- 10月21日消息，據外電報道，市場研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長率從原來的8%提高到了10%。
這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長歸功于一些集成電路產品出貨量的強勁增長，如DRAM內存出貨量增長49%，NAND閃存出貨量增長38%，接口集成電路出貨量增長60%，數據轉換集成電路出貨量增長58%，汽車模擬集成電路出貨量增長32%。
ICInsights稱，如果2007年全球集成電路出貨量增長率達到10%或者更高，這將是連續第六年的兩位增長
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模擬技術 電源技術 集成電路 NAND 閃存
- 現貨市場DDR2價格方面持續走弱;而DDR則因供應不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后，暫時止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場方面，由于現貨市場供給數量仍舊不足，上周也曾出現缺貨狀況，價格持續小幅上揚，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。
十月份合約市場相當清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠商甚至認為，倘若預期十一
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嵌入式系統 單片機 DDR2 DRAM NAND MCU和嵌入式微處理器
- 根據半導體產業協會SIA報告，2007年8月全球芯片銷售三月平均值達到215.2億美元，比2006年同期數字猛升4.9%。8月份銷售增長超過分析師預測，比2007年7月的三月平均銷售額206.1億美元增長4.5%。 SIA表示，增長歸因于NAND閃存供應減少導致平均銷售價格反彈。8月份NAND閃存銷售價格比7月增長19%，與2006年8月相比增長48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節性增長帶來全球半導體銷售連續健
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- 前言DSP系統的引導裝載是指在系統加電時，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內部高速存儲器單元并執行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發揮DSP內部資源的高速效能。因此，引導裝載系統的性能直接關系到整個DSP系統的可靠性和處理速度，是DSP系統設計中必不可少的重要環節。在裝載系統中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320C
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- Jefferies Japan高級分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產能利用率已經處于最高位。 事實上，東芝公司的業務表現正在發生變化。David表示，“東芝認為供需形勢處于有利狀況，由于晶圓廠產能利用率達到100%，公司不得不回絕了25%的訂單。” 還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價下降70%，東芝曾經預計2007年更進一步下滑50%，但是到目前為止，價格還高于預計之上。” 價格已經觸底
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- 摘要：NAND結構Flash數據存儲器件是超大容量數據存儲的理想選擇，當前被廣泛應用于U盤、MP3和數碼相機的數據存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際應用系統給予驗證，揭示了NAND結構Flash的操作規律。
關鍵詞：NAND Flash 數據存儲 C8051F
引 言
大容量數據存儲是單片機應用系統的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應用系統的總體功能。Sumsung公司的NAND結構Fla
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NAND Flash 數據存儲 C8051F MCU和嵌入式微處理器
- 前言 DSP系統的引導裝載是指在系統加電時，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內部高速存儲器單元并執行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發揮DSP內部資源的高速效能。因此，引導裝載系統的性能直接關系到整個DSP系統的可靠性和處理速度，是DSP系統設計中必不可少的重要環節。在裝載系統中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320
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嵌入式系統 單片機 TMS320C6713 FLASH 中間件 軟件庫
- 九月，NAND閃存芯片合約價格自六月以來首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內存制造商經歷庫存增加壓力。 根據內存市場研究機構DRAMeXchange最新調查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價格則相對穩定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價格有所回升。 據臺灣內存消息人士指出，韓國三星電子8月震驚業內，使得激烈價格上升。需求被昂貴的價格壓抑，反映在現貨市場價格疲弱。 雖然許多內存庫存商8月期間已經減少其采購，最新的報價仍然加
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- 據國外媒體報道，三星電子和東芝等24家企業日前因涉嫌操縱NAND閃存價格而遇到集體訴訟。 據悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國公司、日立公司、日立電子設備美國公司、Hynix美國公司、Hynix半導體、美光（Micron）科技、美光半導體產品部公司、三菱公司、三菱電子美國公司； Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國公司、SanDisk、三星半導體、三星電子、意法半導體、東芝、東芝美國公司、東芝美國電子部件公司、
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- 摘要：介紹一種基于四時鐘周期、高速8051內核的混合信號8位單片機MAX7651。探討在開發基于MAX7651的應用系統時所面臨的問題，并推薦相應的解決方案。
關鍵詞：MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期
在全球8位單片機領域，英特爾（Intel）生產的MCS-51系列是毋庸質疑的領導者。借助英特爾廣泛的授權行為，基于8051內核的8位單片機兼容產品早已根深葉茂。Dallas Semicondu
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- 摘要：RC5及RC6是兩種新型的分組密碼。AVR高速嵌入式單片機功能強大，在無線數據傳輸應用方面很有優勢。本文基于Atmega128高速嵌入式單片機，實現RC5和RC6加密及解密算法，并對算法進行匯編語言的優化及改進。根據實驗結果。對兩種算法的優熱點進行比較和分析。
關鍵詞：Atmega128 RC5 RC6 分組密碼 混合密鑰 Flash
引言
在無線局域網中，傳輸的介質主要是無線電波和紅外線，任何具有接收能力的竅聽者都有可能攔截無線信道中的數據，掌握
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Atmega128 RC5 RC6 分組密碼 混合密鑰 Flash MCU和嵌入式微處理器
- 1 引言在便攜式電子產品如U盤、MP3播放器、數碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復雜，對時序要求也十分嚴格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來很大的難度，于是就要求有一個控制器，使系統用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設
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- iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷售額達到14億美元，比第1季度的12億美元增長18.9%。三星在2007年上半年將部分產能從DRAM轉向NAND閃存，該公司的NAND市場份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個百分點。 iSuppli內存/存儲系統首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現強勁主要是按容量計算增長11%，出貨量增加歸功于擴大蘋果iPhone和iPod等消
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nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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