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美光高管稱存儲芯片短缺史無前例 傳統電子也將遭全面擠壓

作者: 時間:2026-01-20 來源:財聯社 收藏

財聯社1月19日訊(編輯 趙昊)科技高管最新表示,情況在過去一個季度明顯加速,并重申由于AI基礎設施對需求激增,這一緊缺狀況將持續到今年以后。

當地時間周五(1月16日),科技全球運營執行副總裁Manish Bhatia在接受采訪時表示:“我們當前看到的情況,確實是前所未有的?!薄@一表述也與上月做出的預測相呼應。

Bhatia在最新的講話中指出,用于人工智能加速器的HBM(高帶寬存儲)“消耗了整個行業大量可用產能,導致傳統行業領域——例如智能手機和個人電腦——出現巨大的供給缺口”。

上月,美光CEO Sanjay Mehrotra在業績電話會上表示,預計到2028年,全球HBM總潛在市場(TAM)的復合年增長率(CAGR)約為40%,將從2025年的約350億美元增長至2028年的約1000億美元。

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Bhatia補充稱,個人電腦和智能手機制造商也已經加入爭奪2026年后供應的行列,與此同時,自動駕駛汽車和人形機器人也將進一步推高對這些元器件的需求。

去年12月, 市場調研機構Counterpoint Research預計,由于內存推高物料清單成本,預計2026年全球智能手機出貨量將下降2.1%。包括戴爾科技在內的廠商也警告稱,持續的內存短缺很可能對其業務造成影響。

在AI熱潮推動下,全球“三巨頭”——美光、SK海力士和三星電子的股價在2025年大幅上漲。其中,SK海力士也表示,其2026年的芯片產能已全部售罄。

為優先保障對英偉達等戰略級企業客戶供貨,美光上月宣布將終止消費者業務Crucial。AI行業對存儲芯片“永不滿足”的需求,也進一步加快了美光在美國和亞洲的產能擴張步伐。

Bhatia在采訪中表示:“我們在亞洲的工廠將持續向下一代技術過渡?!彼€補充稱,新增晶圓產能幾乎將全部布局在美國。先前,美光承諾將其40%的DRAM制造產能轉移到美國本土。


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