- Cree發布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產品，其性能級別進一步證實了Cree在GaN技術上的的領導地位。
新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括：
1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍
2. 相比于商業可用硅LDMOS，提高了工作頻率
3. 在免授權的5.8G
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三極管 WiMAX Cree GaN
- 研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結構。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質量，并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機化學氣相外延（MOVPE）反應腔中生長的。???????
“對實現在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標來說，在200mm硅晶圓上生長出
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硅晶圓 GaN 200mm MEMC
- 要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具，本文將介紹如何進行此類測試。
UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數據、既有話音也有數據或既無話音也無數據時在蜂窩網絡(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網)和IP接入網絡(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統。作為網絡融合發展過程中一項里程碑式的技術，UMA/GAN能讓手機用戶得以享受固定寬帶網提供的服務。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網，之后被3
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移動電話 UMA GAN SEGW WLAN
- 由青島杰生電氣有限公司承擔的國家863半導體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設備研制取得突破，我國首臺具有自主知識產權的并能同時生長6片外延片的MOCVD設備研制成功。
該設備在高亮度的藍光發光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域具有廣泛應用。MOCVD是半導體照明上游關鍵設備，目前國內半導體照明產業的研發和生產所需設備全部依賴進口。在此之前，杰生電氣已先后研發出2英寸單片和2英寸3片的
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青島杰生電氣 MOCVD LED LD GaN
- IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.；納斯達克上市代號：IDTI) 與ICS公司（Integrated Circuit Systems, Inc. 納斯達克上市代號：ICST)今天宣布，簽訂兩家公司進行戰略合并的正式協議。雙方相信，合并后的公司將會進一步提升按客戶需求服務的能力，為不斷增長的通信、計算和消費市場提供一個平臺。 按照合并協議條款規定（協議通過兩個公司董事會一致同意），ICS 的股東將得到1.300股的IDT 普通股，以及每股I
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ICS IDT
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