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qspi nand flash 文章 最新資訊

NAND和NOR flash詳解

  •            NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 　　
  • 關鍵字： NAND NOR flash   

TMS320C64x的16-bit Flash加載的可行性分析與實現

  • 　　l 引言 　　在仿真環境下調試DSP板程序之后，還有一項重要的工作要做：怎樣實現程序代碼的脫機加載。TMS320C6000系列DSP提供了3種引導方式：不加載、HPI加載以及Flash (ROM)加載。實際應用中，多采用外接Flash來加載程序代碼。此種方法簡單、靈活、成本低，因而受到廣大工程技術人員的青睞。由于開發的DSP系統應用板最終要脫離仿真器獨立運行，而TMS320C64x系列DSP本身不帶這樣的存儲體，掉電后程序及數據就會丟失。這就需要1個能在斷電后保存程序及初始化數據的存儲體。Flash
  • 關鍵字： TMS320C64x Flash  

分析師稱NAND閃存市場可能再次面臨崩潰

  • 　　在最近發生了產品種類短缺和平均銷售價格走平之后，NAND閃存市場可能會再一次崩潰。 　　據Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱，全球最大的NAND閃存買主蘋果計算機公司在12月和1月期間減少了三種類型NAND閃存芯片的采購。現在NAND閃存還沒有殺手應用。這些因素都會對NAND閃存市場產生影響。 　　Mok稱，蘋果在2006年就曾采取過同樣的減少采購的行動，導致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應量超過了需求的70%和價格的下降。 　　這位分析師稱，雖然自從2
  • 關鍵字： NAND 閃存 芯片   

內存產業2008年再纏斗 戰線不斷擴大

  • 　　快閃內存產業的發展在2007年有點出乎各界意料，整個產業的高點反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統的消費性電子產品旺季出現，反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下，可說是一團混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢，雖然大家對于「寒流」來襲，都已有心理準備，但仍是不敢大意。 　　TRI觀點： 　　2007年內存產業的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個事件，就是Samsun
  • 關鍵字： 內存  NAND  Flash  MCU和嵌入式微處理器  

基于USB息線的MC68HC908JB8 Flash在線編程

  • 本文采用USB接口的ICP方法，燒寫速度快，無需專用的電平轉換芯片，硬件通過微處理器JB8的USB接口與計算機USB口連接即可。
  • 關鍵字： Flash  USB  908  JB8    

Gartner:08全球半導體設備開支將降9.9%

  • 　　據市場研究公司Gartner最新發表的研究報告稱，2008年全球半導體設備開支預計將達到403億美元，比2007年的448億美元減少9.9%。 　　Gartner半導體生產事業部副總裁KlausRinnen稱，2007年的特點是DRAM內存不顧供過于求的現實繼續加大投資、NAND閃存開支增速減緩和代工廠商恢復開支的狀況令人失望。在2008年，我們預計隨著DRAM內存市場將糾正資本開支的長期錯誤，半導體主要設備市場的開支將減少。代工廠商開支增長速度減緩和由于擔心美國經濟衰退而采取的謹慎態度都是造成20
  • 關鍵字： 半導體  NAND  閃存  IC自動測試設備  ATE  

供大于求 明年NAND閃存市場難以復蘇

  • 　　比特網(ChinaByte) 12月27日消息(羽人 編譯) 據國外媒體報道，內存模塊制造商消息人士稱，NAND閃存市場仍將處于供大于求的局面，這不僅對現貨市場造成了影響，而且還影響了12月份中下旬的產品合同價格。 　　12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同價格下降了13-25%，平均為3.48美元，而16Gb MLC芯片的價格下跌了21-25%，至6.52美元，而SLC芯片由于限制了的產量，價格沒有出現大幅滑落。 　　NAND閃存合同價格的下降，主要是由于蘋果每年戰略性削減其12月份的NAND
  • 關鍵字： NAND  閃存市場  存儲器  

2008：巨型晶圓廠初露鋒芒

  • 　　以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷售價格(ASP)自去年年初以來經歷了令人震驚的下滑。隨著現貨價格與合約價格不斷創下新低，價格壓力充斥著整個上一季度。由于價格走低，對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預測數字顯示出我們當前正處在黎明前的黑暗階段，一個巨大而不斷增長的市場即將出現。某些預測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節增長至2011年的33.5萬億兆字節。 　　大舉擴產NAND閃存 　　低價同時也推動了需求的增長，使得部分廠商出現供給不足。以東芝(To
  • 關鍵字： DRAM  Flash  三星  MCU和嵌入式微處理器  

