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提高用于高溫環(huán)境和電負(fù)載的薄膜電阻的性能
- 摘要:可提高焊點(diǎn)在高工作溫度下可靠性的無(wú)鉛合金非常適用于汽車電子或特殊應(yīng)用。薄膜電阻的端接和結(jié)構(gòu)采用了一些最新的增強(qiáng)技術(shù),使設(shè)計(jì)者能夠使用這些大批量市場(chǎng)的器件,加上最新的焊錫配方,用更低的成本組裝出在惡劣環(huán)境下工作的設(shè)備。 關(guān)鍵詞:高溫環(huán)境;電負(fù)載;薄膜電阻;Vishay 隨著無(wú)鉛技術(shù)的成熟,目前已經(jīng)出現(xiàn)了可以用在高達(dá)140~150℃焊點(diǎn)溫度下的高溫焊錫合金,而且不會(huì)損失可靠性。一個(gè)例子是囊括了材料供應(yīng)商、器件供應(yīng)商和汽車系統(tǒng)開發(fā)商的Innolot項(xiàng)目,該項(xiàng)目成功開發(fā)出了包含SAC合金和用
- 關(guān)鍵字: Vishay 薄膜電阻 201009
業(yè)界推出首款采用緊湊0805封裝的0.5W檢流電阻
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款表面貼裝Power Metal Strip電阻 --- WSLP0805。該器件是業(yè)界首款采用緊湊的0805封裝的0.5W檢流電阻,具有10mΩ~50mΩ的超低阻值范圍,高溫性能高達(dá)+170℃。 WSLP0805的小尺寸使其能替代更大的檢流電阻,節(jié)省電路板上的空間,從而為消費(fèi)者創(chuàng)造出更小、更輕的產(chǎn)品。該電阻適用于計(jì)算機(jī)的DC-DC電源、筆記本電腦的VRM、鋰電池充電管理中的電流檢測(cè),以及包括引擎控
- 關(guān)鍵字: Vishay 0805封裝 檢流電阻
Vishay的新款長(zhǎng)邊接頭厚膜電阻可有效提高系統(tǒng)可靠性
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列長(zhǎng)邊接頭厚膜貼片電阻 --- RCL e3。新電阻的外形尺寸為0612和1218,功率等級(jí)高達(dá)1.0W,可耐受高溫循環(huán)。 RCL0612 e3和RCL1218 e3通過(guò)了AEC-Q200 Rev. C認(rèn)證,其寬大的端頭實(shí)現(xiàn)了高功率耗散。在密集堆疊的PCB板上,器件的小尺寸可節(jié)約空間,實(shí)現(xiàn)更多的溫度循環(huán),從而提高汽車電子系統(tǒng)和其他通用電子系統(tǒng)的可靠性。 RCL e3系列的容差為1%和5%,TCR為±1
- 關(guān)鍵字: Vishay 厚膜電阻 RCL
Vishay推出小尺寸功率SMD LED器件系列
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小尺寸PLCC2 Plus封裝的功率SMD LED --- VLMx51系列,該系列LED具有高光通量和非常低的結(jié)至環(huán)境熱阻,可用于各種照明應(yīng)用。 VLMR51、VLMK51、VLMY51和VLMW51器件采用高發(fā)光效率的InGan和AllnGaP硅上技術(shù),具有8.5lm~30.6lm的光通量和2850mcd~9750mcd的發(fā)光強(qiáng)度。這些LED具有低至100k/W的極低結(jié)至環(huán)境熱阻,功率耗散高達(dá)738mW,從而使驅(qū)動(dòng)電
- 關(guān)鍵字: Vishay SMD LED
Vishay推出用于3D電視配套眼鏡的紅外接收器
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款針對(duì)與3D電視機(jī)配套使用的LCD快門眼鏡而專門開發(fā)的紅外接收器 --- TSOP75D25和TSOP35D25,擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。表面貼裝的TSOP75D25和TSOP35D25紅外接收器可以裝進(jìn)主動(dòng)式3D眼鏡里,接收來(lái)自電視機(jī)的紅外信號(hào),確保眼鏡的LCD快門能夠恰當(dāng)?shù)赝介_啟和關(guān)閉,從而產(chǎn)生3D效果。 接收器的載波頻率設(shè)定為25kHz,這個(gè)頻率比標(biāo)準(zhǔn)的遙控系統(tǒng)要低,有助于規(guī)避來(lái)自電視和機(jī)頂盒遙控器的可能干擾。由于電
- 關(guān)鍵字: Vishay 3D電視 紅外接收器
Vishay發(fā)布用于在線流媒體產(chǎn)品演示視頻中心的新登錄頁(yè)面
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,在公司網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上發(fā)布了在線流媒體產(chǎn)品演示視頻中心的新登錄頁(yè)面。視頻中心的新首頁(yè)按照產(chǎn)品分類進(jìn)行設(shè)計(jì)和布局,使設(shè)計(jì)者能夠迅速找到各種技術(shù)的演示視頻。 Vishay公司的產(chǎn)品在線視頻演示可幫助客戶了解在其應(yīng)用中使用Vishay公司技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。根據(jù)產(chǎn)品類型,新的登錄頁(yè)面提供了多個(gè)視頻分類,包括電容器/電感器、光電子/顯示、電阻和半導(dǎo)體。 頁(yè)面還包括Vishay公司的“Su
