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nor 閃存 文章 最新資訊

恒憶與三星電子共同合作開(kāi)發(fā) PCM

  •   恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開(kāi)發(fā)制定相變存儲(chǔ)器 (Phase Change Memory,PCM) 產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格,此新一代存儲(chǔ)技術(shù)可滿足載有大量?jī)?nèi)容和數(shù)據(jù)平臺(tái)的性能及功耗要求,從而幫助多功能手機(jī)及移動(dòng)應(yīng)用、嵌入式系統(tǒng)*、高級(jí)運(yùn)算裝置的制造商應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。制定針對(duì)PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標(biāo)準(zhǔn),將有效簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程并縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間,使制造商能在短時(shí)間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲(chǔ)產(chǎn)品。   相較于
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三星電子和Numonyx將聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代記憶體PCM

  •   6月24日消息,三星電子和Numonyx表示,雙方將聯(lián)合開(kāi)發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術(shù)。   三星電子和Numonyx表示,雙方將合作開(kāi)發(fā)PCM的通用規(guī)范,該技術(shù)有望用于高級(jí)聽(tīng)筒、移動(dòng)電話和電腦設(shè)備中。英特爾和意法半導(dǎo)體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱,PCM讀寫(xiě)速度非常快,但耗電量卻低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。     三星電子和Numonyx還表示,雙方的通用規(guī)范將于今年完成,預(yù)計(jì)明年將推出兼容設(shè)備。
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瞄準(zhǔn)亞洲存儲(chǔ)增長(zhǎng)商機(jī) 恒憶積極開(kāi)拓經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò)

  •   全球非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)導(dǎo)廠商恒憶(Numonyx)今天宣布與益登、聯(lián)強(qiáng)、世平、文曄、東棉、金龍等授權(quán)經(jīng)銷商合作,在中國(guó)大陸地區(qū)銷售恒憶產(chǎn)品,并提供支持服務(wù)。通過(guò)這個(gè)穩(wěn)固的經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò),恒憶在亞洲區(qū)的產(chǎn)品與技術(shù)布局將更加完整,足以滿足亞洲快速增長(zhǎng)的嵌入式與無(wú)線市場(chǎng)需求,尤其是在數(shù)字消費(fèi)電子、通信和手持裝置等領(lǐng)域。   亞洲市場(chǎng)規(guī)模龐大且具備驚人的發(fā)展?jié)摿Γ诤銘浀娜虿季种惺冀K占有關(guān)鍵性地位,中國(guó)大陸及臺(tái)灣地區(qū)更是其中最具代表性、成長(zhǎng)最快、爆發(fā)力最強(qiáng)的市場(chǎng)。根據(jù)iSuppli與Web Feet的研究顯示,2
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SanDisk推出新品瞄準(zhǔn)上網(wǎng)本市場(chǎng)

  •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,正準(zhǔn)備搶攻快速成長(zhǎng)上網(wǎng)本市場(chǎng)的SanDisk,在周二臺(tái)北電腦展上發(fā)布了新款閃存產(chǎn)品。   SanDisk此次推出SDHC閃存記憶卡,以及固態(tài)硬盤(pán)PSSD,共P2及S2兩款產(chǎn)品。SanDisk的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手包括美光、三星電子、海力士等。   SanDisk公司所推出的固態(tài)硬盤(pán),特別適合用于以ARM微處理器為核心的上網(wǎng)本,不過(guò)SanDisk高管指出,該產(chǎn)品也可以用在以英特爾Atom為核心的系統(tǒng)。固態(tài)硬盤(pán)是使用閃存作為儲(chǔ)存媒介,耗電量較傳統(tǒng)硬盤(pán)低。   SanDisk認(rèn)為,閃存芯片速度更快
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龔翊出任恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)部副總裁

  •   全球非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)先廠商恒憶(Numonyx)宣布任命龔翊(Grace Gong)為恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)部副總裁。在加入恒憶前龔翊任飛索半導(dǎo)體(Spansion)嵌入式事業(yè)部亞洲區(qū)副總裁,龔翊的加入將為恒憶帶來(lái)更多針對(duì)亞洲嵌入式市場(chǎng)的經(jīng)驗(yàn)。作為副總裁,她將負(fù)責(zé)恒憶亞洲區(qū)嵌入式產(chǎn)品的銷售與業(yè)務(wù)管理,帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)為亞洲客戶和合作伙伴提供更完善的服務(wù)與支持。   “亞洲在全球嵌入式產(chǎn)品市場(chǎng)具有重要的戰(zhàn)略地位,恒憶致力于提供相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)支持,以滿足嵌入式市場(chǎng)的需求”,恒憶全球嵌入式業(yè)務(wù)
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新型存儲(chǔ)設(shè)備可保存數(shù)據(jù)10億年

