- 1 引言
隨著手機市場競爭的日趨激烈，多媒體手機逐漸成為市場的寵兒。因為有大量的多媒體數據，因此大容量存儲是多媒體手機所要解決的首要問題。
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。NOR的特點是
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應用 手機 多媒體 NANDFlash 大容量
- 歷經過去2個月的不斷地交涉協商后，7月底時多數的NANDFlash買賣雙方業者，終于就多數的NANDFlash芯片合約價格大致達成了共識。由于6月到7月期間正值記憶卡和UFD通路市場及系統產品OEM客戶的傳統淡季，再加上2Q季底效應的影響，下游客戶多優先忙于去化手頭的過剩庫存，故他們在此期間回補庫存的意愿也都不太高。
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NANDFlash 閃存芯片
- 基于SEP4O20的Linux NandFlash驅動設計,摘要：本文首先給出了NandFlash的硬件特點，分析了Linux MTD層(Memow Technology Device)的特性，基于東南大學國家ASIC中心自主設計的嵌入式微處理器芯片SEP4020，給出了Linux下NandFlash驅動的詳細設計方案。實驗結
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驅動 設計 NandFlash Linux SEP4O20 基于
- NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅動開發,0 引 言
隨著嵌入式系統的迅速發展，其應用環境的廣泛性，復雜性對構建于系統上的Nor和Nand閃存設備提出更高要求，需要閃存設備傳輸速度更快，體積更小，容量更大，穩定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410
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驅動 開發 設計 接口 NorFLASH NandFLASH
- 隨著NANDFlash(非易失閃存技術)價格的持續下滑，作為下一代存儲設備的SSD(SolidStateDrive，固態硬盤)有望成為新的半導體市場需求。在2010年以后，SSD將會成為世界NANDFlash存儲市場中的主要品種，而各大存儲技術相關企業也將從今年開始正式展開激烈的市場競爭。
市場規模將達100億美元
SSD是利用現有的DRAM和NANDFlash等存儲技術和控制器來制作的下一代存儲設備。與競爭產品HDD(硬盤驅動器)相比，SSD具有安全性高、功耗低、數據傳送速度快、無機械噪
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NANDFlash SSD
- 為跟上技術進步的發展步伐，2008年半導體生產設備、材料、零部件行業將出現新一輪產品研發熱。該行業大舉引進最新的高效率生產技術，挑起了夯實電子產業發展基礎的重任。
挑戰微細化納米技術
最近發表的ITRS(國際半導體技術藍圖)深入分析了今后15年半導體技術發展方向。
回顧該行業技術發展的軌跡，我們發現，人們除了把目光聚集到High-k門極電介質的前瞻性引入、超越摩爾定律(后摩爾定律技術)上之外，還格外關注存儲器與微機電系統(MEMS)間的對話。2007年11月在夏威夷召開的ITPC(半
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NANDFlash
- 文章詳細說明了從Nandflash引導操作系統要完成的主要任務和實現方法，并給出了在S3C2410上實現Nandflash啟動的試驗結果。
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Bootloader Nandflash
nandflash介紹
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
應用程序對NOR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程序對N AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小，一般是8KB，然后每塊又分成頁，頁 [
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