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臺積電2nm制程研發取得突破 將切入GAA技術

  • 據臺灣媒體報道,臺積電沖刺先進制程,在2nm研發有重大突破,已成功找到路徑,將切入環繞式柵極技術(gate-all-around,簡稱GAA)技術。臺積電臺媒稱,三星已決定在3nm率先導入GAA技術,并宣稱要到2030年超過臺積電,取得全球邏輯芯片代工龍頭地位,臺積電研發大軍一刻也不敢松懈,積極投入2nm研發,并獲得技術重大突破,成功找到切入GAA路徑。臺積電負責研發的資深副總經理羅唯仁,還為此舉辦慶功宴,感謝研發工程師全心投入。臺積電3nm制程預計明年上半年在南科18廠P4廠試產、2022年量產,業界以
  • 關鍵字: 臺積電  2nm  GAA  

看看國外廠商正在發力研究的這些新技術

  •   每年十二月,在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇,在其中報告半導體、電子元件技術、設計、制造、物理與模型等領域中的技術突破。這個會會議就是IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting,縮寫:IEDM)  在每一界的IEDM上,全球工業界與學界的管理者、工程師和科學家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術、先進內存、顯示、感測器、微機電系統元件、新穎量子與納米級規模元件、粒子物理學現象、光電工程、
  • 關鍵字: DRAM  GAA-FET  
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