三星存儲器事業部副社長金載俊（音譯）在2025年第4季法說會上透露，三星已實現基于TC-NCF技術的16層HBM4堆疊封裝技術達到可量產水準，能夠及時滿足客戶需求。韓媒分析稱，這意味著三星在10納米級第六代1c DRAM的16層HBM4封裝工藝中，已實現“可達獲利水準”的良率水平。業界普遍認為，量產良率需超過60%才能達到盈虧平衡點。與此同時，SK海力士也已完成16層HBM4產品的量產準備。相關人士透露，其技術儲備與量產能力均已就緒，可基于10納米級第五代（1b）DRAM快速響應客戶需求。不過當前市場對16層HBM4的需求有限，三星與SK 海力士均表示，實際需求仍以12層產品為主。金載俊指出，考慮到2026年12層第七代高HBM4E的樣品供應規劃，目前并無急迫量產16層HBM4的需求。SK海力士相關人士也表示，若市場需求明確，將迅速啟動生產。在HBM4市場競爭中，三星憑借1c制程實現了11.7Gbps的業內最高傳輸速度。但韓國業界普遍預測，在英偉達首批HBM4訂單中，SK 海力士或拿下50%~60%以上的份額，分析認為其良率表現是維持“第一供應商”地位的核心。目前，SK海力士的HBM3E產品良率已達80%~90%，并計劃通過自研封裝技術將HBM4良率達到類似水平。相比之下，三星HBM用1c DRAM的良率仍停留在50%~60%之間，封裝后的最終良率可能進一步下降。據三星相關人士透露，HBM用1c DRAM的良率尚未突破70%。市場預測，SK海力士將占據HBM4市場過半份額，三星有望實現30%~40%的出貨占比。若三星能在2026年內將HBM4良率提升至80%以上，憑借其效能優勢，仍有機會快速提升市場份額。