采用AVR Flash微控制器的電動車窗防夾系統

  • 　　汽車上可自動關閉的電動車窗或車門設備潛藏著卡死，擠壓以及可能傷人的危險。它們必須能夠反向移動以防止馬達所施加的力超出正常限制。這種特性意味著必須持續監視速度、電流和玻璃的位置。 　　由于成本和簡化的原因，本文所描述的系統使用普通的帶有霍爾效應傳感器的刷式馬達。基于速度和扭矩導數的檢測算法已通過健壯性和容錯性的驗證。該算法可用于所有帶有A/D 轉換器和通過變化引發中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理，Atmel網站上的應用筆記有關于實現的詳細描述。 　　現代
  • 關鍵字： AVR  Flash  微控制器  汽車電子控制裝置  

NAND Flash進軍NB/PC應用領域 借以擴大市占率

  • 　　拓墣產業研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場發表研究報告指出，2008年起，除了由原手持式消費電子產品將繼續大量采用NAND Flash作為儲存裝置外，NAND Flash將通過NB與PC的采用，以混合式硬盤或固態硬盤(SSD)的產品型態，逐步擴大市場占有率，市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。 　　拓墣表示，NAND Flash在過去幾年快速擴充產品應用領域，從2004年產品應用比例最高的數碼相機，到2006年MP3 Pla
  • 關鍵字： NAND  Flash  SSD  MCU和嵌入式微處理器  

iSuppli調低08年半導體預期

  • 　　市場研究機構iSuppli以全球經濟不景氣為由，調低了2008年全球半導體市場銷售收入預期，不過對于整個市場形勢仍持樂觀態度。 　　據國外媒體報道，iSuppli的最新預期顯示，2008年全球半導體銷售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評估數據)增長7.5%，而iSuppli今年9月份預測的增幅為9.3%，預期增幅減少了1.8個百分點。 　　iSuppli表示，2008年半導體市場將受到了能源成本上升的不利影響，美國經濟2008年的預期并不樂觀，而美國經濟的影響力自然會波及全球
  • 關鍵字： 半導體  芯片  NAND  半導體材料  

東芝推出首個對應多值技術的大容量NAND閃存

  • 　　東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個對應多值技術的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業內最大級別128Gb的SSD(Solid State Drive：固態硬盤)產品，主要用于計算機。計劃2008年第一季度出貨，并同時開始量產。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國拉斯維加斯召開的世界最大規模的家電展中亮相該新產品。 　　目前的SSD，采用高速雙值NAND閃存，和HDD相比，高速、體積輕，但也存在容量小、成本高的問題，目前還沒有真正普及。因此，搭載可以提高每個器件容量的普及型多值NAND的S
  • 關鍵字： 嵌入式系統  單片機  東芝  NAND  閃存  

對MC68HC908內Flash在線編程的一種方法

  • 本文以MC68HC908QY4為例，詳細分析如何利用監控ROM程序實現對單片機片內Flash的在線編程和應用。
  • 關鍵字： Flash  908  MC  68    

基于FPGA的串行Flash擴展實現

  • 　　1 引言 　　FPGA憑借其方便靈活、可重復編程等優點而日益被廣泛應用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優點，在眾多領域中也獲得了廣泛應用。在現代數字電路設計中。經常需要保存大量數據，而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉，可在線電擦寫，信息在掉電后不會丟失，因此成為設計人員的首選。 　　2 M25P80的介紹 　　Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大，速度快;而串行Fl
  • 關鍵字： 嵌入式系統  單片機  FPGA  Flash  串  MCU和嵌入式微處理器  

DRAM市場基礎繼續惡化 預計08年資本開支下滑超過30%

  • 　　Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據三星日前的報告，我們分析2008年上半年DRAM內存市場基礎繼續惡化，大多數DRAM供應商，尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現大幅削減。” 　　預計2008年，DRAM領域的資本開支將下滑超過30%，原來預計下降20%。這將導致總體內存資本開支減少10-12%。 　　在DRAM市場經歷了漫長的低迷之后，該市場仍然存在嚴重的供過于求情況。“這主要由于按容量計
  • 關鍵字： 嵌入式系統  單片機  DRAM  三星  NAND  EDA  IC設計  
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qspi nand flash介紹

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