總部位于美國的第三大DRAM供應商美光可能會被排除在英偉達的首批第六代高帶寬內存（HBM4）供應鏈之外，預計英偉達、AMD等公司下一代AI芯片的HBM4供應將由韓國企業三星、SK海力士瓜分。但也有觀點認為美光被排除在初始供應鏈之外的可能性很低，因為英偉達正在尋求使其HBM4市場的供應商多元化。半導體分析公司SemiAnalysis將美光在英偉達下一代AI芯片Vera Rubin的HBM4市場份額下調至0%，“目前沒有跡象表明英偉達向美光訂購HBM4”，并預測SK海力士將占據英偉達HBM4供應的70%份額，
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人工智能競賽的最大贏家是誰？人工智能超級周期正在重塑半導體和電子產業，人工智能基礎設施的大規模建設讓整個供應鏈承壓。集邦咨詢的預估數據顯示，盡管英偉達等人工智能加速器研發企業正借人工智能熱潮賺得盆滿缽滿，但存儲芯片廠商才是最大的獲利者。究其原因，除大宗商品市場的運行規律外，存儲芯片廠商與芯片代工廠的商業模式、擴張策略存在本質差異，是造就這一結果的關鍵。需求激增，供應告急集邦咨詢預測，2026 年全球芯片代工市場營收預計為 2187 億美元，而 3D NAND 閃存和 DRAM 動態隨機存取存儲器的營收總額
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美光科技在新加坡為一座全新的先進晶圓制造工廠舉行奠基儀式，借此擴大其在亞洲的生產布局，以應對人工智能驅動下持續激增的存儲芯片需求。該晶圓廠將建于美光現有的 NAND 閃存制造園區內，是美光在美國本土以外規模最大的長期投資項目之一。這一項目清晰傳遞出頭部存儲芯片廠商的長期戰略布局方向：深耕先進 NAND 閃存技術、推動研發與制造深度融合、打造地理多元化的供應鏈體系，為人工智能及數據中心相關系統提供支撐。240 億美元十年投資，打造新加坡首座雙層晶圓廠該新工廠規劃十年總投資約 240 億美元，最終將建成約 7
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1月最后一個交易日存儲價格突然受到AI需求可能緊縮的影響出現暴跌，雖然這波行情可能屬于短期震蕩，但這還是為很多存儲廠商亮麗的年報蒙上一層陰影
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美光新加坡工廠預計將于 2028 年下半年投產晶圓。
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近日有傳聞稱，美光科技可能將其已停產的1y納米制程技術授權給力積電。若消息屬實，此舉將助力力積電在DDR4量產方面取得更大進展。 據公開信息顯示，力積電與美光科技于1月17日簽署了一份獨家意向書（LOI，Letter of Intent）。根據協議，美光科技將以18億美元現金收購力積電位于中國臺灣苗栗縣銅鑼的P5晶圓廠的廠房及廠務設施（不包括生產相關機器設備）。此外，雙方還將建立長期的晶圓代工合作關系，專注于DRAM先進封裝領域。同時，美光科技將協助力積電在其新竹P3廠優化現有的利基型DRAM制
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財聯社1月19日訊（編輯 趙昊）美光科技高管最新表示，存儲芯片的短缺情況在過去一個季度明顯加速，并重申由于AI基礎設施對高端半導體需求激增，這一緊缺狀況將持續到今年以后。當地時間周五（1月16日），美光科技全球運營執行副總裁Manish Bhatia在接受采訪時表示：“我們當前看到的短缺情況，確實是前所未有的。”——這一表述也與美光上月做出的預測相呼應。Bhatia在最新的講話中指出，用于人工智能加速器的HBM（高帶寬存儲）“消耗了整個行業大量可用產能，導致傳統行業領域——例如智能手機和個人電腦——出現巨
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隨著美光準備于1月16日動工紐約大型晶圓廠，公司對全球記憶市場的前景仍備受關注。Wccftech援引美光移動與客戶端業務部市場副總裁Christopher Moore的話，強調鑒于晶圓廠擴建和認證流程的復雜性，持續的內存短缺不太可能在2028年前緩解。新Fabs緩慢以緩解供應緊張美光的謹慎前景與其長期擴張路線圖相符。據 syracuse.com 稱，公司在紐約的首家工廠計劃于2030年建成，第二家工廠預計2033年，第四家工廠預計于2045年建成。與此同時，預計2027年開始生產愛達荷
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2026 年 1 月 7 日，愛達荷州博伊西市 —— 美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今日宣布推出美光 3610 NVMe? SSD，這是業界首款面向客戶端計算的 PCIe? 5.0 QLC SSD。這一突破性產品重新定義了主流 PC 和超薄筆記本電腦的性能、效率和容量。3610 SSD 基于久經市場考驗的美光 G9 NAND 打造，順序讀取速率高達 11,000 MB/s，順序寫入
