nand flash 文章最新資訊

基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲(chǔ)方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

1 引言 FLASH（閃速存儲(chǔ)器）作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲(chǔ)介質(zhì)有較大區(qū)別，使用FLASH時(shí)必須根據(jù)其自身特性，對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì)，以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。 2 FLASH的特點(diǎn)FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)器NVM（Non-Volatile Memory），根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NOR FLASH和NAND FLASH兩種。但不管哪一
關(guān)鍵字： FLASH 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 存儲(chǔ)器

分頁燒寫Flash的多頁程序并行自舉方法

以TMS320VC5410為例，介紹對(duì)Am29LV200B Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行程序分頁燒寫以及上電后多頁用戶程序并行自舉的方法。
關(guān)鍵字： Flash 燒寫程序并行

Micron35億美金押寶NAND閃存

美國半導(dǎo)體廠商Micron美光表示，他們將于2007年在NAND閃存業(yè)務(wù)上投入35億美金的巨資，以擴(kuò)充生產(chǎn)NAND閃存的設(shè)備之用。　　產(chǎn)業(yè)分析師認(rèn)為，美光之所以35億美金巨資押寶NAND閃存，一方面在于看好NAND閃存在計(jì)算機(jī)產(chǎn)品、消費(fèi)電子產(chǎn)品上的應(yīng)用前景，另外，美光也希望借此在和三星電子、東芝等競爭對(duì)手的NAND大戰(zhàn)當(dāng)中保持優(yōu)勢地位。　　美光之前和Intel合資成立IM Flash公司，目前的主營業(yè)務(wù)就是NAND閃存。
關(guān)鍵字： Micron NAND 單片機(jī) 美金嵌入式系統(tǒng) 閃存

SanDisk擬降NAND價(jià)格將再引業(yè)界地震

據(jù)臺(tái)灣SanDisk公司內(nèi)部人士透露，公司將在本周將其NAND閃存的價(jià)格降低10％到15％。　　知情人士稱，SanDisk公司此次對(duì)其NAND閃存制成品的價(jià)格調(diào)整將在全球范圍內(nèi)同時(shí)展開，而不是針對(duì)某一地區(qū)市場進(jìn)行。這將是SanDisk公司在今年進(jìn)行的第四次產(chǎn)品降價(jià)，業(yè)內(nèi)觀察員指出，每次SanDisk公司對(duì)產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行調(diào)整都會(huì)對(duì)整個(gè)業(yè)界的價(jià)格體系造成一定影響。　　業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，Sandisk公司即將進(jìn)行的產(chǎn)品價(jià)格調(diào)整可能會(huì)在業(yè)內(nèi)
關(guān)鍵字： NAND SanDisk 消費(fèi)電子消費(fèi)電子

大容量串行e-Flash的FPGA配置方案

為配合某電力測量儀表的開發(fā)，對(duì)Xilinx公司的SpartanII系列FPGA的配置方案進(jìn)行了探索。該方案采用大容量串行e-Flash存儲(chǔ)器MM36SBO10存放FPGA配置文件,MCU讀取該配置文件并在被動(dòng)串行模式下完成對(duì)XC2S30 的在線配置。該方案具有接口簡單、成本低廉、便于移植的優(yōu)點(diǎn)。
關(guān)鍵字： e-Flash FPGA 大容量串行

ST NAND閃存數(shù)據(jù)吞吐量創(chuàng)造世界記錄

單片多級(jí)單元NAND閃存內(nèi)嵌功能強(qiáng)大的5位糾錯(cuò)機(jī)制降低下傳時(shí)間50% 意法半導(dǎo)體公布了數(shù)據(jù)吞吐量創(chuàng)世界記錄的4Gigabit NAND閃存的技術(shù)細(xì)節(jié)，ST新閃存芯片的數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá)36MB/s, 比今天市場上的最好成績還高大約50%。新芯片內(nèi)嵌一個(gè)功能強(qiáng)大的糾錯(cuò)處理器，每頁可以改正最多五個(gè)錯(cuò)誤，為高度可靠性和高速數(shù)據(jù)傳輸提供了保證，同時(shí)還簡化了存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，在舊金山國際固態(tài)電路大會(huì)(ISSCC) 上，意法半導(dǎo)體和韓國現(xiàn)代海力士（Hynix）的研究人員
關(guān)鍵字： NAND ST 嵌入式系統(tǒng)

蘋果iPod降價(jià)舉動(dòng)波及亞洲NAND制造商

　受蘋果電腦公司調(diào)降其數(shù)字音樂播放器價(jià)格影響，三星電子和其它亞洲存儲(chǔ)芯片制造商的股票價(jià)格出現(xiàn)不同程度的下滑。　　很明顯，蘋果的降價(jià)舉動(dòng)引發(fā)人們擔(dān)心字音樂播放器里應(yīng)用的芯片價(jià)格可能會(huì)大幅下降。　　在其數(shù)字音樂播放器里采用NAND芯片的蘋果公司周二調(diào)降了其最廉價(jià)機(jī)型iPod Shuffle的價(jià)格，并推出了中端iPod Nano的一個(gè)容量較小的版本。　　據(jù)分析家稱，受淡季需求降低影響，NAND芯片價(jià)格最近急劇回落，蘋果的舉動(dòng)反應(yīng)了這一趨勢，同時(shí)也加劇了投資者對(duì)芯片制造商的
關(guān)鍵字： iPod NAND 蘋果制造商

