隨著全球人工智能浪潮推動資料中心硬體需求激增，美國，存儲芯片巨頭美光科技（Micron Technology）宣布將在新加坡投入高達240億美元，用于建設一座全新的先進半導體制造工廠，以擴大其NAND Flash的生產能力，預計將于2028年下半年投產。

據了解，美光科技此次宣布在新加坡建設的新工廠選址位于美光在兀蘭（Woodlands）現有的制造園區內，240億美元的投資額將在未來10年內分階段完成，預計將新增70萬平方英尺的無塵室（cleanroom）空間，并聚焦NAND Flash芯片的生產。

值得一提的是，美光此前宣布的高帶寬內存（HBM）先進封裝工廠也位于同一新加坡制造園區內，目前正按計劃推進，預計將于2027年為美光的HBM供應做出重要貢獻。隨著HBM成為美光新加坡制造布局的一部分，該公司預計NAND閃存和DRAM生產之間將出現協同效應。

美光公司預計，此次宣布的對于新加坡先進晶圓制造工廠的投資將創造約1600個就業崗位。加上此前宣布的HBM先進封裝工廠提供的1400個就業崗位，美光總共將帶來約3000個新增就業崗位。這些崗位將專注于晶圓廠的工程和運營，整合人工智能、先進機器人和智能制造技術，以提高效率和創新能力。

新加坡目前是美光NAND Flash芯片的主要生產基地。數據顯示，在2026財年的第一季，NAND Flash業務為美光貢獻了創紀錄的27億美元營收，約占該公司總營收的20%。這一數據充分說明了新加坡產能在美光全球業務版圖中的舉足輕重地位。美光科技此次在新加坡的巨額投資，不僅是應對全球AI硬體短缺的戰略舉措，也是對新加坡做為全球半導體制造樞紐投下的信任票。

雖然美光現在新建NAND Flash晶圓廠無法緩解當前市場面臨的“史無前例”存儲芯片短缺問題，但是有助于美光滿足未來AI和數據密集型應用發展所帶來的NAND Flash需求的增長。隨著2028年新廠的投產，預計將進一步推動區域內的技術創新與經濟成長，并在充滿挑戰的全球局勢中，為半導體供應鏈的穩定性提供有力支撐。

自去年下半年以來，由于AI需求爆發，全球DRAM和NAND Flash供應持續緊缺、價格大漲，預計這種情況將會持續到2027年。特別是進入到2026年一季度，前期價格漲幅低于DRAM的NAND Flash產品和合約價格也開始出現大幅上漲，最新傳聞顯示三星NAND Flash一季度的合約價大漲100%。

美光科技全球運營執行副總裁Manish Bhatia表示：“美光在先進內存和存儲領域的領先地位，正在推動人工智能驅動的轉型，重塑全球經濟。我們非常感謝新加坡政府，包括新加坡經濟發展局 (EDB) 和裕廊集團 (JTC)，長期以來的支持和成功的合作。這項投資凸顯了美光對新加坡的長期承諾，新加坡是我們全球制造網絡的重要樞紐，有助于增強供應鏈韌性，并培育充滿活力的創新生態系統。”

而針對當前的市場環境，Sanjay Mehrotra強調，隨著AI技術的不斷擴展，內存和存儲設備已不再僅僅是系統中的普通組件，它們已經轉變為絕對能實現AI潛質的戰略資產。他還指出，NAND Flash芯片能夠達成高性能固態硬盤的運行，這對于改善即時處理能力和提升大數據集的讀寫效率至關重要。相比傳統的HDD硬盤，NAND Flash芯片支持的固態硬盤能提供更快的讀寫速度，這正是當前AI數據中心迫切需要的性能指標。