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美光剛剛發布了3610 SSD，該SSD支持PCIe 5.0速度，采用了更高密度的四層單元（QLC）芯片。根據公司新聞稿，該芯片采用了G9 NAND，使其能夠在同等占用空間內實現競爭性的PCIe 5.0性能。因此，美光表示這是全球首款以緊湊單面M.2 2230形態提供4TB內存的固態硬盤，使制造商能夠在輕薄筆記本和掌上設備中集成更多內存。除了更高的存儲密度外，它還被宣傳為每瓦性能提升43%，以提升電力效率和電池續航。美光移動與客戶業務部高級副總裁Mark Montierth表示：“3610 SSD結合了最
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美光宣布了一款面向客戶端計算的PCIe Gen5 G9 QLC SSD。基于美光G9 NAND構建的3610 NVMe SSD實現了最高11,000 MB/s的連續讀取速度和9,300 MB/s的連續寫入速度。它提供4TB單面M.2 2230機型，適合超薄筆記本和具備AI功能的設備。它提供150萬IOPS隨機讀取和160萬IOPS隨機寫入。它采用無 DRAM 架構，采用主機內存緩沖區（HMB）和 DEVSLP 低功耗狀態，聲稱與第四代 TLC 相比，每瓦性能提升了 43%。它在三秒內加載200億參數的AI
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汽車計算大會（Automotive Computing Conference，ACC）?—?美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）近日宣布，其車用通用閃存（UFS）4.1?解決方案的認證樣品已開始向全球客戶出貨。該產品旨在為下一代車輛提供快速的數據訪問、卓越的可靠性，以及強化的功能與網絡安全性能。美光車用?UFS 4.1?提供高達?4.2 GB/s?的帶寬，是前代產品的兩倍。這一性能優勢可提升?AI?模型的數
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紐約州錫拉丘茲——美光科技在今天公開的一份報告中表示，該公司將在克萊的前兩家芯片制造工廠的開業時間推遲兩到三年。這意味著第一家工廠要到美光于 2022 年宣布計劃在紐約中部建設八年后才會開業。美光今年早些時候表示，第一家制造工廠或晶圓廠計劃于 2028 年年中開業。現在開放時間已推遲到 2030 年底。該公司在今天發布的該項目最終環境報告中表示，第二座晶圓廠的完工已從 2030 年底推遲到 2033 年底。環境報告今天被奧農達加縣工業發展局正式接受并公布。接受該報告是美光推進場地準備和建設計劃的關鍵一步。
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隨著AI的蓬勃發展，內存行業的供需進一步緊張，HBM仍然是一項關鍵資源。存儲龍頭三星正致力于重奪主導地位。預計到2026年，HBM3E的平均價格將下降，在其12層HBM3E認證延遲后，三星推出比競爭對手低約30%的降價策略，試圖迎頭趕上。SK海力士于2024年下半年開始量產12層HBM3E，美光則于2025年初成功通過認證，推動了全年強勁的收入和利潤增長。2025年第四季度，三星的12層HBM3E開始向英偉達出貨。盡管該季度的預計出貨量達到數萬片，但相對于其兩大主要競爭對手而言，仍然為時已晚。三星數月來一
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美光宣布推出全球首款192GB SOCAMM2，并正式送樣給客戶，進一步拓展該公司低功耗內存，于AI數據中心的應用版圖。該產品采用美光最新1γ（1-gamma）制程技術，能源效率提升逾20%，并在相同尺寸下提供50%更高容量。SOCAMM2延續美光首代LPDRAM SOCAMM設計，強化帶寬與功耗表現。由于容量擴增，該模塊可使AI推論中首個token生成時間（TTFT）縮短超過80%，大幅提升實時推論效能。在全機柜AI部署架構下，SOCAMM2可支持超過40TB的CPU直連主內存，使其節能優勢更為顯著。
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美光介紹
美光科技有限公司（以下簡稱美光科技）是全球最大的半導體儲存及影像產品制造商之一，其主要產品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進的產品廣泛應用于移動、計算機、服務、汽車、網絡、安防、工業、消費類以及醫療等領域，為客戶在這些多樣化的終端應用提供“針對性”的解決方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導體解決方案的全球領先供應商之 [
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