- 總部位于美國的第三大DRAM供應商美光可能會被排除在英偉達的首批第六代高帶寬內存（HBM4）供應鏈之外，預計英偉達、AMD等公司下一代AI芯片的HBM4供應將由韓國企業三星、SK海力士瓜分。但也有觀點認為美光被排除在初始供應鏈之外的可能性很低，因為英偉達正在尋求使其HBM4市場的供應商多元化。半導體分析公司SemiAnalysis將美光在英偉達下一代AI芯片Vera Rubin的HBM4市場份額下調至0%，“目前沒有跡象表明英偉達向美光訂購HBM4”，并預測SK海力士將占據英偉達HBM4供應的70%份額，
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HBM4 三星 SK海力士 美光
- 綜合韓媒報道，三星電子和SK海力士在第六代高帶寬內存（HBM4）領域均已掌握16層堆疊封裝技術，并具備量產能力。不過，兩家企業的技術路線存在差異：三星采用非導電薄膜熱壓縮（TC-NCF）技術，而SK海力士則選擇了Advanced MR-MUF（先進模塑底部填充）技術。三星存儲器事業部副社長金載俊（音譯）在2025年第4季法說會上透露，三星已實現基于TC-NCF技術的16層HBM4堆疊封裝技術達到可量產水準，能夠及時滿足客戶需求。韓媒分析稱，這意味著三星在10納米級第六代1c DRAM的16層HBM4封裝工
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三星 SK海力士 HBM4 16層 堆疊封裝
- 2 月 2 日消息，據韓媒 ZDNet Korea 報道，高帶寬內存（HBM）的量產節奏正在被重新改寫。傳統半導體產品一般都是先用樣品完成客戶的質量認證測試，通過之后才進入正式量產，但在 HBM 供應鏈上，為了緊跟核心客戶需求，廠商開始在認證結束前就提前投產。當地時間 2 月 1 日的業內消息稱，三星電子與 SK 海力士為了滿足英偉達的 HBM 需求，在測試尚未完全結束的情況下，已經提前啟動 HBM4 量產。SK 海力士在業績說明中明確表示：“HBM4 自去年 9 月建立量產體系以來，正在按照客戶要求的數
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英偉達 三星 SK海力士 量產 HBM4
- 1 月 28 日消息，據韓聯社報道，在今年圍繞下一代高帶寬內存（HBM）HBM4 供應的競爭讓半導體行業持續升溫之際，業內消息稱，SK 海力士已拿下最大客戶英偉達超過三分之二的訂單量。消息稱英偉達今年用于下一代 AI 平臺“Vera Rubin”等的 HBM4 需求中，約三分之二已分配給 SK 海力士，拿下了接近整體 70% 的供貨份額。這一數據相比此前市場預計 SK 海力士將供應英偉達 50% 以上 HBM4 的水平，明顯有所提升。去年年底，市場調研機構 Counterpoint 預測，今年全球 HBM
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- HBM4的量產最早推遲到第一季度末，TrendForce也因英偉達將其Rubin平臺的引腳速度提升至超過11Gbps，海力士、三星和美光對引腳速度進行了重新設計。據稱，這三家公司都提交了重新設計的樣品。據稱三星采用了比其他公司更先進的工藝，有望在供應Rubin發電產品方面搶占領先推遲上線的原因是對Blackwell持續強勁的需求。據說英偉達提高了B300/GB300的產量，并增加了HBM3e的訂單。
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HBM4
- 隨著整體內存價格飆升和HBM4的臨近，2026年可能成為存儲巨頭的又一個里程碑之年。SK海力士在今日（1月5日）發布的新年致辭中指出，即使HBM4在提升產能，HBM3E今年仍將成為主導產品，預計其將在2026年占HBM總出貨量的約三分之二，而HBM4則逐漸獲得市場支持。SK海力士強調，隨著英偉達推出“Blackwell Ultra”加速器，以及谷歌和AWS等大型科技公司擴展基于ASIC的AI芯片內部開發，HBM3E正日益成為首選記憶。援引瑞銀的言論，公司也表達了信心，有望成為谷歌最新TPU——v7p和v7
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- 最近，SK海力士完成了與英偉達的HBM4供應價格談判。根據雙方協議，HBM4的最終供應價格定在每顆約560美元，較上一代HBM3E（約370美元）漲幅超過50%。不過，由于HBM4采用更復雜的堆疊技術（如混合鍵合技術），以實現更高的互連密度和更小的節距，因此SK海力士在臺積電生產的HBM4芯片總成本比上一代產品增加了30%。HBM4價格暴漲今年5月，集邦咨詢曾在報告中預測，HBM4溢價幅度將突破30%，但SK海力士與英偉達的這場談判超過了行業最初的預期。SK海力士向英偉達提出的HBM4報價為每顆540~5
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- HBM4！SK 海力士又贏了。
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HBM4
