- 1、芯片發熱
這主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的最大電流來自于驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是考慮更好的
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LED MOS 變壓器
- 摘要：用場效應晶體管設計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類，后級采用甲乙類推挽放大技術。實驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關。從聽音效果來看，末級電流200mA是理想值。
前后級間耦合電容對聽音影響較大，要求質量高些。
對于音頻功率放大器而言，最好聽的莫過于甲類放大器。根據頻率分析的結果，由集成運算放大器構成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以，可不可以前級采用單管甲類放大器，后級采用甲乙類功率放大器?這樣既兼顧聽音需要，又兼顧效率的需要。目前，電子管音頻功率放大器仍然占據
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FET 場效應管 功率放大器
- 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經常被用作一個三端設備。由于未來CMOS技術的閾值電壓并不會遠低于現有標準，于是采用襯底驅動技術進行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅動技術的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅動MOS晶體管的原理類似于結型場效應晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
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MOS CMOS
- 隨著城市快節奏的發展，大多數人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源，不僅浪費還污染環境。故而引進了汽車系統中的“啟停”功能，但是這種系統也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術挑戰，汽車啟停系統中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設計。
為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實現了“啟停”功能，而且為數眾多的這種汽車已經開始上路。這些系統會在汽車停下來時關閉發動機，當腳從剎車踏板移動
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P-FET MOSFET
- 脈沖電源是脈沖制式供電方式裝備必不可少的供電電源。本文對脈沖電源特點及主要參數的影響原因進行分析，給出了一種脈沖電源的電路方案。重點分析輸出脈沖電壓跌落幅度產生原因及解決方法，總結了實用的脈沖電源工程設計方法。
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電源 MOS 脈沖電壓 跌落幅度 脈沖電源 201405
- 為了解決現有浪涌保護電路可靠性差、專用模塊體積龐大以及效率低的問題，提出一種抗機載80V浪涌、高效恒流源電路解決方案。其設計思路從以下幾個方面考慮：(1)能夠承受航空供電系統中80V/50ms過壓浪涌且能正常工作;(2)外圍電路較為簡單，通過分離元器件可實現抗浪涌功能;(3)構建的電路占用體積僅為專用模塊的50%～60%左右;(4)正常工作時，電路轉換效率能達到90%以上;80V/50ms的高壓浪涌電壓時，電路轉換效率能達到80%以上
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PCB MOS 恒流源
- 新型靈活應用的高密度電源模塊現在能夠以易于使用的集成封裝提供先進的電熱性能。系統性能的提升促進了對更高功率電源的要求，以及由于需要快速實現收入的壓力迫使設計人員縮短開發周期，從而對全功能、快速實現電源解決方案的需要呈激增之勢。電源模塊可以解決這些問題，并提供系統設計人員所需的靈活性和性能，幫助他們從最小的空間獲得最大的功率
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新電源 FET ISL8225
- 引言： 鑒于目前網絡上移動電源方案知識甚少，而移動電源最核心的技術恰恰就在方案，從今開始特在移動電源網開設移動電源方案技術篇連載，對目前市面主流品牌，暢銷產品等移動電源方案一一深度剖析，與移動電源設計師和技術迷們一起分享!我們首款產品就選目前最熱門的小米10400mAh移動電源吧。 正文： 移動電源網獨家撰稿，轉載請保留出處鏈接。 大家好!我是來福，移動電源資深技術愛好者，鑒于目前網絡上移動電源方案知識甚少，而移動電源最核心的技術恰恰就在方案，從今開始特在移動電源網開設移動電源方案技術篇連載，
- 關鍵字：
小米 10400 BQ24195 ABOV MOS
- 2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術的16?mΩ雙通道GreenFET3?負載開關產品即SLG59M1527V。該款負載開關每條通道最高電流可達到?4.5A?、總電流高達9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術來實現低導通電阻、外形尺寸最小同時可靠性提高。 SLG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
- 關鍵字：
Silego FET SLG59M1527V
- 在下面的兩個帖子當中，我將簡短地介紹構成CPU的零件，一種晶體管。我將展示如何完成最簡單的設計，這相當于IC設計中的Hello world，并且略微提到Hello world的幾種變體。
- 關鍵字：
CPU IC設計 單晶硅 MOS 硅
- 韓國蔚山科技大學(UNIST)的研究人員們宣稱開發出一種可大量生產硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法，從而可實現基于石墨烯的場效電晶體(FET)制造與設計。
由Jong-BeomBaek主導的研究團隊們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡單溶劑熱反應，大量生產硼/氮共摻雜石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。
石墨烯自2004年經由實驗發現后，已經開發出各種方法來制造基于石墨烯的FET，包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶，以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
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石墨烯 FET
- 為了限制油耗，一些汽車制造商在其新一代車型中應用了“啟動/停止”(Start/Stop)功能。當汽車停下來時，這些創新的新系統關閉發動機;而當駕駛人的腳從剎車踏板移向油門踏板時，就自動重新啟動發動機。這就幫助降低市區駕車及停停走走式的交通繁忙期時的油耗。
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MOSFET 二極管 PCB 穩壓器 P-FET
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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反向轉換器 FET 關斷電壓 緩沖 漏極電感
- 經典FET輸入甲類前級本電路是參照《無線電與電視》雜志2000第一期的《電池供電高級純A類分立件前級放大 ...
- 關鍵字：
FET 甲類前級
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