英特爾和芯片技術公司Numonyx本周三發布了一項新技術.這兩家公司稱,這種新技術將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節省成本.
英特爾研究員和內存技術開發經理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術產生的堆疊內存陣列有可能取代目前DRAM內存和NAND閃存的一些工作.這種技術甚至能夠讓系統設計師把一些DRAM內存和固態內存的一些存儲屬性縮小到一個內存類.
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固態硬盤產業雖然風生水起，但受限于各種因素，短期內還無法取代機械硬盤，而最新研究給出的結論是固態硬盤將永無出頭之日。《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發表了卡內基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。
PCRAM我們偶爾
今天，以“Moblin™ Is Open”(開放的Moblin平臺)為主題的“2009英特爾Moblin軟件平臺技術研討會”在北京召開，英特爾公司攜手Moblin合作伙伴共同展示了基于英特爾®凌動™處理器和Moblin 軟件平臺開發針對MID、上網本、車載和嵌入式平臺應用的巨大競爭優勢和最新成果。本次技術研討會旨在激發獨立軟件供應商和開發人員開發移動應用程序的熱情，為消費者帶來更多創新應用軟件，助推移動互聯時代的發展和應用
今天，江蘇省無錫市和英特爾公司舉行合作備忘錄簽約儀式，共同宣布在無錫市濱湖區成立“英特爾中國并行計算中心”(Intel China Center of Parallel Computing, ICCPC)，旨在立足無錫、輻射全國，建立世界級技術中心推動并行計算研究與創新，幫助中國IT產業抓住多核時代創新機遇，努力成為并行計算領域的領先者。中共江蘇省委常委、無錫市委書記楊衛澤先生，江蘇省人民政府副省長張衛國先生，英特爾公司全球副總裁兼首席技術官賈斯汀(Justin Rattner
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