據報道，美光科技計劃在新加坡興建一座先進晶圓制造廠，未來 10 年投資額 240 億美元，新廠最終將提供 70 萬平方英尺的無塵室空間。美光表示，2028 年下半年投產晶圓，協助美光滿足 AI 及數據密集應用快速發展下，市場對 NAND 閃存日益增長的需求。

美光科技新廠房位于其現有 NAND 閃存制造園區，周二舉行新廠房奠基儀式，新加坡副總理兼貿易與工業部部長顏金勇、新加坡貿易與工業部常任秘書馬宣仁、新加坡經濟發展局局長黎佳明及裕廊集團 CEO 傅美晶出席。

美光科技全球運營執行副總裁 Manish Bhatia 表示，非常感謝新加坡政府，包括新加坡經濟發展局和裕廊集團，這次投資凸顯了美光對新加坡的長期承諾，新加坡是其全球制造網絡的重要樞紐，有助于增強供應鏈韌性。

美光在新加坡本就擁有規模龐大的生產設施，公司 98% 的 NAND Flash 內存是在新加坡廠制造。另外美光正在新加坡建造耗資 70 億美元的先進封裝廠，也位于同一新加坡制造園區內，目前正按計劃推進，預計 2027 年為美光的 HBM 供應作出貢獻。隨著 HBM 成為美光新加坡制造布局的一部分，該公司預計 NAND 閃存和 DRAM 生產之間將出現協同效應。美光將靈活調整新廠的產能提升速度，以適應市場需求。

美光公司稱，對先進晶圓制造廠的投資將創造約 1,600 個工作機會，加上先前宣布的 HBM 先進封裝工廠提供的 1400 個就業崗位，美光此次擴建將總共新增約 3000 個就業機會。這些崗位將專注于晶圓廠的工程和運營，整合 AI、先進機械人和智能制造技術，以提高效率和創新能力。

2026 年 1 月，美光接連發生了多個大動作。16 日，美光位于美國紐約州奧農達加縣克萊鎮的巨型 DRAM 內存晶圓廠正式破土動工。據悉，該項目總投資規模達 1000 億美元，規劃興建多達四座晶圓廠，建成后將成為美國最大的半導體制造基地，并為當地創造約 5 萬個就業機會。該廠預計于 2030 年前后開始投產，并于未來十年逐步提升產能。美光指出，相關投資將有助于實現 40% DRAM 產品于美國本土生產的目標，并強化美國半導體供應鏈韌性。

1 月 17 日，美光與力積電簽署獨家戰略合作意向書，美光將以 18 億美元收購力積電位于苗栗縣銅鑼科學園區的 P5 晶圓廠。這筆交易將為美光提供一座面積約 2.8 萬平方米的現成 12 英寸晶圓生產線潔凈室。美光將在此部署 DRAM 內存生產線，預計從 2027H2 開始為美光 DRAM 晶圓產出帶來有意義的貢獻。此外，美光將和力積電建立 DRAM 先進封裝的長期晶圓代工關系，美光也將協助力積電在新竹 P3 廠精進現有利基型 DRAM 制程技術。

TrendForce 表示，隨著美光科技計劃以 18 億美元收購力積電在銅鑼的廠房，雙方將建立長期的 DRAM 先進封裝代工關系，此次合作將有利于美光科技添加先進制程 DRAM 產能，并提升力積電的成熟制程 DRAM 供應，預估 2027 年全球 DRAM 產業供給將有上調空間。預估美光科技銅鑼項目一期在 2027 年下半年可貢獻的產能，將相當于美光科技 2026 年第四季度全球產能的 10% 以上。