)與待編程的存儲區(qū)不在同一模塊中。因此，只有一個片上Flash存儲器模塊
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C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù)

C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù), DSP是針對實(shí)時數(shù)字信號處理而設(shè)計(jì)的數(shù)字信號處理器，由于它具有計(jì)算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點(diǎn)，非常適合應(yīng)用于嵌入式實(shí)時系統(tǒng)。FLASH存儲器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲器，屬于EEPROM器件，與其它的
關(guān)鍵字： MBM29LV800BA 接口技術(shù) 存儲器 FLASH C6701 DSP 處理器

Flash越來越受到支持

　　根據(jù)Ovum的分析，對於Apple是否要扭轉(zhuǎn)他對Adobe Flash的禁令，Apple將面臨越來越大的壓力，因?yàn)樵絹碓蕉嘀腔坌褪謾C(jī)平臺支援這項(xiàng)技術(shù)。　　
關(guān)鍵字： Apple Flash

基于CAN總線的大容量漢字火災(zāi)樓層顯示器設(shè)計(jì)

1引言火災(zāi)樓層顯示器作為火災(zāi)自動報(bào)警系統(tǒng)的重要組成部分，是一種安裝在樓層或獨(dú)立防火區(qū)中的數(shù)字式火...
關(guān)鍵字：火災(zāi)報(bào)警 CAN總線樓層顯示器 FLASH 漢字液晶

NAND Flash存儲器管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

關(guān)鍵字： Flash NAND 存儲器管理算法映射物理地址

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)

　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持?jǐn)?shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點(diǎn)，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。本文給出了
關(guān)鍵字：芯片設(shè)計(jì) 控制 flash SD NAND 用于

NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)

NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì),摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)方案，詳細(xì)闡述了壞塊映射表的建立、維護(hù)及其相關(guān)算法，同時分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
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NAND Flash管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機(jī)制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) 算法管理 Flash NAND

MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存成趨勢

　　因應(yīng)MCU成長快速及程序數(shù)據(jù)儲存需要，MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存設(shè)計(jì)成為主流趨勢，MCU大廠也紛紛以購并或結(jié)盟掌握內(nèi)嵌Flash的相關(guān)IP與制程技術(shù)。本文將探討內(nèi)嵌FlashIP制程技術(shù)，為下一代FlashMCU帶來的技術(shù)變革。　　
關(guān)鍵字： MCU Flash

基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)

基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì),1 引言

FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 存儲嵌入式 FLASH 基于

TMS320C6712的外部內(nèi)存自引導(dǎo)功能的實(shí)現(xiàn)

關(guān)鍵字：引導(dǎo) FLASH ROM 中斷向量表內(nèi)存自引導(dǎo)

分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長

　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達(dá)6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺灣DRA
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flash 介紹

閃存（Flash ROM）：是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應(yīng)管構(gòu)成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù)，內(nèi)部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細(xì) ]