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Vishay 推出業(yè)界最小的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET --- Si8800EDB,該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度,可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。 隨著便攜式產(chǎn)品變得愈加小巧,器件的尺寸成為選擇器件的重要因素,因?yàn)榘存I和電池占用了大部分空間,使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和
- 關(guān)鍵字: Vishay MOSFET
Vishay推出新款PIN光敏二極管和NPN平面光敏三極管
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, 推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的新款VEMD25x0X01高速硅PIN光敏二極管和VEMT25x0X01 NPN平面光敏三極管,擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。器件采用1.8mm的鷗翼式和倒鷗翼式表面貼裝封裝,光探測(cè)器可檢測(cè)到可見(jiàn)光和近紅外輻射,采用2.3mmx2.3mmx2.8mm的緊湊占位。 今天發(fā)布的器件針對(duì)儀表、汽車和打印機(jī)應(yīng)用中的光幕、微型開關(guān)、編碼器和光遮擋器進(jìn)行了優(yōu)化,探測(cè)器可在接近探測(cè)應(yīng)用中探測(cè)可見(jiàn)光和紅外發(fā)射源。
- 關(guān)鍵字: Vishay 光敏三極管
Vishay推出具有75V電壓等級(jí)的固鉭貼片電容器
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)界首類具有高達(dá)75V的工業(yè)電壓等級(jí)的固鉭貼片電阻器 --- T97和597D,增強(qiáng)了該公司TANTAMOUNT® 高可靠性電容器的性能,擴(kuò)大其在高壓固鉭貼片電容器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 數(shù)十年來(lái),50V電壓成了固鉭貼片電容器中額定電壓的極限。2008年,Vishay引入63V電壓等級(jí),打破了這個(gè)性能障礙。現(xiàn)在,Vishay在這個(gè)專利技術(shù)基礎(chǔ)上更進(jìn)一步,發(fā)布了業(yè)界首款75V固鉭貼片電容器。 憑借在“R
- 關(guān)鍵字: Vishay 電容器 TANTAMOUNT
Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω,柵極電荷減小為48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。 這三款器件的低導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗,從而在各種應(yīng)用的功率因數(shù)校正(PFC)升壓電路、脈寬調(diào)
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Vishay Siliconix推出新款ThunderFET 功率MOSFET
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用針對(duì)更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET?功率MOSFET --- ThunderFET? SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下就能導(dǎo)通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5m?、6.7m?和5.9m?的超低導(dǎo)通電阻。在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下,該器件的典型導(dǎo)通電
- 關(guān)鍵字: Vishay MOSFET SiR880DP
vishay介紹
威世(VISHAY)集團(tuán)成立于1962年,總部位于美國(guó)賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團(tuán)通過(guò)科技創(chuàng)新和不斷的并購(gòu), 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無(wú)源電子器件制造商之一。目前集團(tuán)已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國(guó)家,其中中國(guó)大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團(tuán)被美國(guó)財(cái)富雜志評(píng)為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計(jì)算機(jī) [ 查看詳細(xì) ]
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