目前主流手機的運行內存基本上都是LPDDR4（帶寬17-25.6GB/s），以及過渡時期的LPDDR4X（帶寬34GB/s），存儲閃存為EMMC5.1和UFS2.1。然而隨著5G網絡的普及，對手機性能需求越來越高，LPDDR5運存（帶寬51.2GB/s）和UFS 3.0閃存即將到來。

LPDDR4標準發布于2014年8月份了，標準名為“JESD209-4”，電壓相比LPDDR3的1.2V降低至1.1V；而在LPDDR5未到來的過渡時期，宏旺半導體ICMAX推出的LPDDR4X內存技術上跟LPDDR4內存相同，只不過電壓可低至0.6V（LPDDR4X Vddq電壓從1.1V降至0.6V，Vdd2電壓保持1.1V不變），進一步降低了功耗，降幅可達40%。

補充說明下：以ICMAX的技術為例，該公司的LPDDR4內存可以運行于2133MHz的頻率，在2 x 16bit的雙通道配置下，數據傳輸速率可達到4266 MT/s。ICMAX在這里解釋一下，MT/s意思是megatransfers/s，也就是說MT/s（每秒兆比特）中文解釋為百萬次/秒，由于HT總線是雙向傳輸，所以換算成我們平時所熟悉的MHz需要除以2。

LPDDR5、UFS3.0

對比目前比較牛叉的LPDDR4X 2133MHz（雙通道，即為最強的4266MT/s的頻率），LPDDR5 速度上從LPDDR4X 4266MT/s提升到了6400MT/s，此外，LPDDR5內存芯片相較LPDDR4X，功耗還減少了30%。手機端的LPDDR5 3200MHz（6400MT/s）顯然是比PC端強很多，要知道主流PC端大多數機器基本上還停留在DRR3 1866MHz、和DDR4 2400MHz，現在的智能手機價格也不比電腦便宜多少啊。

而UFS3.0的標準規范，為單通道帶寬提升到11.6Gbps，理論最大速度約2.9GB/s，相較于目前旗艦機普遍采用的UFS 2.1直接翻番。此外，UFS 3.0使用2.5V VCC電壓降低功耗，支持最新NAND Flash技術；溫度范圍也從-25至85℃擴展為- 40度至105℃，若在手機上實現商用，便可避免在極高、低溫環境下，手機停止工作的情況。

說明下，ICMAX LPDDR4X最新的技術已經可以實現單顆8GB運存的支持了，在運行內存方面，從電壓來看，LPDDR5<lpddr4x<lpddr4<lpddr3< strong="">；因此LPDDR4X比LPDDR4更省電，發熱低，LPDDR4比LPDDR3更省電，發熱低。在存儲空方面，UFS3.0>UFS2.1>UFS2.0>EMMC5.1>EMMC5.0>EMMC4.5，其中EMMC5.1使用比例占多數，在電子產品中是主流。

目前受成本限制，像驍龍600和700系列都是使用EMMC5.1存儲，只有800系列才用UFS存儲，當然也有例外，有些驍龍670、710也會搭配使用UFS2.1存儲。今年底高通將發布驍龍865處理器，將支持UFS 3.0閃存及LPDDR5X內存，商用時代即將到來。