- 總部位于美國的第三大DRAM供應商美光可能會被排除在英偉達的首批第六代高帶寬內存（HBM4）供應鏈之外，預計英偉達、AMD等公司下一代AI芯片的HBM4供應將由韓國企業三星、SK海力士瓜分。但也有觀點認為美光被排除在初始供應鏈之外的可能性很低，因為英偉達正在尋求使其HBM4市場的供應商多元化。半導體分析公司SemiAnalysis將美光在英偉達下一代AI芯片Vera Rubin的HBM4市場份額下調至0%，“目前沒有跡象表明英偉達向美光訂購HBM4”，并預測SK海力士將占據英偉達HBM4供應的70%份額，
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- 綜合韓媒報道，三星電子和SK海力士在第六代高帶寬內存（HBM4）領域均已掌握16層堆疊封裝技術，并具備量產能力。不過，兩家企業的技術路線存在差異：三星采用非導電薄膜熱壓縮（TC-NCF）技術，而SK海力士則選擇了Advanced MR-MUF（先進模塑底部填充）技術。三星存儲器事業部副社長金載俊（音譯）在2025年第4季法說會上透露，三星已實現基于TC-NCF技術的16層HBM4堆疊封裝技術達到可量產水準，能夠及時滿足客戶需求。韓媒分析稱，這意味著三星在10納米級第六代1c DRAM的16層HBM4封裝工
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- 2 月 2 日消息，據韓媒 ZDNet Korea 報道，高帶寬內存（HBM）的量產節奏正在被重新改寫。傳統半導體產品一般都是先用樣品完成客戶的質量認證測試，通過之后才進入正式量產，但在 HBM 供應鏈上，為了緊跟核心客戶需求，廠商開始在認證結束前就提前投產。當地時間 2 月 1 日的業內消息稱，三星電子與 SK 海力士為了滿足英偉達的 HBM 需求，在測試尚未完全結束的情況下，已經提前啟動 HBM4 量產。SK 海力士在業績說明中明確表示：“HBM4 自去年 9 月建立量產體系以來，正在按照客戶要求的數
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- 三星今年第一季度對NAND閃存的供應合約價格已上調超過100%，目前客戶已收到通知。據行業知情人士透露，三星去年底已經完成了與主要客戶的供應合同談判，從一月起正式實施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產品采取了類似的定價策略；存儲芯片大廠SanDisk也計劃在一季度將面向企業級的NAND價格上調100%。目前，三星已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續。市場研究機構TrendForce的數據顯示，去年第四季度NAND閃存價格漲幅為上一季度的3
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- 援引市場研究機構Omdia的最新調研成果披露，合計占全球NAND產能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進一步加劇NAND供應的短缺。三星產量從2025年的490萬片縮減至468萬片，SK海力士則同步跟進，產能從2025年的190萬片降至170萬片。在英偉達等公司引領的推理人工智能（AI）領域競爭日益激烈的背景下，作為關鍵組件的NAND閃存供應緊張，增加了包括服務器、個人電腦和移動設備在內的所有領域價格持續上漲的可能性。分析師預測，這將對三星電子和SK海力士的
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- 年終獎，64萬人民幣！這是韓國巨頭SK海力士剛剛宣布發給員工的平均年終獎（1.36億韓元）。在大家都在感嘆2025年大環境“寒氣逼人”的時候，這個數字紅得發燙，也顯得格外刺眼。但這筆錢不是大風刮來的，而是AI巨頭們“砸”出來的。為了搶下微軟、谷歌那些不計成本的AI訂單，SK海力士和三星極其默契地實施了一場“產能大挪移”：削減普通消費電子的產能，把資源都押注到利潤豐厚的AI領域。于是，上游的芯片廠在吃肉喝湯，狂發獎金；而下游的手機和PC廠商卻迎來了真正的寒冬。隨著內存成本像坐火箭一樣飆升，擺在它們面前的是一
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- 存儲巨頭在NAND容量擴展上謹慎行事，逐步淘汰MLC（多級單元）等老產品，同時加倍投入先進技術。值得一提的是，在2025年12月舊金山IEDM大會上，SK海力士發布了其尖端的5位NAND閃存，聲稱其讀取速度比傳統PLC（五級單元）快達20×，Blocks & Files報道。據報道，SK海力士的多點小區（MSC）NAND技術將每個3D NAND小區一分為二，提升每個小區的數據容量，同時將電壓狀態數量減少約三分之二。Blocks & Files指出，這一突破展示了SK海力士自2022年起開發
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- 隨著內存供應緊張，行業正將重點轉向面向超大規模企業的高利潤率、前沿產品。傳承、面向消費者的記憶正逐漸走向生命周期末期，2026年將成為關鍵參與者的分水嶺之年。以下是三星、SK海力士和美光如何逐步退出傳統內存市場，轉向英偉達和谷歌等大型科技巨頭的一瞥。三星：告別DDR4和2D MLC NAND了盡管市場傳聞顯示內存領導者可能會因價格飆升推遲DDR4的退出，TrendForce指出三星仍堅定地堅持其終止生命周期計劃。因此，DDR4 供應預計在2026年大幅下降，推動每吉比特價格創歷史新高。與此同時，公司正在逐
