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qspi nand flash 文章 最新資訊

NAND Flash缺翻天 三星推品牌記憶卡與民爭(zhēng)食?

  •   2009年NAND Flash缺貨缺翻天,三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余,不但對(duì)飽受缺貨之苦的存儲(chǔ)器模塊廠袖手旁觀,還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產(chǎn)品來搶食客戶飯碗,到底葫蘆里是賣什么藥?業(yè)界相當(dāng)好奇!而原本應(yīng)該站在反對(duì)立場(chǎng)的大客戶創(chuàng)見,這次卻成為三星自有品牌記憶卡的代理商,究竟整起故事的來龍去脈為何?連同業(yè)都有霧里看花之感,只能說三星2009年真的是新人事、新作風(fēng),每一步都讓業(yè)界跌破眼鏡!   與三星做生意的客戶都知道,2009年不論在DRAM或是N
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NAND Flash強(qiáng)勢(shì)不墜 模塊廠9月營(yíng)收將再寫新高

  •   NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲(chǔ)器的帶動(dòng),32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元,存儲(chǔ)器模塊廠9月營(yíng)收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動(dòng)下,預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高,同時(shí)第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營(yíng)收續(xù)創(chuàng)歷史新高,創(chuàng)見也受惠歐洲市場(chǎng)買氣回籠,9月預(yù)計(jì)可達(dá)新臺(tái)幣30億~35億元水平,威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下,9月營(yíng)收預(yù)估可達(dá)35億~40億元,勁永9月營(yíng)收也將維持高檔不墜。   NAND Flash現(xiàn)貨
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三星DRAM芯片停止對(duì)臺(tái)供貨

  •   三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)上任,營(yíng)運(yùn)策略出現(xiàn)不少重大轉(zhuǎn)變,將影響存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)生態(tài),三星日前決定全面停止對(duì)臺(tái)銷售DRAM芯片,一律只銷售DRAM模塊。存儲(chǔ)器廠表示,三星策略明顯側(cè)重OEM市場(chǎng),減少與現(xiàn)貨客戶合作,就連NAND Flash芯片供貨策略,亦同樣以消費(fèi)性電子大廠為優(yōu)先,尤其近期PC廠對(duì)于DRAM模塊需求強(qiáng)勁,三星供應(yīng)臺(tái)灣DRAM模塊數(shù)量大減,市場(chǎng)日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價(jià)。   存儲(chǔ)器業(yè)者指出,三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
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NAND Flash強(qiáng)勢(shì)不墜 模塊廠9月營(yíng)收將再寫新高

  •   NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲(chǔ)器的帶動(dòng),32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元,存儲(chǔ)器模塊廠9月營(yíng)收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動(dòng)下,預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高,同時(shí)第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營(yíng)收續(xù)創(chuàng)歷史新高,創(chuàng)見也受惠歐洲市場(chǎng)買氣回籠,9月預(yù)計(jì)可達(dá)新臺(tái)幣30億~35億元水平,威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下,9月營(yíng)收預(yù)估可達(dá)35億~40億元,勁永9月營(yíng)收也將維持高檔不墜。   NAND Flash現(xiàn)貨
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數(shù)據(jù)中心和企業(yè)IT需求將推動(dòng)SSD增長(zhǎng)六倍

  •   據(jù)iSuppli 公司,雖然2009 年面向筆記本電腦的固態(tài)硬盤(SSD)銷售因?yàn)閮?nèi)存價(jià)格飛漲而受挫,但企業(yè)市場(chǎng)對(duì)彌補(bǔ)上述領(lǐng)域的疲軟表現(xiàn)是綽綽有余,從而推動(dòng)今年整體SSD 市場(chǎng)的營(yíng)業(yè)收入將增長(zhǎng)六倍。   第二季度NAND 閃存的成本大幅上升,引起SSD 價(jià)格跳漲,使其與硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)相比缺乏競(jìng)爭(zhēng)力,并影響其在筆記本電腦中的普及。 NAND 閃存是SSD 中的關(guān)鍵部分,約占其價(jià)值的90%。然而,對(duì)于尋求擴(kuò)展功能和降低整體功耗的企業(yè)數(shù)據(jù)中心來說,SSD 仍然是一個(gè)具有吸引力的選擇。   由于企業(yè)
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IC資本支出依然謹(jǐn)慎 供應(yīng)收緊價(jià)格上漲

