mlc nand 文章最新資訊

NAND閃存芯片價(jià)格創(chuàng)7個(gè)月來(lái)新高

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，據(jù)臺(tái)灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發(fā)表的行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存芯片價(jià)格在4月份的上半個(gè)月創(chuàng)7個(gè)月的新高，反應(yīng)了在上個(gè)月日本發(fā)生嚴(yán)重的地震中斷了供應(yīng)鏈之后其它存儲(chǔ)芯片價(jià)格的情況。　　
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IM Flash向客戶送樣最新20納米制程8GB NAND

　　據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)指出，由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲(chǔ)器合資公司IM Flash，日前領(lǐng)先業(yè)界率先推出最新20納米制程快閃存儲(chǔ)器，這也使得智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)里的儲(chǔ)存裝置可以進(jìn)一步縮小。　　
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英特爾和美光IM 廠合約將盡

　　英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進(jìn)NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，傳出5年合約已屆期滿，將于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光獨(dú)自啟動(dòng)新加坡廠IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的裝機(jī)和投資，英特爾并未表態(tài)加入，引發(fā)外界對(duì)雙方合作關(guān)系，以及英特爾是否持續(xù)投資NAND Flash領(lǐng)域的質(zhì)疑，預(yù)計(jì)雙方將對(duì)外宣布最新的合作動(dòng)態(tài)。　　
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Intel與鎂光將就NAND業(yè)務(wù)合作作重要宣布

　　Intel與鎂光公司本周四將對(duì)NAND業(yè)務(wù)合作事宜作重要宣布，不過(guò)兩家公司并沒(méi)有透露這次宣布的詳細(xì)內(nèi)容是什么。據(jù)Web-Feet Research市調(diào)公司的CEO Alan Niebel分析：“我認(rèn)為他們這次可能會(huì)宣布終止雙方的合資公司IMFT在新加坡設(shè)立的閃存芯片廠項(xiàng)目上的合作。這間工廠目前正計(jì)劃開(kāi)始投產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，并隨后轉(zhuǎn)向20nm制程技術(shù)。” 　　
關(guān)鍵字： Intel NAND

海力士背負(fù)54.46億美元債務(wù)

　　2001年海力士(Hynix)受景氣波及，遭債權(quán)銀行團(tuán)接手并進(jìn)行債務(wù)重整，時(shí)隔10年，海力士已成為全球第2大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供貨商。即使如此，海力士仍背負(fù)5.9兆韓元(約54.46億美元)債務(wù)，該公司現(xiàn)任執(zhí)行長(zhǎng)權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問(wèn)時(shí)，目前海力士首要目標(biāo)是盡力還款，并同時(shí)確保有足夠資金擴(kuò)產(chǎn)以及研發(fā)新技術(shù)。　
關(guān)鍵字：海力士內(nèi)存芯片 NAND

支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設(shè)計(jì)

摘要：先對(duì)ONFI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了介紹，然后再設(shè)計(jì)了一種支持ONFI2．1標(biāo)準(zhǔn)源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括狀態(tài)機(jī)的設(shè)計(jì)，接口的設(shè)計(jì)等。對(duì)設(shè)計(jì)中遇到的源同步模式下，信號(hào)的對(duì)齊問(wèn)題進(jìn)行了說(shuō)明，并提出了一種解決方
關(guān)鍵字： Flash 控制器設(shè)計(jì) NAND 模式 ONFI 同步支持

iSuppli上調(diào)今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對(duì)今年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額的預(yù)測(cè)，較原本預(yù)期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺，刺激存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 DRAM NAND

溫州人開(kāi)始炒電子元器件了

　　《左手猶太人右手溫州人》書(shū)里這樣描述溫州人，“天生商人”。日本地震后，溫州人又發(fā)現(xiàn)了商機(jī)。溫州人白先生(化名)說(shuō)：“現(xiàn)在好多人都在囤電子配件和鋼材等商品，因?yàn)榇蠹叶荚诓聹y(cè)過(guò)段時(shí)間日本的進(jìn)口稅率會(huì)下調(diào)。” 　　
關(guān)鍵字：電子配件 NAND

海力士看好存儲(chǔ)器價(jià)格反彈

　　韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)對(duì)DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市，發(fā)表脫離谷底的看法，對(duì)于臺(tái)系DRAM廠而言，可望注入強(qiáng)心針。在硅晶圓部分，海力士與臺(tái)廠目前都有1~2個(gè)月不等庫(kù)存，短期仍可支應(yīng)生產(chǎn)，但中長(zhǎng)線來(lái)看，日本地震造成硅晶圓短缺問(wèn)題仍待厘清，目前市場(chǎng)買(mǎi)盤(pán)多是邊走邊看，沒(méi)有一窩蜂搶貨，但也會(huì)擔(dān)心日后供給吃緊造成漲價(jià)問(wèn)題。　　
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NAND Flash優(yōu)先供應(yīng)一線廠　二線平板計(jì)算機(jī)廠5月恐?jǐn)嘭?/a>

