- 3月19日早間消息(齊鳴)愛立信和意法半導體在周一宣布，雙方將關閉移動芯片合資公司意法-愛立信。同時在全球范圍內裁員約1600人，剩余員工將轉崗至愛立信和意法半導體。
根據重組方案，在合資公司意法-愛立信關閉后，愛立信將接手LTE芯片設計、研發及銷售方面的資產，意法半導體將接手其他所有產品，以及部分組裝及測試工廠，而剩余的資產將被徹底關閉。
在員工安置方面，愛立信將接收主要位于瑞典、德國、印度和中國的1800名員工，而意法半導體將接收主要位于法國和意大利的950名員工。
有業內人士指
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ST 芯片
- 繼凱明之后，又一家TD-SCDMA芯片企業倒下，而此時國內TD用戶已超過1億戶，離TD-LTE 4G牌照發放的“黎明時間”還只有幾個月。愛立信和意法半導體昨天宣布，將關閉移動芯片合資企業意法-愛立信，一些產品線將被關閉。其中愛立信將接受合資公司1800名職員的轉崗，主要為瑞典、德國、印度和中國的職員，并獲得4G移動芯片產品線。
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意法半導體將接手除LTE多模超薄modem以外的現有產品及其相關業務，以及部分組裝和測試設施。同時，雙方將啟動意法&b
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ST TD
- 3月18日晚間消息，愛立信和意法半導體周一宣布，雙方將關閉移動芯片合資公司意法-愛立信(ST-Ericsson)，此舉將涉及在全球范圍內裁員1600人。
意法-愛立信成立于2009年，主要致力于開發移動寬帶芯片，但實際表現并不令人滿意。在美國市場，意法-愛立信不敵高通。在亞洲市場，意法-愛立信又面臨著無生產線芯片設計公司(fabless)的強勁挑戰。到目前為止，意法-愛立信累計虧損27億美元，僅去年就虧損7.49億美元。
合資公司關閉后，愛立信將接手LTE芯片(包括2G、3G和4G多模)設
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ST 3G
- 意法愛立信公司(ST Ericsson)宣布執行長拉慕西(Didier Lamouche)請辭，在此同時，兩大股東意法半導體集團和愛立信公司都想撤出這個不斷虧損的半導體合資事業。
意法愛立信今天宣布，拉慕西將在本月底卸下這家無線晶片合資事業的總裁和執行長職務，另謀高就，但未透露更多細節。意法半導體集團(STMicroelectronics NV)另外發出聲明表示，這位現年53歲的法國人也辭去在意法半導體的職務。
前任意法半導體營運長的拉慕西，2011年11月銜命接下意法愛立信3年內第3任執
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ST 平板電腦
- 意法半導體宣布該公司已于2013年3月4日向美國證券交易委員會提交了截至2012年12月31日的公司年度Form 20-F 年報，在公司網站www.st.com上可以查看Form 20-F報告和審計后的完整財務報表。
關于意法半導體
意法半導體(STMicroelectronics;ST)是全球領先的半導體解決方案供應商，為客戶提供傳感器、功率器件、汽車產品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節能技術，到數字信任和數據安全，從醫療健身設備，到智能消費電子，從家電、汽車，到辦公設備，從工作到
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- 前言PHILIPS授權：廣州周立功單片機發展有限公司為汽車電子產品線（含CAN-bus、汽車防盜器RFID、汽車傳感器）中...
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CAN-bus 現場總線 電梯控制
- 意法半導體近日于美股盤后公布2012年第四季財報：營收年減1.3%至21.62億美元，稍高于彭博社調查預估的21.2億美元。不過，由于意法半導體去年12月10日決定退出與愛立信(Ericsson)合資的無線通訊事業，該公司當季因此認列了5.44億美元的商譽與其它實質資產價值減損，致使凈損由前季的0.11億美元擴大至4.28億美元。
意法半導體表示，在與愛立信分道揚鑣之后，將把營運重心放在汽車用感測器、電源管理，以及嵌入式處理器產品的發展上。
展望本季度，意法半導體預估，在與愛立信拆伙后本季
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ST 電源管理
- 1月31日消息，意法半導體今日公布截至2012年12月31日的第四季度財報和全年財報。數據顯示，意法半導體四季度營收21.6億美元，運營虧損7.3億美元，凈虧損4.28億美元。
2012年全年營收84.9億美元，同比下降12.8%。凈虧損11.6億美元。
意法半導體預計2013年第一季度收入環比降低大約7%，上下浮動3.5個百分點。第一季度毛利潤率預計約31.4%，上下浮動2.0個百分點。
意法半導體稱，歸屬意法半導體的財務狀況凈值繼續保持穩健，調賬后，考慮到需要承擔50%的ST-E
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ST 嵌入式處理
- 電力線通信總線技術（PLC-BUS）是一種高穩定性及較高價格性能比的雙向電力線通信總線技術，它主要利用已有的...
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- 在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上，產業組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術藍圖現在直接跳過了20nm節點，直接往14nm、接著是10nm發展。
根據SOI Consortium執行總監Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現差不多，F
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ST FD-SOI 10nm
- 12月13日，意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術平臺的研發上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節點提供平面全耗盡技術的能力。在實現極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術的投產可解決這一挑戰，滿足多媒體和便攜應用市場的需求。
FD-SOI技術平臺包括全功能且經過硅驗證的設計平臺和設
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ST 晶圓 FD-SOI
- 一、PLC-BUS系統概述1.PLC-BUS技術電力線通信總線技術（PLC-BUS）是一種具有高穩定性及較高價格性能...
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PLC-BUS 智能家居 控制系統
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