nand-flash 文章最新資訊

Spansion大力推行其革命性MirrorBit? ORNAND2? 架構(gòu)開(kāi)發(fā)計(jì)劃

　　北京，2008年4月23日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（Nasdaq：SPSN）今天宣布在意大利米蘭設(shè)立其安全及先進(jìn)技術(shù)事業(yè)部（SATD）總部，以支持其革命性MirrorBit® ORNAND2™架構(gòu)及安全產(chǎn)品策略的開(kāi)發(fā)計(jì)劃。該部門(mén)將負(fù)責(zé)Spansion各種不同閃存安全解決方案的開(kāi)發(fā)工作，并將MirrorBit技術(shù)拓展到目前NAND所服務(wù)的應(yīng)用領(lǐng)域。　　Spansion執(zhí)行副總裁Carla Golla擔(dān)任該部門(mén)負(fù)責(zé)人，并招募了眾
關(guān)鍵字： Spansion 安全存儲(chǔ) NAND

閃存新公司恒億負(fù)重前行?前景尚不…

?　　如果憑老東家的實(shí)力，新公司應(yīng)該讓人感覺(jué)很有希望。但是現(xiàn)實(shí)面臨兩個(gè)大的問(wèn)題，其一是在專(zhuān)注的存儲(chǔ)器領(lǐng)域強(qiáng)手如林，新公司能否脫穎而出；其二是老東家英特爾及意法是否肯下更大的賭注。 ? ????全球頭號(hào)芯片供應(yīng)商英特爾與歐洲大廠(chǎng)STMicro合資新建的存儲(chǔ)器廠(chǎng)Numonyx，中文名叫恒憶公司，于2008年4月1日作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND(兩種存儲(chǔ)器類(lèi)型)及內(nèi)置RAM（內(nèi)存）的存儲(chǔ)器，并利用新型相變移位
關(guān)鍵字：閃存恒億 RAM NOR NAND

恒憶?（NUMONYX）強(qiáng)勢(shì)進(jìn)軍存儲(chǔ)器市場(chǎng)

　　2008年4月1日，中國(guó) – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM的存儲(chǔ)器，并利用新型相變移位存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)，為存儲(chǔ)器市場(chǎng)開(kāi)發(fā)、提供創(chuàng)新的存儲(chǔ)器解決方案。新公司憑借其雄厚實(shí)力和技術(shù)專(zhuān)長(zhǎng)，在成立之初就成為存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先廠(chǎng)商，專(zhuān)注于存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)制造業(yè)務(wù)，為手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種消費(fèi)電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。恒憶™將從非易失性存儲(chǔ)器
關(guān)鍵字： RAM NOR NAND DRAM MP3

透視 FPGA 的安全性

　　今天的設(shè)計(jì)人員已經(jīng)在許多不同的領(lǐng)域中選擇FPGA作為首選的解決方案。這些FPGA器件早已超越了原本作為原型設(shè)計(jì)工具的范疇，逐漸用于生產(chǎn)應(yīng)用中，尤其是消費(fèi)電子和汽車(chē)電子等領(lǐng)域。據(jù)Gartner Dataquest市場(chǎng)研究公司指出，F(xiàn)PGA器件在汽車(chē)應(yīng)用中的使用規(guī)模從2002到2005年增加約七倍。　　這個(gè)增長(zhǎng)在很大程度上是來(lái)自于FPGA本身的特點(diǎn)。由于象全球定位系統(tǒng) (GPS) 導(dǎo)航裝置和DVD播放機(jī)之類(lèi)設(shè)備的產(chǎn)品壽命相對(duì)較短，因此縮短其開(kāi)發(fā)周期變得非常重要?？删幊踢壿嫳憧蔀樵O(shè)計(jì)人員提供所需的靈活性
關(guān)鍵字： FPGA 汽車(chē) Flash

HOLTEK新推出HT46F47E于A/D型Flash MCU

　　03/03/2008訊,HOLTEK半導(dǎo)體繼I/O型Flash MCU之后，推出A/D型Flash MCU HT46F47E。HT46F47E的程序內(nèi)存可以透過(guò)ISP (In-System-Programming) 接口直接對(duì)已制造好的產(chǎn)品進(jìn)行MCU程序內(nèi)存的燒錄，且燒錄次數(shù)可達(dá)十萬(wàn)次，此項(xiàng)特性讓客戶(hù)能夠很容易地做產(chǎn)品的軟件更新，因而能夠縮短產(chǎn)品的上市時(shí)間，并可提供更好的售后服務(wù)。例如客戶(hù)可以在產(chǎn)品出貨前燒錄最新版的程序及調(diào)校參數(shù)，不需受限于燒錄次數(shù)；在產(chǎn)品售出后可以很方便地做軟件升級(jí)，提供更高的附加
關(guān)鍵字： Flash MCU

NAND市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩芯片廠(chǎng)欲推遲建廠(chǎng)計(jì)劃

　　日前，全球領(lǐng)先的閃存供應(yīng)商晟碟和東芝公司在日本簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，表示雙方將共同興建NAND閃存工廠(chǎng)(Fab5)，以應(yīng)對(duì)未來(lái)市場(chǎng)對(duì)NAND閃存的需求，該工廠(chǎng)預(yù)計(jì)將于2010年投產(chǎn)。　　市場(chǎng)研究公司AmericanTechnologyResearch分析師道格?弗里德曼(DougFreedman)表示：“我們相信大部分的投資者都希望Fab5工廠(chǎng)能夠于2009年就可以投產(chǎn)，因?yàn)楝F(xiàn)在的供求關(guān)系依然比較樂(lè)觀(guān)?！? 　　但是閃存供應(yīng)商們延遲其工廠(chǎng)興建計(jì)劃也再一次證明了NAN
關(guān)鍵字：閃存 NAND

