- IGBT實在BDMOS型功率場效應管的基礎上發展起來的。在VDMOS結構的漏極側N+層下，增加一個P+層發射極而行程pn，如圖1-31所示，就構成IGBT。
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IGBT 基本結構
- IGBT的靜態特性包括伏安特性、轉移特性和靜態開關特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，不同的是，控制參數是柵源電壓，而不是基極電流。...
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IGBT 靜態特性
- IGBT的保護措施，主要包括過壓保護和過流保護兩類。使用中，對于IGBT因關斷而產生的開關浪涌電壓，可以采用適當的緩沖回路抑制它，使器件免于損壞。...
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IGBT 電路圖
- 逆變器中的開關元件選用VMOS或IGBT時，組成的充電電路，比用晶閘管作開關元件的充電電路的工作頻率高。
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VMOS IGBT 逆變充電 電路圖
- IGBT芯片技術含量極高，制造難度非常大，其研發、制造、應用是衡量一個國家科技創新和高端制造業水平的重要標志。
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IGBT
- 由綜合放大電路板（ZHFD）產生的輸出信號被送入SG3526，產生PWM脈沖，此信號與反饋信號進行邏輯運算后送入HL403B厚膜驅動器，當IGBT產生過流、短路故障時，借助于IGBT內部的短路、欠飽和、軟關斷、降柵壓保護功能，保護信號通過光...
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IGBT 驅動 保護電路
- 圖示出電源主電路，V1—V4組成橋式逆變器，兩端并聯RCD吸收支路，L為限流電感，Co為儲能電容，Lo用于限制Co對負載氙燈的放電電流，保護氙燈。圖全橋型IGBT電源主電路圖...
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全橋型 IGBT 電源
- 無論是目前還是今后．雙聲道立體聲仍將是家庭高保真放音的主要方式并將一直廣泛地為發燒友所采用，它不會因SACD和DVD-Audio高質量多聲道系統的出現而消亡。這是因為雙聲道系統簡單，調整和使用方便，系統成本低而音質相當高...
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電子管 RC 有源分頻器
- RC橋式正弦振蕩電路RC橋式正弦振蕩電路如圖6.2所示。其中R1、C1和R2、C2為串、并聯選頻網絡，接于運算放大器的輸出與同相輸入端之間，構成正反饋，以產生正弦自激振蕩。R3、RW及R4組成負反饋網絡，調節RW可改變負...
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RC 橋式 正弦振蕩
- 三階RC有源低通濾波器電路圖計算公式為截止頻率F=1/（WR1C1），R1=R4=2R2=2R3，C1=10C.
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三階 RC 有源低通 濾波器
- RC串并聯選頻網絡振蕩電路斷開RC串并聯網絡，測量放大器靜態工作點及電壓放大倍數。(3)接通RC串并聯網絡，并使電路起振，用示波器觀測輸出電壓uO波形，調節Rf使獲得滿意的正弦信號，記錄波形及其參數。(4)...
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RC 串并聯 選頻網絡 振蕩電路
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