  •   分析師指出,資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場(chǎng)供應(yīng)收緊,價(jià)格可能隨之上漲,但可能會(huì)發(fā)生其他不可預(yù)料的結(jié)果。   IC Insights總裁Bill McClean稱,今年半導(dǎo)體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%,創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)歷了嚴(yán)重衰退后,對(duì)資本投入依然比較謹(jǐn)慎。   “我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說道,“我們從來沒有遇到過這種情況。”   資本支出比例在2008年為16%,2004年至2007年均在20%至
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東芝Sandisk計(jì)劃明年啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片

  •   據(jù)業(yè)者透露,東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計(jì)劃要在明年下半年開始采用20nm級(jí)別制程來量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能,直至達(dá)到20萬片的產(chǎn)能水平。   東芝公司最近已經(jīng)開始32nm制程3bpc(每存儲(chǔ)單元3bit數(shù)據(jù))閃存芯片的量產(chǎn),按原先的計(jì)劃,合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產(chǎn)量應(yīng)在今年底前達(dá)到總產(chǎn)量的50%左右,不過按目前的產(chǎn)能規(guī)劃來看,實(shí)際的量產(chǎn)實(shí)施時(shí)間看來已經(jīng)會(huì)有所拖延。   另一方面,對(duì)手In
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NAND Flash缺貨潮11月前無解 大廠產(chǎn)能全被包下

  •   蘋果意外在9月初向NAND Flash大廠下訂單,導(dǎo)致NAND Flash供給大幅吃緊,預(yù)計(jì)在2009年11月底之前,缺貨情況仍無解。現(xiàn)在三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)產(chǎn)能都被蘋果包下來,另外存儲(chǔ)器模塊龍頭大廠金士頓(Kingston)則是包下英特爾70%的NAND Flash產(chǎn)能,雙方成為長(zhǎng)期合作伙伴,顯示未來全球4大NAND Flash廠能釋出的產(chǎn)能相當(dāng)少,缺貨潮將延燒到11月。   存儲(chǔ)器業(yè)者表示,這次NAND Flash缺貨潮相
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DRAM廠和模塊廠誤判情勢(shì) DDR2供貨吃緊

  •   2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際,各廠紛紛壓寶氣勢(shì)如虹的DDR3氣勢(shì),DDR2飽受冷板凳之苦許久,然現(xiàn)在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn),DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故,市場(chǎng)意外出現(xiàn)缺貨聲浪,DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢(shì),導(dǎo)致現(xiàn)在DDR2庫(kù)存過低,南亞科副總白培霖即指出,DDR2在10月之后,缺貨問題將更明顯浮上臺(tái)面,且由合約價(jià)蔓延至現(xiàn)貨價(jià),屆時(shí)1Gb DDR2現(xiàn)貨價(jià)格將看到2美元。   近期市場(chǎng)傳言,三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價(jià)格壓在1.7美
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手機(jī)內(nèi)建NAND Flash風(fēng)潮

  •   手機(jī)搭載記憶體分為2種形式,第1是外接快閃記憶卡,第2是內(nèi)建NAND Flash記憶體。隨著消費(fèi)者對(duì)于利用手機(jī)下載多媒體影音、照片、游戲等需求日益提升,對(duì)于記憶體容量的需求更是越來越高。   過去只流行數(shù)位相片的時(shí)代,NAND Flash容量可能只要1GB或2GB即相當(dāng)夠用,但數(shù)位影片的風(fēng)氣盛行后,這樣的低容量產(chǎn)品已無法滿足消費(fèi)者的需求,因此除了外接快閃記憶卡之外,內(nèi)建NAND Flash記憶體的風(fēng)潮已開始發(fā)酵,從最早內(nèi)建4GB和8GB容量記憶體,現(xiàn)在內(nèi)建記憶體容量已提升至16GB和32GB。  
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全球IC市場(chǎng)V形反彈已啟動(dòng) 增長(zhǎng)勢(shì)頭將延續(xù)至2011年

