三星用于人工智能加速器的 HBM3 與 HBM3E 芯片此前均存在性能問題。為獲得英偉達(dá)的認(rèn)證許可，三星去年不得不對其 HBM3E 芯片進(jìn)行重新設(shè)計。即便如此，這些經(jīng)過改版的 HBM3E 芯片也僅用于英偉達(dá)在中國市場銷售的部分特定人工智能加速器產(chǎn)品中。而如今三星的市場地位得到顯著鞏固，其研發(fā)的 HBM4 芯片據(jù)悉已接近通過英偉達(dá)的認(rèn)證。

三星 HBM4 芯片即將完成英偉達(dá)的認(rèn)證流程，預(yù)計于 2026 年 2 月啟動量產(chǎn)。該款芯片已于 2025 年 9 月送交英偉達(dá)，目前已進(jìn)入最終的質(zhì)量驗證階段。一旦量產(chǎn)啟動，三星不僅將向英偉達(dá)供應(yīng) HBM4 芯片，還計劃為 AMD、谷歌等其他人工智能加速器企業(yè)提供該產(chǎn)品。

HBM 即高帶寬內(nèi)存，這是一種高性能存儲技術(shù)，通過將多顆動態(tài)隨機(jī)存取存儲器芯片垂直堆疊而成。相較于手機(jī)、電腦、服務(wù)器等電子設(shè)備中常用的傳統(tǒng)雙倍數(shù)據(jù)率內(nèi)存或低功耗雙倍數(shù)據(jù)率內(nèi)存，它能實現(xiàn)遠(yuǎn)超前者的帶寬與傳輸速度。不過，高帶寬內(nèi)存芯片的制造工藝極為復(fù)雜，且生產(chǎn)成本高昂。

盡管數(shù)十年來三星一直是全球最大的存儲芯片制造商，但該公司早期并未重視高帶寬內(nèi)存領(lǐng)域的研發(fā)。這一決策使得 SK 海力士、美光等競爭對手得以搶占高帶寬內(nèi)存市場的領(lǐng)先地位。等到三星在第四代（HBM3）和第五代（HBM3E）高帶寬內(nèi)存時代加大研發(fā)投入時，已在該領(lǐng)域處于明顯落后地位。

此后，三星全力推進(jìn)第六代高帶寬內(nèi)存（即 HBM4 芯片）的研發(fā)工作。有相關(guān)報道稱，三星這款 HBM4 芯片的性能優(yōu)于 SK 海力士與美光推出的同類存儲芯片。該芯片預(yù)計將搭載于英偉達(dá)將于今年推出的新一代旗艦級人工智能處理器 Rubin 之上。