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小間距QFN封裝PCB設(shè)計串?dāng)_抑制分析
- 一、引言 隨著電路設(shè)計高速高密的發(fā)展趨勢,QFN封裝已經(jīng)有0.5mm pitch甚至更小pitch的應(yīng)用。由小間距QFN封裝的器件引入的PCB走線扇出區(qū)域的串?dāng)_問題也隨著傳輸速率的升高而越來越突出。對于8Gbps及以上的高速應(yīng)用更應(yīng)該注意避免此類問題,為高速數(shù)字傳輸鏈路提供更多裕量。本文針對PCB設(shè)計中由小間距QFN封裝引入串?dāng)_的抑制方法進(jìn)行了仿真分析,為此類設(shè)計提供參考。 二、問題分析 在PCB設(shè)計中,QFN封裝的器件通常使用微帶線從TOP或者BOTTOM層扇出。對于小間距的QFN
- 關(guān)鍵字: QFN PCB
DFN和QFN封裝板級應(yīng)用手冊
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: ONSemiconductor公司 DFN QFN
NIS6111無鉛封裝(QFN)板安裝手冊
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: ONSEMICONDUCTOR NIS6111 QFN 無鉛封裝
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