- 過去，人們常把集成電路比作電子系統的大腦，而把功率半導體器件比作四肢，因為集成電路的作用是接受和處理信息，而功率器件則根據這些信息指令產生控制功率，去驅動相關電機進行所需的工作。如今，新型功率半導體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應用逐漸普及，其為信息系統提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導體器件在電子系統中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個系統“供血”的“心臟&rdq
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功率半導體 MOSFET IGBT
- IGBT以其輸入阻抗高，開關速度快，通態壓降低等特性已成為當今功率半導體器件的主流器件，但在它的使用過程中，精確測量導通延遲時間，目前還存在不少困難。在介紹時間測量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎上，利用其優良的特性，設計一套高精度的IGBT導通延遲時間的測量系統，所測時間間隔通過液晶顯示器直接讀取，是一套較為理想的測量方案。
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IGBT 導通 精確測量 方法
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅動器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。
AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代場截止溝槽技術，大幅度降低了傳導和開關損耗。此外，這款新器件的焊前金屬可實現雙面冷卻，提高了散熱性能，
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IR IGBT 逆變器
- 9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國內最大的大功率半導體器件研發及產業化基地在中國南車正式投產。
為滿足國民經濟發展的急切需求，打破國外公司的市場壟斷，推動大功率半導體產業上水平、上規模，中國南車旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司(南車時代電氣)依托公司良好的技術基礎，總投資近3.5億元，于2006年年底啟動大功率半導體器件研發及產業化基地的建設，歷經22個月后實現正式投產。
位于湖南株洲的生產基地總面積超2萬平方米，部分凈化級別達到了100級，由于產品對生產環境的要求極其苛刻
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半導體器件 IGBT 二極管
- 中國最大的大尺寸功率半導體器件研發及產業化基地近日在湖南株洲正式投產。長期以來，高端半導體器件技術和市場一直被國外壟斷，該基地的投產運行將加速推動國產化大功率半導體器件產業化進程。
大尺寸功率半導體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導體器件)是變流器的關鍵元件，被譽為電力電子產品的“CPU”，廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風力發電)、化工、冶煉等領域。長期以來，國內高端半導體器件技術和產品主要依靠進口，價格昂貴，嚴重制約民族工業的快速發展。
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半導體 晶閘管 IGBT
- 從普通串級調速原理入手，簡要分析影響串級調速系統功率因數的主要因素。對三相四線雙晶閘管串級調速、新型GTO串級調速等高功率方案分析與比較的基礎上，提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級調速控制方案。
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IGBT 斬波 串級調速 系統
- 英飛凌科技股份公司在功率電子半導體分立器件和模塊領域連續第六年穩居全球第一的寶座。據IMS Research公司2009年發布的《功率半導體分立器件和模塊全球市場》報告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達7.8%。現在，英飛凌在該市場上占據了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區以及美洲，英飛凌也繼續獨占鰲頭，分別占據了22.8%和11.2%的市場份額。
隨著汽車、消費和工
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英飛凌 IGBT MOSFET
- 經濟領域有兩大活躍因子：技術與資本。走進鳳凰半導體科技有限公司，你可以感受到這兩大活躍因子結合后迸發出的強勁效應。這家注冊于2008年7月的“530”企業，一期工廠已開始安裝設備。今年9月正式投產后,其生產的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補國內空白，告別同類產品依賴進口的局面。
剛滿“周歲”的鳳凰半導體就將進入產業化階段,其速度令人驚奇，但在總經理屈志軍看來,這一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士團隊擁有國際一流技術;二是擁有
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變頻開關 IGBT
- IGBT綜述
1．1 IGBT的結構特點
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應管的優點而發展的一種新型復合電子器
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IGBT 600 系統 逆變器
- 引 言 多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
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電路 研究 保護 驅動 EXB841 IGBT 基于 電源
- 在日益增長的變頻器市場，許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關頻率而著稱的新IGBT技術施展的舞臺。在62毫米（當前模塊的標準尺寸）模塊中使用新IGBT技術使用戶可以因不必改變其機械
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IGBT 性能
- 摘要：本文通過分析IGBT的結構及其安全工作區，解釋了在實際應用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結合單片機的控制程序對弧焊逆變電源的IGBT采取相應措施進行保護，從而確保了IGBT安全可靠的工作。 敘詞：IGB
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技術 保護 IGBT 逆變電源 大功率 電源
- 摘要：絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應用廣泛的功率半導體器件，驅動器的合理設計對于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹了一些計算用于開關IGBT的驅動器輸出性能的方法。 敘詞：IGBT，驅動
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計算 性能 輸出 驅動器 IGBT
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