nand flash 文章 最新資訊
TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI
- TDK 公司日前宣布開發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI,該產品計劃于九月份開始銷售。 GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC,與2K字節(jié)/頁和4K字節(jié)/頁的NAND閃存兼容。該控制器支持單級單元 (SLC) 和多級單元(MLC) NAND 閃存,實現(xiàn)了從128M字節(jié)到1 G字節(jié)(SLC) 和256M字節(jié)到32G字節(jié)(MLC)的高速閃存存儲容量,因而該控制器適用的應用領域非常廣泛。此外,該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
- 關鍵字: TDK NAND 閃存 控制器 LSI
Hynix與Numonyx簽5年協(xié)議共同開發(fā)NAND技術
- 據國外媒體報道,近日,全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix表示,已與意法半導體(STMicroelectronics NV)和英特爾的合資公司Numonyx BV簽署了一項為期五年的協(xié)議,拓展其在快速增長的NAND閃存領域的共同開發(fā)項目。 據國外媒體報道,根據協(xié)議內容,兩家公司將合作擴大NAND產品線,推出新產品和實現(xiàn)技術創(chuàng)新,從而應對未來五年NAND技術所面臨的挑戰(zhàn)。 根據協(xié)議內容,Hynix和Numonyx將共同開發(fā)技術項目,聯(lián)合提供領先的NAND存儲技術和產品,并進行資源整合以促
- 關鍵字: NAND 閃存 Hynix 意法半導體 Numonyx
單片機的FLASH引導裝載系統(tǒng)設計
- 前言 DSP系統(tǒng)的引導裝載是指在系統(tǒng)加電時,由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源,又能充分發(fā)揮DSP內部資源的高速效能。因此,引導裝載系統(tǒng)的性能直接關系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度,是DSP系統(tǒng)設計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中,外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器,而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此,本文介紹了T
- 關鍵字: DSP 存儲 接口 FLASH
恒憶與海力士擴大合作 共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術與產品
- 恒憶(Numonyx)今天宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協(xié)議,在飛速增長的NAND閃存領域擴展聯(lián)合開發(fā)計劃。針對NAND技術在未來五年面臨的挑戰(zhàn),兩家公司將擴大NAND產品線并共同研發(fā)未來產品,進行技術創(chuàng)新。 根據新協(xié)議,恒憶和海力士將擴大聯(lián)合開發(fā)的范圍,共同提供領先的NAND存儲器技術和產品,并且整合資源以加快未來NAND技術及解決方案的開發(fā)。在應用于手機多芯片封裝的移動DRAM領域,雙方也將進行合作。 恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison表示:"未來五年,在
- 關鍵字: NAND 恒憶 海力士 閃存
Flash外部配置器件在SOPC中的應用
- 1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表現(xiàn)在兩方面:一方面,可用Flash來保存FPGA的配置文件,從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問題。當系統(tǒng)上電后,從Flash中讀取配置文件,對FPGA進行配置。另一方面,可用Flash來保存用戶程序。對于較為復雜的SOPC系統(tǒng),用戶程序一般較大,用EPCS來存儲是不現(xiàn)實的。系統(tǒng)完成配置后,將Flash中的用戶程序轉移到外接RAM或片內配置生成的RAM中,然后系統(tǒng)開始運行。 2 Flash編程的實現(xiàn)
- 關鍵字: FPGA SOPC Flash RAM NiosII
五月份全球半導體銷售增長7.5%達到218億美元
- 【eNet硅谷動力消息】半導體工業(yè)協(xié)會公布月度報告顯示,今年五月份全球半導體的銷售收入從去年同期的203億美元增長了7.5%達到218億美元。受到全球消費電子產品銷售強勁和美國消費性支出好轉的推動,五月份半導體銷售收入比四月份增長了2.8%,四月份全球半導體銷售收入為212億美元。 數(shù)據顯示,在半導體銷售中,計算機是最大的終端市場。今年前五個月,全球半導體銷售收入達到1034億美元,比去年同期增長了5.3%。 半導體工業(yè)協(xié)會總裁George Scalise在一份聲明中表示,盡管有媒體報告了
- 關鍵字: 半導體 計算機 芯片 數(shù)碼相機 手機 NAND 閃存
全球閃存市場達254億美元 廠商Q4投身30nm制程
- 據外電報道,NAND Flash(閃存)制造廠制程技術持續(xù)不斷推進,集邦科技表示,各Flash制造廠自今年第四季起將陸續(xù)轉進30納米制程技術。 根據美光預估,今年全球NAND Flash市場可望增長至254億美元規(guī)模,除了目前一般數(shù)字影音播放器、UFD(通用串行總線閃存儲存驅動器)、記憶卡等應用外,也相當看好移動儲存市場的發(fā)展?jié)摿Α? 為降低生產成本,強化競爭力,NAND Flash制造廠持續(xù)不斷進行制程技術微縮,其中IM Flash陣營已宣示,34納米制程技術將于今年第四季投產。韓國三星電
- 關鍵字: 閃存 NAND Flash 移動儲存 30納米
nand flash 介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經有數(shù) [ 查看詳細 ]
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