- 相變內存(Phase Change Memory，PCM)是近年來內存業界熱門研發主題之一，針對此一新式內存技術發展趨勢與廠商專利現況，工研院IEK-ITIS計劃發表最新研究報告指出，臺灣地區已有不少廠商投入該技術的研發，相較于FeRAM與MRAM，在PCM領域發展機會較大。 工研院IEK-ITIS計劃分析師陳俊儒表示，相變化材料在1970年代開始有重量級的公司投入研究資源，但受限于當時半導體工藝技術，相變化材料在2000年以前的商業應用還是以光盤片為主
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- Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁體層并不是單純的鐵磁板。相反，它們是合成的反鐵磁體(synthetic antiferromagnet，SAF)三明治結構，由兩個反向對準的鐵磁材料層以及兩層材料之間所夾的一層非磁性材料耦合隔層而組成。圖2示出了一個SAF位單元。SAF三明治結構產生磁致電阻效應的能力并不會因為它的混合式結構而受到影響。對準和反對準只取決于MTJ結構兩側相對的兩層材料。將兩層板材組成SAF，就可以讓每層板變成“磁矩平衡”—凈外磁場為零
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0702_A MR2A16A MRAM 消費電子 雜志_技術長廊 存儲器 消費電子
- 摘要： Freescale運用自旋電子技術制作了新的非易失性RAM，本文對此進行了詳細介紹。關鍵詞： MRAM；自旋電子；位線；字線
在半導體業界，微處理器是一種更有魅力，利潤更高，而且更難以設計的產品，而內存芯片在推動半導體技術向前發展的過程中則會起到關鍵性的作用。Intel早期的成功，來源于其1970年推出的、當時業界第一款DRAM芯片，1kb的1103。兩年后，1103成為業界銷售情況最好的內存芯片，在很多新的系統設計中取代了磁芯存儲器。DRAM在過去的歲月中成為半導體技術發展
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