  •   科學(xué)家們?nèi)涨把兄瞥鲆环N新型存儲(chǔ)設(shè)備,其最大特點(diǎn)是存儲(chǔ)容量大,保存時(shí)間久.   這種新型存儲(chǔ)設(shè)備其實(shí)就是鐵顆粒被密封在中空的納米管內(nèi),通過(guò)鐵顆粒在納米管內(nèi)來(lái)回穿梭作為一種有效的存儲(chǔ)方式.研究人員表示,這種存儲(chǔ)設(shè)備每平方英寸可 存儲(chǔ)1TB(1000G)數(shù)據(jù),較當(dāng)前存儲(chǔ)技術(shù)更為有效.此外,新設(shè)備的數(shù)據(jù)保存時(shí)間更持久,可長(zhǎng)達(dá)10億年,甚至更久.   相比之下,當(dāng)前的存儲(chǔ)技術(shù)根本無(wú)法將數(shù)據(jù)保持如此之久.例如,普通的閃存技術(shù)只能保存數(shù)據(jù)3至5年.   寫(xiě)在羊皮紙上的《末日手記》(Doomsday Book)
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三星與SanDisk續(xù)簽7年NAND專利許可協(xié)議

  •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,三星電子周三宣布,以更低的許可價(jià)格,與美國(guó)芯片生產(chǎn)商SanDisk續(xù)簽了7年的NAND閃存技術(shù)許可協(xié)議,不過(guò)協(xié)議規(guī)定三星必須向SanDisk供應(yīng)芯片。   三星在提交給韓國(guó)證交所的文件中稱,由于協(xié)議是2家公司內(nèi)部簽署的,無(wú)法透露所有信息,但可以透露的是,許可費(fèi)將是當(dāng)前協(xié)議的1半左右。SanDisk公司董事長(zhǎng)和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示,對(duì)于今天宣布的協(xié)議我們感到非常滿意,此外,繼續(xù)獲得三星閃存芯片可使我們?cè)诳刂瀑Y本支出上擁有更大的靈活性。   新協(xié)
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SanDisk首席執(zhí)行官稱摩爾定律未來(lái)5年后失效

  •   消息稱,閃存產(chǎn)品廠商SanDisk首席執(zhí)行官埃利·哈拉里(Eli Harari)表示,未來(lái)5年后摩爾定律將會(huì)失效.   摩爾定律是英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)1965年提出的,內(nèi)容是:芯片上集成的晶體管數(shù)量每?jī)赡陮⒎环?哈拉里說(shuō),閃存容量在過(guò)去19年中翻了14番,遠(yuǎn)高于摩爾定律,但閃存芯片容量可能還只能再翻兩番.   哈拉里表示,閃存芯片容量將受限于每個(gè)存儲(chǔ)單元的電子數(shù)量.最初,每個(gè)存儲(chǔ)單元的電子數(shù)量數(shù)以百萬(wàn)計(jì),現(xiàn)在已經(jīng)減少到了數(shù)百個(gè).哈拉里
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美硅谷公司開(kāi)發(fā)出數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新技術(shù) 有望取代NAND閃存

  •   美國(guó)硅谷一家公司19日宣布開(kāi)發(fā)出一種新技術(shù),并計(jì)劃利用它來(lái)制造比閃存容量更大、讀寫(xiě)速度更快的新型存儲(chǔ)器。   這家名為“統(tǒng)一半導(dǎo)體”的公司發(fā)布新聞公報(bào)說(shuō),新型存儲(chǔ)器的單位存儲(chǔ)密度有望達(dá)到現(xiàn)有NAND型閃存芯片的4倍,存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的速度有可能達(dá)到后者的5倍到10倍。   NAND型閃存因?yàn)榇鎯?chǔ)容量大等特點(diǎn),目前在數(shù)碼產(chǎn)品中應(yīng)用比較廣泛。但也有一些專家認(rèn)為,NAND型閃存未來(lái)可能遭遇物理極限,容量將無(wú)法再進(jìn)一步提高。“統(tǒng)一半導(dǎo)體”表示,其制造的新型存儲(chǔ)器旨在
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Spansion一季度調(diào)整盤(pán)點(diǎn) 為重組精心準(zhǔn)備

