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nand-flash 文章 最新資訊

把面向數字家庭的Adobe Flash引進到MIPS-Based平臺

  •   Q.什么是三重播放集成?   A.TPI公司是一家致力于提供數字家庭視頻平臺解決方案的專業軟件服務公司。TPI公司還是官方Adobe 的“Scaling Partner”,為消費電子平臺提供Flash Player 10、AIR和舞臺美術技術提供優化的端口。我們有25名具有專業的項目管理和質量保障經驗的高級工程師團隊,平均具有 24 年的工作經驗.    ?   Triple Play Integration 銷售副總裁Mike Nottage   Q.
  • 關鍵字: TPI  Adobe Flash  

出貨不如預期 閃存芯片價格小幅下跌

  •   受到諸多全球總體經濟復蘇的不確定變數干擾,2011部份的NAND Flash終端應用產品出貨量將不如預期,及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統備貨旺季效應遞延等因素的綜合影響下,8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱,但某些系統客戶的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對地穩定,因此,MLCNAND Flash芯片合約均價小跌約1-2%,而TLCNAND Flash芯片合約均價則下跌約4-7%。  
  • 關鍵字: 閃存芯片  NAND  

AT91SAM7Sxx系列MCU Boot-Loader的設計

  • AT91SAM7xx 系列是Atmel 公司推出的基于ARM7內核的32位MCU。用戶代碼編譯在Thumb 模式下可獲得16位指令寬度 ...
  • 關鍵字: AT91SAM7Sxx  VID  Flash    

下一代光刻技術延遲 NAND成長或趨緩

  •   在日前的一場閃存高峰會中,SanDisk公司的技術長Yoram Cedar指出,下一代光刻技術的延遲,將導致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當樂觀,但Cedar表示,由于超紫外光(EUV)光刻技術的延遲,閃存的成長可能需要再評估。  
  • 關鍵字: SanDisk  NAND  

東芝芯片業務業績可能達不到預期

  •   全球第二大閃存制造商東芝公司(Toshiba Corp)周三警告說,由于PC市場不景氣,美國和歐洲等經濟體持續動蕩以及日元強勢等原因,該公司芯片業務的利潤可能達不到預期。
  • 關鍵字: 東芝  芯片  NAND  

基于TMS320DM642的Flash編程

  • 基于TMS320DM642的Flash編程,本文首先介紹常見的Flash編程方法,然后詳細介紹本文方法的原理,以及DSP系統上電加載原理,最后給出整個實現過程并分析了Flash編程時需要注意的一些問題?! lash編程方法  常見的Flash編程方式  Flash在正常使用
  • 關鍵字: 編程  Flash  TMS320DM642  基于  

NAND Flash合約價續跌

  •   據韓國電子新聞報導,計算機用DRAM芯片價格快速下跌,NAND Flash合約價也從6月起出現陡峭跌幅,2個月內出現2011年來最低價2美元紀錄。下半年則因智能型手機(Smartphone)與平板計算機 (Tablet PC)新品陸續問世,可望帶動NAND Flash價格回升。
  • 關鍵字: NAND  DRAM芯片  

C6201/C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM

  • 本文以基于三個C6201/C6701 DSP芯片開發成功的嵌入式并行圖像處理實時系統為例,介紹這一設計技術。
  • 關鍵字: C6201  C6701  FLASH  DSP    

基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設計

  •   在一些軍用芯片的早期設計中,一般先采用比較成熟的商用協議芯片進行軍用化改造(通常做成板卡形式),而商用 ...
  • 關鍵字: AT25T1024  FLASH  高速SPI接口  

存儲器產業群雄割據時代將再度來臨

  •   隨著存儲器容量越來越大,NANDFlash產業制程在進入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業界在未來制作更大容量存儲器上,面臨是否繼續發展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics),但短期內該技術也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲器的開發。
  • 關鍵字: 三星  存儲器  NAND  

納米制程遇瓶頸 業者紛紛投入3D存儲器的開發

  •   隨著存儲器容量越來越大,NAND Flash產業制程在進入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業界在未來制作更大容量存儲器上,面臨是否繼續發展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics),但短期內該技術也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲器的開發。  
  • 關鍵字: 爾必達  NAND  

C6000系列DSP Flash二次加載技術研究

  • C6000系列DSP Flash二次加載技術研究,引言
    TI公司C6000系列DSP具有強大的處理能力,在嵌入式系統中有著廣泛的應用。由于程序在DSP內部存儲器的運行速度遠大于片外存儲器的運行速度,通常需要將程序從外部加載到DSP內部運行。由于C6000系列DSP均沒有
  • 關鍵字: 技術  研究  加載  Flash  系列  DSP  C6000  

今年游戲主機NAND flash內存密度提高40%

  •   內存的成本高昂,今年 NAND 在家庭主機和手持設備上的密集度仍將提高 40% 以上,而這是游戲最主要的游戲環境。   今年家用游戲主機的 NAND 平均密度預計達 923MB,較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設備的 NAND 平均密度則預計自去年的 87MB 增長 41.4%,達 123MB。   
  • 關鍵字: Sony  NAND  

LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護技術

  •   LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術,用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護功能。MegaRAID CacheVault 采用固態 NAND 閃存,能夠在電源發生故障的時候自動將高速緩存中的數據轉移到閃存中,從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數據提供強大的保護。CacheVault 技術避免了采用鋰離子電池的麻煩,并可節約相關的硬件維護成本,從而實現更環保、總體成本更低的高速緩存保護解決方案。
  • 關鍵字: LSI  NAND  

2011年NAND閃存密度將增長40%以上

  •   據IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告,盡管NAND閃存成本較高妨礙其進入游戲硬件,但2011年家庭游戲機與手持游戲機中的NAND密度將增長40%以上。   
  • 關鍵字: 索尼  NAND  
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