三星與索尼就長期供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判

三星電子近日證實(shí)，正在就供應(yīng)NAND閃存問題與索尼談判。三星發(fā)言人表示：“我們正在與包括索尼在內(nèi)的一些大公司就供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判，但是目前還沒有確定任何細(xì)節(jié)。” 索尼希望獲得8G以上的NAND閃存，預(yù)計(jì)訂單將占到三星明年NAND總產(chǎn)量的五分之一以上。據(jù)稱雙方預(yù)計(jì)將在明年上半年簽約。蘋果電腦11月與三星簽署了五億美元的長期協(xié)議，在2010年以前將一直從三星進(jìn)貨.
關(guān)鍵字： NAND 三星閃存索尼談判

NAND新應(yīng)用層出不窮價(jià)格不斷降低

隨著NAND閃存成本每年下跌40%，對(duì)NAND的新應(yīng)用尤其是計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用層出不窮。今年晚些時(shí)候，將有帶閃存的硬盤與微軟的新操作系統(tǒng)Vista同時(shí)出售。 “理論上，硬盤不必一直運(yùn)行，”三星（歐洲）公司高級(jí)存儲(chǔ)器部門經(jīng)理
關(guān)鍵字： NAND 價(jià)格降低

DDR2價(jià)格醞釀反彈2GbNAND閃存上揚(yáng)

根據(jù)內(nèi)存市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于DRAM廠商面臨過低的DRAM價(jià)格不愿放貨，導(dǎo)致帶動(dòng)UTT(未經(jīng)完整測試)產(chǎn)品的價(jià)格反彈。適逢香港12月24日至12月27日的圣誕節(jié)假期，市場上買家也較為謹(jǐn)慎的掌控手中的庫存，部分系統(tǒng)整合商以及OEM廠也不愿意在年底前買貨增加庫存，使得上周現(xiàn)貨市場方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M
關(guān)鍵字： DDR2 NAND 價(jià)格閃存

Flash需求旺模塊廠芯片設(shè)計(jì)公司關(guān)系親密

近年來NAND型Flash應(yīng)用需求發(fā)燒，從隨身碟、記憶卡、MP3，直到最近手機(jī)上使用的小型記憶卡，應(yīng)用范圍不斷延伸，內(nèi)存模塊廠莫不全力搶攻NAND型Flash應(yīng)用產(chǎn)品市場的市場占有率，因此各家模塊廠和NAND型Flash控制芯片設(shè)計(jì)公司的關(guān)系可謂是越來越緊密，其中更不乏模塊廠自掏腰包來投資NAND型Flash設(shè)計(jì)公司。　　隨著儲(chǔ)存應(yīng)用熱潮蔓延，不論是讀卡機(jī)、隨身碟或是小型記憶卡等，近幾年增長道驚人，過去消費(fèi)性電子產(chǎn)品市場對(duì)隨身碟的需求是從無到有、再到蓬勃發(fā)
關(guān)鍵字： Flash 模塊

基于TMS320C54x的便攜存儲(chǔ)設(shè)備設(shè)計(jì)

摘要：本文介紹了一種以TMS320C54x為核心的移動(dòng)存儲(chǔ)終端，終端中使用NAND Flash作為存儲(chǔ)器件。討論了TMS320C54x對(duì)NAND Flash的編程以及接口設(shè)計(jì)。關(guān)鍵詞：DSP；NAND；Flash 引言移動(dòng)存儲(chǔ)終端包括手機(jī)、掌上電腦、PDA和數(shù)碼相機(jī)等手持設(shè)備及各種信息家電。在這類產(chǎn)品中既要結(jié)合存儲(chǔ)功能，又需要具備一定的信號(hào)處理能力，因此基于DSP芯片的設(shè)計(jì)方案成為這些產(chǎn)品的主流方案。同時(shí)，為了降低產(chǎn)品成本，采用具有較高容量/價(jià)格比的NAND Fla
關(guān)鍵字： DSP Flash NAND 存儲(chǔ)器

基于CC1010芯片的微型無線數(shù)據(jù)收發(fā)模塊的設(shè)計(jì)

摘要：本文介紹了基于SmartRF CC1010芯片的微型無線數(shù)據(jù)收發(fā)模塊的設(shè)計(jì)，給出了采用CC1010芯片設(shè)計(jì)微型無線數(shù)據(jù)收發(fā)模塊的設(shè)計(jì)方案，并提出了在PCB板制作過程中應(yīng)注意的問題。關(guān)鍵詞：SmartRF CC1010；8051內(nèi)核；Flash引言無線射頻傳輸主要應(yīng)用于家庭自動(dòng)化控制、工業(yè)系統(tǒng)控制、自動(dòng)儀表檢測系統(tǒng)、安防報(bào)警系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)控制以及掌上PDA無線數(shù)據(jù)通信方面。CC1010是根據(jù)SmartRF技術(shù)，在0.35mm CMOS工藝下研制出的一種理想的超高
關(guān)鍵字： 8051內(nèi)核 Flash SmartRF CC1010 模塊

低壓閃光燈方案

摘要：本文介紹了手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)用低壓閃光燈方案、主要器件，以及設(shè)計(jì)選用要求。關(guān)鍵詞：低壓閃光燈；Flash LED；電荷泵各種相機(jī)內(nèi)置或外加的萬次閃光燈，多數(shù)都是通過振蕩和變壓器升壓，經(jīng)電容器儲(chǔ)存能量，在需要的瞬間釋放并感應(yīng)出高壓，激發(fā)惰性氣體發(fā)出脈沖光，從而獲得極強(qiáng)的瞬時(shí)功率。以高亮度LED為閃光燈源的低壓閃光燈的出現(xiàn)，給傳統(tǒng)的閃光燈帶來了革命性的變化。低壓閃光燈不需要振蕩電路，不需要升壓變壓器和儲(chǔ)能大電容器，F(xiàn)lash LED只需要3.5~4.5V的直流電壓、
關(guān)鍵字： Flash LED 低壓閃光燈電荷泵發(fā)光二極管 LED

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nand flash 介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]