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- 隨著整體內存價格飆升和HBM4的臨近，2026年可能成為存儲巨頭的又一個里程碑之年。SK海力士在今日（1月5日）發布的新年致辭中指出，即使HBM4在提升產能，HBM3E今年仍將成為主導產品，預計其將在2026年占HBM總出貨量的約三分之二，而HBM4則逐漸獲得市場支持。SK海力士強調，隨著英偉達推出“Blackwell Ultra”加速器，以及谷歌和AWS等大型科技公司擴展基于ASIC的AI芯片內部開發，HBM3E正日益成為首選記憶。援引瑞銀的言論，公司也表達了信心，有望成為谷歌最新TPU——v7p和v7
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- 路透社——據兩位知情人士周二透露，美國政府已批準三星電子和SK海力士于2026年向其中國工廠引入芯片制造設備，進行年度許可。此次批準對韓國企業來說是暫時的緩解措施，緊隨美國今年早些時候決定撤銷部分科技公司獲得的許可豁免。一位消息人士稱，華盛頓引入了芯片制造工具出口到中國的年度審批制度。三星、SK海力士和臺積電都因華盛頓對芯片相關出口對中國的全面限制而獲得豁免。但所謂的“驗證終端用戶身份”特權將于12月31日結束，這意味著在那之后，美國芯片制造工具運往中國工廠時，將需要美國的出口許可證。三星和SK海力士拒絕
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- 最近，SK海力士完成了與英偉達的HBM4供應價格談判。根據雙方協議，HBM4的最終供應價格定在每顆約560美元，較上一代HBM3E（約370美元）漲幅超過50%。不過，由于HBM4采用更復雜的堆疊技術（如混合鍵合技術），以實現更高的互連密度和更小的節距，因此SK海力士在臺積電生產的HBM4芯片總成本比上一代產品增加了30%。HBM4價格暴漲今年5月，集邦咨詢曾在報告中預測，HBM4溢價幅度將突破30%，但SK海力士與英偉達的這場談判超過了行業最初的預期。SK海力士向英偉達提出的HBM4報價為每顆540~5
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- 在鞏固其在 HBM 領域的領導地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發高帶寬 NAND 閃存 （HBF），該閃存通過 NAND 增強 HBM，用于 AI 推理工作負載。與此同時，據報道，該公司正在探索更廣泛的內存領域：高帶寬存儲 （HBS）。正如 ETnews 報道的那樣，哈佛商學院將移動 DRAM 和 NAND 相結合，以提高智能手機、平板電腦和其他移動設備的 AI 性能。報告援引消息人士解釋說，SK海力士正在將低功耗寬I/O DRAM與NAND堆疊在一起，以創建HBS，它可以堆疊多達16層
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- 英偉達首席執行官黃仁勛時隔 15 年再次到訪韓國參加2025年APEC峰會，期間公布多項新計劃，并深化與韓國主要科技企業 —— 包括現代汽車、三星、SK 集團及 Naver—— 的合作。峰會期間，英偉達與韓國政府宣布擴大合作，旨在提升韓國的人工智能基礎設施及實體人工智能能力。此次合作公布前夕，美國剛與日本、韓國簽署技術合作協議，旨在深化戰略聯系，并加強在人工智能、半導體、量子計算、生物技術及 6G 等新興技術領域的協作。韓國政府于周五宣布，為滿足日益增長的人工智能需求，韓國將采購超過 26 萬塊英偉達最新
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- 隨著AI的蓬勃發展，內存行業的供需進一步緊張，HBM仍然是一項關鍵資源。存儲龍頭三星正致力于重奪主導地位。預計到2026年，HBM3E的平均價格將下降，在其12層HBM3E認證延遲后，三星推出比競爭對手低約30%的降價策略，試圖迎頭趕上。SK海力士于2024年下半年開始量產12層HBM3E，美光則于2025年初成功通過認證，推動了全年強勁的收入和利潤增長。2025年第四季度，三星的12層HBM3E開始向英偉達出貨。盡管該季度的預計出貨量達到數萬片，但相對于其兩大主要競爭對手而言，仍然為時已晚。三星數月來一
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- 據韓媒abcNEWS援引美國當地媒體Lafayette Journal & Courier報道，SK海力士在美國印第安納州西拉法葉市的半導體工廠投資計劃遭遇當地居民強烈反對。這一項目是美國商務部批準的芯片法案支持項目之一，總投資達38.7億美元，美國政府預計將提供最多4.58億美元的補助。工廠將專注高帶寬存儲器（HBM）封裝與AI用半導體后段制程，預計2028年完工。工廠選址位于普渡大學北側，由普渡大學研究基金會所有的土地上。自2025年5月重新分區決議通過后，爭議不斷。當地居民對SK海力士的計劃
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