　　硅晶圓斷料陰影籠罩半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，原本要展翅高飛的平板計(jì)算機(jī)、智能型手機(jī)等應(yīng)用，現(xiàn)在都要看NAND Flash芯片后續(xù)供應(yīng)情況，存儲(chǔ)器業(yè)者指出，雖然3、4月供貨沒(méi)問(wèn)題，但5月之后若因硅晶圓不足而造成供給吃緊，蘋(píng)果(Apple)等一線大廠會(huì)是優(yōu)先供貨對(duì)象，iPad-like陣營(yíng)恐面臨斷貨危機(jī)。　　盡管NAND Flash大廠東芝(Toshiba)12寸晶圓廠不在日本強(qiáng)震震央，但上游材料如硅晶圓、光阻劑、化學(xué)研磨液、鈀材、氮?dú)獾龋娨虻卣鸲媾R供應(yīng)商停工窘境，不僅業(yè)者始料未及，亦讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)

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日本強(qiáng)震影響蘋(píng)果公司股價(jià)

　　據(jù)經(jīng)濟(jì)之聲報(bào)道，蘋(píng)果公司這幾天股價(jià)連續(xù)大幅下滑，市值損失接近220億美元。周五的股市交易中，蘋(píng)果股價(jià)再一次小幅下挫。分析人士指出，在很多外在不確定因素的影響下，股價(jià)短期震蕩在所難免，日本地震對(duì)蘋(píng)果股價(jià)也有一定的影響。　　
關(guān)鍵字：蘋(píng)果 NAND

日本地震電子供應(yīng)鏈修復(fù)至少4月以上

　　針對(duì)日本強(qiáng)震對(duì)電子供應(yīng)鏈的影響，美銀美林證券全球半導(dǎo)體研究部主管何浩銘(Daniel Heyler)昨天表示，由于BT樹(shù)脂兩大供貨商三菱瓦斯與日立化成現(xiàn)在已停止接單，而兩家占BT樹(shù)脂供給量的九成，使得基板供給影響比想象嚴(yán)重，目前預(yù)估這次震災(zāi)對(duì)NAND、LCD面板、太陽(yáng)能等供給的影響分別為40%、10%、20%，預(yù)期這次電子供應(yīng)鏈修復(fù)期至少4-6個(gè)月。　
關(guān)鍵字： NAND 基板

VLSI上調(diào)2011年全球IC市場(chǎng)成長(zhǎng)率

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) VLSI Research 最近調(diào)升了對(duì) 2011年 IC市場(chǎng)成長(zhǎng)率的預(yù)測(cè);該機(jī)構(gòu)先前估計(jì) 2011年全球IC市場(chǎng)將成長(zhǎng)8.1%、達(dá)到2,687億美元營(yíng)收規(guī)模，現(xiàn)在則是認(rèn)為今年度該市場(chǎng)成長(zhǎng)率為8.9%，營(yíng)收規(guī)模2,707億美元。　　
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iPad將推動(dòng)今年NAND閃存出貨量增長(zhǎng)近五倍

　　據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報(bào)告稱，隨著消費(fèi)者越來(lái)越多地使用平板電腦，蘋(píng)果的iPad今年將推動(dòng)NAND閃存芯片的應(yīng)用增長(zhǎng)將近五倍。　　iSuppli稱，用于制作移動(dòng)設(shè)備中使用的固態(tài)硬盤(pán)的NAND閃存芯片今年的消費(fèi)量預(yù)計(jì)將達(dá)到23億GB，比2010年消費(fèi)的4768億GB增長(zhǎng)382.4%。iSuppli預(yù)計(jì)到2014年，NAND閃存芯片的出貨量將達(dá)到123億GB。　
關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片

全球NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽3缺1　

　　存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報(bào)價(jià)下跌影響而驟降，除了積極布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外，市場(chǎng)認(rèn)為目前全球4大NAND Flash陣營(yíng)中，唯一沒(méi)有宣布要擴(kuò)產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)等應(yīng)用都是NAND Flash當(dāng)?shù)溃Ａκ窟€有1座空著的12寸晶圓廠M12，未來(lái)若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊! 　
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mlc nand介紹

　　MLC NAND 　　目錄　　1定義　　2MLC芯片特點(diǎn) 　　3與SLC對(duì)比　　1定義　　MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過(guò)使用大量的電壓等級(jí)，每一個(gè)單元儲(chǔ)存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較高。　　一般廠家宣稱可以保證得擦除次數(shù)是3，000次。這一點(diǎn)與SLC得100，000的擦除次數(shù)有不小的差異。　　2MLC芯片特點(diǎn) 　　1、傳輸速率 [ 查看詳細(xì) ]