ZigBee技術(shù) 無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn) MCl3192 LPC2138

　　摘要以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì)，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。　　關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機(jī)嵌入式系統(tǒng) 　　1 NAND Flash和NOR Flash 　　閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點(diǎn)，被廣泛地應(yīng)用于手
關(guān)鍵字： NAND Flash uPSD3234A單片機(jī)嵌入式系統(tǒng)

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的應(yīng)用

以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同；介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì)，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。
關(guān)鍵字： K9F1208 Flash 3234A NAND

NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復(fù)在線(xiàn)測(cè)試

　　摘要 NAND Flash以其大容量、低價(jià)格等優(yōu)勢(shì)迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)的新寵，因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛，本文簡(jiǎn)要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS，并針對(duì)YAFFS在均勻損耗和掉電恢復(fù)方面進(jìn)行在線(xiàn)測(cè)試。在給出測(cè)試結(jié)果的同時(shí)，著重研究嵌入式軟件測(cè)試方案和方法;對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析，并提出改進(jìn)方案和適用環(huán)境。　　關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗軟件測(cè)試 YAFFS 　　引言　　隨著嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理已經(jīng)成為一個(gè)重要
關(guān)鍵字： NAND Flash 均勻損耗軟件測(cè)試 YAFFS

商刊：英特爾NAND閃存面臨多重問(wèn)題

　　北京時(shí)間3月5日《商業(yè)周刊》文章指出，由于美國(guó)經(jīng)濟(jì)衰退導(dǎo)致電腦和消費(fèi)電子產(chǎn)品銷(xiāo)售增長(zhǎng)減速，對(duì)英特爾的NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的利潤(rùn)造成很大壓力。　　英特爾在2005年下半年宣布與美光科技組成合資公司，共同研發(fā)和生產(chǎn)一種名為NAND閃存的內(nèi)存芯片，這種芯片被廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品。兩年多來(lái)，英特爾巧妙地避過(guò)了那些芯片的價(jià)格波動(dòng)。　　全球最大電腦芯片廠(chǎng)商英特爾在3月3日晚間宣布，它預(yù)計(jì)其第一季度毛利率將在54%左右，低于之前作出的56%的預(yù)期目標(biāo)。主要原因在于：NAND閃存的價(jià)格低于預(yù)期水平。在第
關(guān)鍵字：英特爾 NAND

Flash 單片機(jī)自編程技術(shù)的探討

???????核心器件:?MSP430? ??? ???????1?MSP430芯片F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)? ???????Flash存儲(chǔ)器模塊是一個(gè)可獨(dú)立操作的物理存儲(chǔ)器單元。全部模塊安排在同一個(gè)線(xiàn)性地址空間中，一個(gè)
關(guān)鍵字： Flash 單片機(jī) 自編程

NAND和NOR flash詳解

NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　
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TMS320C64x的16-bit Flash加載的可行性分析與實(shí)現(xiàn)

　　l 引言　　在仿真環(huán)境下調(diào)試DSP板程序之后，還有一項(xiàng)重要的工作要做：怎樣實(shí)現(xiàn)程序代碼的脫機(jī)加載。TMS320C6000系列DSP提供了3種引導(dǎo)方式：不加載、HPI加載以及Flash (ROM)加載。實(shí)際應(yīng)用中，多采用外接Flash來(lái)加載程序代碼。此種方法簡(jiǎn)單、靈活、成本低，因而受到廣大工程技術(shù)人員的青睞。由于開(kāi)發(fā)的DSP系統(tǒng)應(yīng)用板最終要脫離仿真器獨(dú)立運(yùn)行，而TMS320C64x系列DSP本身不帶這樣的存儲(chǔ)體，掉電后程序及數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。這就需要1個(gè)能在斷電后保存程序及初始化數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)體。Flash
關(guān)鍵字： TMS320C64x Flash

分析師稱(chēng)NAND閃存市場(chǎng)可能再次面臨崩潰

　　在最近發(fā)生了產(chǎn)品種類(lèi)短缺和平均銷(xiāo)售價(jià)格走平之后，NAND閃存市場(chǎng)可能會(huì)再一次崩潰。　　據(jù)Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱(chēng)，全球最大的NAND閃存買(mǎi)主蘋(píng)果計(jì)算機(jī)公司在12月和1月期間減少了三種類(lèi)型NAND閃存芯片的采購(gòu)?，F(xiàn)在NAND閃存還沒(méi)有殺手應(yīng)用。這些因素都會(huì)對(duì)NAND閃存市場(chǎng)產(chǎn)生影響。　　Mok稱(chēng)，蘋(píng)果在2006年就曾采取過(guò)同樣的減少采購(gòu)的行動(dòng)，導(dǎo)致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應(yīng)量超過(guò)了需求的70%和價(jià)格的下降。　　這位分析師稱(chēng)，雖然自從2
關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗戰(zhàn)線(xiàn)不斷擴(kuò)大

　　快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點(diǎn)出乎各界意料，整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高點(diǎn)反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒(méi)有傳統(tǒng)的消費(fèi)性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn)，反而NAND Flash價(jià)格劇烈的忽上忽下，可說(shuō)是一團(tuán)混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢(shì)，雖然大家對(duì)于「寒流」來(lái)襲，都已有心理準(zhǔn)備，但仍是不敢大意。　　TRI觀(guān)點(diǎn)：　　2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個(gè)事件，就是Samsun
關(guān)鍵字：內(nèi)存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器