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高通:搭載衛(wèi)星連接的驍龍 8 Gen 2 安卓手機(jī)今年下半年推出,首先支持應(yīng)急消息
- IT之家 1 月 6 日消息,高通公司今天宣布計(jì)劃將基于衛(wèi)星的連接引入下一代安卓智能手機(jī),為三星和谷歌等智能手機(jī)制造商提供一種通過(guò)衛(wèi)星功能與蘋(píng)果及 iPhone 14 機(jī)型 SOS 緊急求救競(jìng)爭(zhēng)的方式。Snapdragon Satellite 是衛(wèi)星公司 Iridium 提供的基于衛(wèi)星的雙向消息傳遞解決方案,Snapdragon Satellite 提供從南極點(diǎn)到北極點(diǎn)的真正的全球覆蓋。高通表示,驍龍 8 Gen 2 移動(dòng)平臺(tái)將內(nèi)置對(duì)使用衛(wèi)星連接的消息傳遞支持,使用該技術(shù)的智
- 關(guān)鍵字: 高通,驍龍 8 Gen 2
三星將代工部分高通驍龍8 Gen 2用于Galaxy S23系列
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,高通新一代旗艦移動(dòng)平臺(tái)驍龍8 Gen 2,已在本月正式推出,多款搭載這一移動(dòng)平臺(tái)的智能手機(jī),隨后也將陸續(xù)推出。對(duì)于高通新推出的驍龍8 Gen 2移動(dòng)平臺(tái),有報(bào)道稱三星電子旗下的代工業(yè)務(wù)部門(mén),將代工一部分,用于三星電子的Galaxy S23系列智能手機(jī)。從外媒的報(bào)道來(lái)看,高通驍龍8 Gen 2移動(dòng)平臺(tái),將由臺(tái)積電和三星電子兩家晶圓代工商代工,其中臺(tái)積電代工常規(guī)版本,三星電子代工的則是超頻版本。外媒在報(bào)道中還披露,爆料人士稱三星電子為高通代工的驍龍8 Gen 2移動(dòng)平臺(tái),將采用4nm LPE制
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金士頓推出DataTraveler Max閃存盤(pán)新品
- 中關(guān)村在線消息,金士頓于近日發(fā)布了Type-A和Type-C接口的DataTraveler Max系列高性能閃存盤(pán)新品。其特點(diǎn)是采用了USB 3.2 Gen 2方案,具有高達(dá)1000 MB/s的讀取、以及900 MB/s的寫(xiě)入速度。此外該系列閃存盤(pán)采用了帶橫紋的伸縮頭設(shè)計(jì),能夠在收納時(shí)更好地保護(hù)USB接頭。金士頓表示,DataTraveler Max系列高性能閃存盤(pán)設(shè)計(jì)之初就充分考慮到了便攜性和便利性,黑/紅外殼可一眼分辨其接口,并帶有掛繩孔和LED狀態(tài)指示燈。容量方面,DataTraveler Max系
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高通推全新S8+ Gen 1、S7 Gen1平臺(tái)
- 高通技術(shù)公司宣布推出為新一代頂級(jí)和高階Android智能型手機(jī)打造的最新行動(dòng)平臺(tái)產(chǎn)品組合Snapdragon 8+ Gen 1和Snapdragon 7 Gen 1。高通最新的旗艦平臺(tái)Snapdragon 8+是一款強(qiáng)大的頂級(jí)平臺(tái),帶來(lái)增強(qiáng)的功效和效能,以最終提升涵蓋所有裝置上的體驗(yàn)。Snapdragon 7提供一系列高階、眾所期望的功能和技術(shù),并且讓全世界更多人都能享受到這些體驗(yàn)。根據(jù)Counterpoint Research、IDC和StrategyAnalytics的最新調(diào)查結(jié)果顯示,高通技術(shù)公司在
- 關(guān)鍵字: 高通 S8+ Gen 1
首款搭載驍龍8 Gen 1+的手機(jī)將于6月底上市
- 4月8日消息,高通驍龍8 Gen 1+ 芯片組可能比預(yù)期來(lái)得要更快。據(jù)gsmarena報(bào)道,供應(yīng)鏈中的一位消息人士透露,搭載 Android 旗艦芯片驍龍8 Gen 1+ 的手機(jī)最早將于6月上市,最遲7月上市。搭載驍龍8 Gen 1+ 的首批設(shè)備將在中國(guó)推出,但目前尚未透露名稱。不過(guò),傳聞一加10 Ultra 將使用該處理器。此前消息稱,驍龍8 Gen 1+將基于臺(tái)積電的4納米半導(dǎo)體制造工藝,可能與驍龍8 Gen 1非常相似,但頻率可能略高。而據(jù)韓國(guó)科技論壇 Meeco 的可靠爆料人,引述消息人士說(shuō)法稱,
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TE Connectivity推出新型PCIe Gen 4卡邊緣連接器 支持16 Gbps高速數(shù)據(jù)傳輸