  •   市場(chǎng)研究公司IC Insights表示,今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長(zhǎng)98%和67%,其他產(chǎn)品的業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)也十分健康,這說明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。   從今年1月到7月,IC市場(chǎng)銷售額增長(zhǎng)了43%,DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長(zhǎng)61%、57%和50%。   爆炸式的增長(zhǎng)率當(dāng)然也與今年1月半導(dǎo)體市場(chǎng)業(yè)績(jī)達(dá)到此輪衰退的最低點(diǎn)有關(guān)。   “IC產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇并不會(huì)是緩慢的,而是V形增長(zhǎng),目前上升周期已經(jīng)開始。”IC Insights分析師
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三星NAND Flash供貨臺(tái)廠銳減50%

  •   近日三星電子(Samsung Electronics)緊急通知臺(tái)系存儲(chǔ)器模塊廠,9月對(duì)于臺(tái)廠NAND Flash供貨量將銳減50%,迫使部分存儲(chǔ)器模塊廠大老板緊急前往韓國(guó)調(diào)貨;無獨(dú)有偶地,美光(Micron)日前亦告知客戶無貨可供應(yīng),加上原本供貨量有限的東芝(Toshiba)和海力士(Hynix),目前NAND Flash產(chǎn)能呈現(xiàn)嚴(yán)重不足。存儲(chǔ)器業(yè)者透露,主要是蘋果(Apple)iPhone和iPod不斷追加訂單,加上手機(jī)大廠內(nèi)建NAND Flash容量倍增,使得NAND Flash產(chǎn)能幾乎被消費(fèi)性大
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存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情

  •   DRAM價(jià)格趨于穩(wěn)定,1Gb容量提前在9月初站上1.7美元,臺(tái)廠面對(duì)這樣美好的光景,心中還是有些疑慮,擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會(huì)從中作梗,破壞DRAM價(jià)格漲勢(shì),然現(xiàn)在蘋果(Apple)強(qiáng)勁追加NAND Flash訂單,且隨著智能型手機(jī)價(jià)格平民化的趨勢(shì),未來內(nèi)建高容量存儲(chǔ)器普及,都讓各界相當(dāng)看好2010年NAND Flash市場(chǎng)前景,三星在喜迎蘋果大單之余,也無暇與臺(tái)系DRAM廠廝殺,暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。   2009 年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)觸
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Flash M25P64驅(qū)動(dòng)開發(fā)與應(yīng)用

  • M25P64是一款8 M字節(jié)串行Flash存儲(chǔ)器。利用其諸多特性可為大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)提供一種解決方案。介紹了M25P64的主要特點(diǎn),工作原理,驅(qū)動(dòng)程序的開發(fā)以及典型應(yīng)用實(shí)例。在其典型應(yīng)用實(shí)例中,基于SPI接口的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
    系統(tǒng)能簡(jiǎn)單有效穩(wěn)定運(yùn)行。
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基于CCS的DSP片外Flash直接燒寫設(shè)計(jì)

  • 要可靠啟動(dòng)DSP系統(tǒng)中用戶代碼,關(guān)鍵是Flash正確可靠燒寫。提出了一種基于CCS簡(jiǎn)單、容易理解的直接燒寫方法。通過恰當(dāng)設(shè)置COFF代碼段,保存運(yùn)行地址必需的DATA,以在線編程的方式將保存的DATA燒寫到外部Flash中。采用TMS320C6711 DSP試驗(yàn)板,對(duì)Flash燒寫上電加載后,DSP能夠正確、穩(wěn)定的運(yùn)行。給出了直接燒寫方法,操作簡(jiǎn)便,容易掌握,為DSP系統(tǒng)中Flash的燒寫提供了一條有效解決途徑。
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