  •   經(jīng)歷了2月35%的大裁員、Spansion Japan申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù),以及易帥風(fēng)波之后,Spansion發(fā)布了截至到2009年3月29日的第一財(cái)季財(cái)報(bào)。   好消息是第一季度的閃存市場(chǎng)具有一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定的價(jià)格環(huán)境,Spansion第一季度凈銷售額為4億美元。由于公司管理層實(shí)行積極舉措來(lái)降低成本,第一季度非GAAP運(yùn)營(yíng)總費(fèi)用為1.12億美元,其中包括1300萬(wàn)美元的重建費(fèi)用,比2008年第一季度減少了約43%。凈虧損為1.12億美元,與2008年同期相比降低了800萬(wàn)美元。截止至2009年第一季度,Spa
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三星發(fā)布30nm工藝moviNAND嵌入式閃存

  •   三星電子宣布已開(kāi)始出貨32GBmoviNAND,這種高密度嵌入式閃存卡采用了先進(jìn)的30nm工藝,適用于高端手機(jī)和其他移動(dòng)消費(fèi)電子設(shè)備。32GB moviNAND首次融合了32Gb NAND閃存芯片和30nm制造工藝,其存儲(chǔ)密度是當(dāng)前40nm16Gb的兩倍。   每一個(gè)32GB moviNAND都有三部分組成,其一是八顆30nm32GbNAND閃存芯片;其二是一個(gè)MMC控制器,符合最新eMMCv4.3規(guī)范,支持縮短啟動(dòng)時(shí)間的加電啟動(dòng)功能和降低功耗的休眠命令;其三是一個(gè)固件,能夠改善處理、存儲(chǔ)大容量數(shù)據(jù)
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東芝全球首家出貨32nm工藝閃存

  •   東芝昨天宣布,于業(yè)界首家開(kāi)始出貨32nm工藝NAND閃存顆粒。其中,全球首顆32nm工藝32Gb(4GB)NAND單芯片樣品即日起出貨,主流容量16Gb(2GB)顆粒樣品將于今年7月推出。東芝表示,首批32nm NAND閃存將主要用于存儲(chǔ)卡和USB存儲(chǔ)設(shè)備,未來(lái)會(huì)擴(kuò)展到嵌入式產(chǎn)品領(lǐng)域。   目前,東芝是全球領(lǐng)先的32GB閃存供應(yīng)商,使用8顆43nm工藝32Gb顆粒堆疊而成。而32nm工藝的應(yīng)用將進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率,減小芯片體積,適應(yīng)更高容量,更小巧的掌上產(chǎn)品需求。   東芝的32nm工藝32Gb
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恒憶推出針對(duì)汽車(chē)和嵌入式應(yīng)用的工作電壓為5伏的NOR閃存

  •   恒憶近日宣布公司正在擴(kuò)展其主流NOR閃存產(chǎn)品線,其中包括恒憶™ Axcell™ M29F閃存產(chǎn)品。此器件工作電壓為5伏,非常適合汽車(chē)和嵌入式應(yīng)用。該款NOR閃存的密度為16Mb、8 Mb、4 Mb及2 Mb,具有快速存儲(chǔ)執(zhí)行、靈活及穩(wěn)定等特性,適合于汽車(chē)、軍工、工廠自動(dòng)化及航天應(yīng)用。   汽車(chē)及嵌入式應(yīng)用需要高質(zhì)量、高可靠性及高穩(wěn)定性的器件供給——有些要求達(dá)5年,或甚至更長(zhǎng)。然而,大多數(shù)存儲(chǔ)器供應(yīng)商趨于最新更新的技術(shù),這些關(guān)鍵產(chǎn)品生產(chǎn)通常會(huì)斷斷續(xù)續(xù),這
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靈活應(yīng)變 創(chuàng)新領(lǐng)航——恒億CTO兼副總裁Edward Doller

  •   由于全球性金融危機(jī),很多公司正經(jīng)歷前所未有的艱難時(shí)期。恒億(Numonyx)2008年5月成立,前身是Intel和ST的內(nèi)存部門(mén)。公司自成立之初,就成為全球三大閃存供應(yīng)商之一,最大的無(wú)線通信MCP(多芯片封裝,可融合多種內(nèi)存技術(shù))供應(yīng)商。迄今為止,恒億財(cái)務(wù)狀況良好,2008年4季度速動(dòng)比率*達(dá)到2以上,在同行中居領(lǐng)先地位。 Edward Doller 恒億CTO兼副總裁   恒億的策略是給客戶提供一套完整的解決方案,包括NOR、NAND、RAM和新一代存儲(chǔ)技術(shù)——PCM
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閃速存儲(chǔ)器硬件接口和程序設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)

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