- 全球高速計(jì)算與網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用領(lǐng)域創(chuàng)新連接方案領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE)今日宣布推出新型PCIe Gen 4卡邊緣連接器。該款連接器符合PCI-SIG CEM 4.0行業(yè)規(guī)范,支持16 Gbps高帶寬,可用于下一代Intel和AMD平臺(tái)。TE新型PCIe Gen 4卡邊緣連接器采用1.00mm間距,兼容各代PCI Express信號(hào)設(shè)計(jì),同時(shí)支持16 Gbps(PCIe Gen 4)、8.0 Gbps(PCIe Gen 3)、5.0 Gbps(PCIe Gen 2)和2.5 Gbps(PCI
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業(yè)界首家性能和功耗領(lǐng)先的PCI Express Gen 5時(shí)鐘和緩沖器
- 中國(guó),北京- 2019年4月17日- Silicon Labs(亦稱“芯科科技”,NASDAQ:SLAB)日前推出了滿足最新一代PCI Express?(PCIe?)5.0規(guī)范的完整時(shí)鐘解決方案組合,能夠提供同類最佳的抖動(dòng)性能,且具有顯著的設(shè)計(jì)余量。Si5332任意頻率時(shí)鐘系列產(chǎn)品可生成抖動(dòng)性能達(dá)140fs RMS的PCIe Gen 5參考時(shí)鐘,優(yōu)化了PCIe SerDes性能,且同時(shí)滿足Gen 5規(guī)范并有余量。Si5332時(shí)鐘能夠生成PCIe和通用頻率的任意組合,可在各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘樹(shù)整合。Silic
- 關(guān)鍵字: Silicon Labs,PCI Express?,PCIe Gen 5
IDT推出全球最高性能Gen 3 PCI Express交換器件
- 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 發(fā)布全球最高性能的 Gen 3 PCI Ex-press (PCIe) 交換芯片系列,用于固態(tài)硬盤(pán) (SSD) 存儲(chǔ)陣列和云計(jì)算應(yīng)用。新的交換芯片系列以占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位的 IDT 高性能、可升級(jí)的 PCIe Gen 1 和 Gen 2 交換芯片為基礎(chǔ),支持多達(dá) 64 通道和 16 端口的容量,并支持更多協(xié)議,以改善效率和降
- 關(guān)鍵字: IDT SSD Gen 3 PCI
IDT推出Gen 3 PCI Express交換器件
- 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT公司 (Integrated Device Technology) 發(fā)布全球最高性能的Gen 3 PCI Express (PCIe) 交換芯片系列,用于固態(tài)硬盤(pán)(SSD) 存儲(chǔ)陣列和云計(jì)算應(yīng)用。新的交換芯片系列以占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位的 IDT 高性能、可升級(jí)的 PCIe Gen 1 和 Gen 2 交換芯片為基礎(chǔ),支持多達(dá)64 通道和16 端口的容量,并支持更多協(xié)議,以改善效率和降低功耗。
- 關(guān)鍵字: IDT 交換器件 Gen 3 PCI Express
德州儀器 EPC Gen 2 硅芯片技術(shù)
- 助力 Sontec 貼裝金屬的 RFID 標(biāo)簽性能更上層樓 面向消費(fèi)類家電與電子產(chǎn)品的零售供應(yīng)鏈管理解決方案 面向超高頻 (UHF) 應(yīng)用的射頻識(shí)別 (RFID) 技術(shù)與金屬產(chǎn)品或金屬環(huán)境之間總是很難配合,如同油與水的關(guān)系,這使得通過(guò) RFID 技術(shù)管理金屬產(chǎn)品零售供應(yīng)鏈 (RSC) 面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。為應(yīng)對(duì)上述挑戰(zhàn),日前,韓國(guó)領(lǐng)先的 RFID 組件與中間件
- 關(guān)鍵字: 2 EPC Gen 測(cè)量 測(cè)試 德州儀器 硅芯片技術(shù)
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