市場傳聞稱，英偉達已開始開發自己的 HBM 基板晶圓，這一舉動正在供應鏈中引起漣漪，因為它可能重塑下一代 HBM 格局。據《商業時報》報道，該芯片預計將基于 3 納米工藝節點，小批量試生產計劃于 2027 年下半年進行。

英偉達的策略和 HBM4 路線圖

根據 TrendForce 的分析，這一舉措表明英偉達正朝著定制化 HBM 基板晶圓的方向發展，將 GPU 部分功能集成到基板層中，旨在提升 HBM 和 GPU 系統的整體性能。

值得注意的是，根據 TrendForce 的觀察，英偉達將在 2027 年上半年首先采用標準 HBM4e——由 SK 海力士在臺積電的 12nm 工藝上提供——然后在 2027 年下半年至 2028 年過渡到定制化的 HBM4e 設計，SK 海力士將在臺積電的 3nm 節點上支持生產。

行業影響：從內存到 ASIC

商業時報指出，雖然 SK 海力士目前憑借主要采用自研基礎芯片設計在 HBM 市場占據主導地位，但要實現超過 10Gbps 的 I/O 速率，需要采用先進的邏輯節點，如臺積電的 12nm 或更小的工藝進行基礎芯片制造。

報告補充道，由于內存制造商缺乏復雜的基板芯片 IP 和 ASIC 設計能力，報告中引用的消息人士指出，將 UCIe 接口集成到 HBM4 中以實現 GPU 和 CPU 的直接連接將顯著增加設計復雜性。

在此背景下，《商業時報》報道，英偉達開發自有 HBM 基板的計劃被視為進入 ASIC 市場的戰略舉措——利用 NVLink Fusion 提供更模塊化的解決方案并加強生態系統的控制。

然而，由于 CSP 公司已經投資 ASIC 以減少對英偉達的依賴，該舉措對 ASIC 供應商的實際影響可能有限，報道總結道。

與此同時，《商業時報》援引行業內部人士的話稱，最大的受益者可能是臺積電，其與主要芯片制造商的緊密合作和持續的過程改進使其成為人工智能快速發展的核心。