- 阻變式存儲器(RRAM)技術的領導者Crossbar公司今日宣布正式進軍中國市場，并在上海設立新的辦事處。
Crossbar公司首席執行官George Minassian博士表示：“中國是電子行業發展最快的市場，亦是絕大多數產品的制造基地。憑借我們在中國深厚的風投實力和資源、新成立的本地辦事處以及行業領先的技術，我們相信將在中國消費電子、企業、移動、工業和物聯網等市場掀起新一輪電子創新浪潮。此外，我們近期與中芯國際已達成合作，將我們的嵌入式技術用于中芯國際40nm甚至更高工藝，有望使
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- 中芯國際(SMIC)已經是國內最大、最先進的晶圓代工廠，除了處理器之外他們也在積極謀劃存儲類芯片業務。2014年9月份他們推出了自己開發的38nm NAND閃存芯片，日前中芯國際又跟Crossbar公司達成了戰略合作協議，將使用40nm工藝為后者代工RRAM阻變式存儲器芯片，意味著中芯國際已經進入了下一代內存產業。
RRAM阻變式存儲器也被稱為相變內存，RRAM使用一種或者多種含硫化物玻璃制成，其特點就是受熱之后可以改變形狀，成為晶體或者非晶體，而不同狀態具有不同電阻值，因此可以用來儲存數據。
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- 中芯國際集成電路制造有限公司(簡稱“中芯國際”)，中國內地規模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業，與阻變式存儲器(RRAM)技術領導者Crossbar，今日共同宣布雙方就非易失性RRAM開發與制造達成戰略合作協議。
作為雙方合作的一部分，中芯國際與Crossbar已簽訂一份代工協議，基于中芯國際40納米CMOS制造工藝，提供阻變式存儲器組件。這將幫助客戶將低延時、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲器組件整合入MCU及SoC等器件，以應對物聯網、可穿戴設備、平板電腦、消費
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- 繼 Crossbar 在先前 IEDM 2014(IEEE International Electron Devices Meeting)發表了他們在電阻式記憶體(Resistive RAM, RRAM、ReRAM)的最新成果之后，Sony 也與合作夥伴 Micron 發表了自 2011 年首度公開 RRAM 試作品后的最新試作品結果。
在 RRAM 的合作關系中，Sony 與 Micron 各自扮演了重要角色;Sony 持有 RRAM 的技術，Micron 則是目前記憶體制造業的大廠。在今年的
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- 阻變存儲器RAM(RRAM)是一種可以用于PC和移動設備的內部存儲器，相比現在的閃存，它的速度快上許多，讀寫時還非常節能。今天，加州一家技術公司Crossbar宣布研發出全新電阻式RAM技術，可以在一顆比郵票還小的單芯片中存下1TB的數據，這意味著未來電子產品的存儲密度將極大地提高，同時RRAM的寫入性能比目前最好的NAND芯片還快上20倍，讀寫時的功率僅為1/20。
取決于不同的設備，RRAM可以將設備電池壽命延長數周、數月甚至數年，使用壽命也10倍于NAND，可以說是一種完美的高速存儲器。C
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