- 市場傳聞稱，英偉達已開始開發自己的 HBM 基板晶圓，這一舉動正在供應鏈中引起漣漪，因為它可能重塑下一代 HBM 格局。據《商業時報》報道，該芯片預計將基于 3 納米工藝節點，小批量試生產計劃于 2027 年下半年進行。英偉達的策略和 HBM4 路線圖根據 TrendForce 的分析，這一舉措表明英偉達正朝著定制化 HBM 基板晶圓的方向發展，將 GPU 部分功能集成到基板層中，旨在提升 HBM 和 GPU 系統的整體性能。值得注意的是，根據 TrendForce 的觀察，英偉達將在 2027 年上半年
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英偉達 內存 HBM4
- 美光本周宣布，該公司已開始向主要客戶運送其下一代 HBM4 內存的樣品。適用于下一代 AI 和 HPC 處理器的新內存組件具有 36 GB 的容量和 2 TB/s 的帶寬。美光的首批樣品是 12 層高器件，具有 36 GB 內存，具有 2048 位寬接口以及約 7.85 GT/s 的數據傳輸速率。這些樣品依賴于采用該公司 1? （1-beta） DRAM 工藝技術制造的 24GB DRAM 器件，以及臺積電使用其 12FFC+（2nm 級）或 N5（5nm 級）邏輯工藝技術生產的邏輯基礎芯片。美光最新一代
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- 生成式AI持續爆發，推升高帶寬記憶體（HBM）需求急遽攀升。 全球三大內存廠—美光、SK海力士與三星電子全面投入HBM4戰局，爭搶AI加速器內存主導權。 其中，美光搶先宣布送樣，技術領先態勢明顯。美光12日宣布，已將最新12層堆疊、容量達36GB的HBM4，送樣給多家全球客戶。 該產品采用先進的1β DRAM制程，搭配2048位寬高速接口，單堆疊傳輸速率突破2.0 TB/s，效能較前一代HBM3E提升超過60%，能源效率亦提升逾20%，預計2026年正式量產。美光指出，HBM4具備內存內建自我測試（MBI
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- 三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術，以減少熱量并實現超寬內存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術，EBN 報道。高帶寬內存 （HBM） 將多個存儲器件堆疊在基礎芯片上。目前，HBM 堆棧中的內存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數據、電源和控制信號）連接在一起，并使用模塑底部填充質量回流 （MR-MUF） 或使用非導電膜 （TC-NCF） 的熱壓縮等技術進行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個晶粒內的硅通孔
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- 4月16日，微電子行業標準制定者JEDEC固態技術協會正式發布了備受業界期待的HBM4標準。HBM4標準作為先前HBM3標準的升級版，將進一步提升數據處理速率，同時保持更高帶寬、更高能效及每顆芯片/堆疊的容量等基本特征。HBM4帶來的改進對于需要高效處理大型數據集和復雜計算的應用至關重要，例如生成式人工智能(AI)、高性能計算、高端顯卡和服務器。據介紹，與此前的版本相比，HBM4標準在帶寬、通道數、功耗、容量等多方面進行了改進。具體來看：●增加帶寬：通過2048位接口，傳輸速度高達8Gb/s，HBM4可將
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- 據報道，當地時間4月16日，JEDEC固態技術協會宣布，正式推出HBM4內存規范JESD270-4，該規范為HBM的最新版本設定了更高的帶寬性能標準。據介紹，與此前的版本相比，HBM4標準在帶寬、通道數、功耗、容量等多方面進行了改進。其中，HBM4采用2048位接口，傳輸速度高達8Gb/s，HBM4可將總帶寬提高至2TB/s。 還支持 4 / 8 / 12 / 18 層 DRAM 堆棧和 24Gb / 32Gb 的芯片密度，單堆棧容量可達 64GB。此外，HBM4將每個堆疊的獨立通道數加倍，從16個通道（
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HBM4 存儲技術 存儲芯片
- 創意2日宣布，自主研發的HBM4控制器與PHY IP完成投片，采用臺積電最先進N3P制程技術，并結合CoWoS-R先進封裝，成為業界首個實現12 Gbps數據傳輸速率之HBM4解決方案，為AI與高效能運算（HPC）應用樹立全新里程碑。HBM4 IP以創新中間層（Interposer）布局設計優化信號完整性（SI）與電源完整性（PI），確保在CoWoS系列封裝技術下穩定運行于高速模式。 創意指出，相較前代HBM3，HBM4 PHY（實體層）效能顯著提升，帶寬提升2.5倍，滿足巨量數據傳輸需求、功耗效率提升1
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