最近，SK海力士完成了與英偉達的HBM4供應價格談判。根據雙方協議，HBM4的最終供應價格定在每顆約560美元，較上一代HBM3E（約370美元）漲幅超過50%。不過，由于HBM4采用更復雜的堆疊技術（如混合鍵合技術），以實現更高的互連密度和更小的節距，因此SK海力士在臺積電生產的HBM4芯片總成本比上一代產品增加了30%。

HBM4價格暴漲

今年5月，集邦咨詢曾在報告中預測，HBM4溢價幅度將突破30%，但SK海力士與英偉達的這場談判超過了行業最初的預期。SK海力士向英偉達提出的HBM4報價為每顆540~560美元左右，盡管英偉達不愿接受如此高的報價，但最終仍按照SK海力士的提案確定了價格。實際落地價格比市場預期高出10%以上，凸顯出AI算力需求持續爆發下，高端存儲芯片的供需失衡狀況比想象中更為嚴重。

HBM4價格暴漲正深刻影響著AI芯片的成本結構：根據行業數據，HBM4占英偉達下一代GPU（如Rubin架構）總成本的25%，較HBM3E時代的18%大幅提升。而英偉達已通過AI芯片漲價15%來轉嫁部分成本，這一變化將進一步推高AI服務器整機價格，可能抑制中小型企業的算力采購需求。

從技術角度看，HBM4的數據傳輸通道數量達到2048個，是HBM3E（1024個）的兩倍，大幅提升了數據處理速度。另外，HBM4在基底芯片中集成了計算優化和能效管理等邏輯功能。

實際上，市場壟斷地位為SK海力士提供了定價權。當前全球HBM市場競爭格局中，SK海力士以62%的出貨量市場份額占據絕對領先地位，美光科技以21%位列第二，三星電子則以17%位居第三。今年3月，SK海力士就率先向英偉達交付了全球首款HBM4 12層堆棧樣品，6月開始供應初始批次 —— 這種技術領先和市場時機優勢，為其在價格談判中增加了重要籌碼。

有消息顯示，美光的HBM4產品難以滿足英偉達對性能和功耗的要求，可能需要重新設計芯片架構，導致量產延后長達9個月；三星的HBM4則仍在積極提升良率當中，預計明年上半年才能量產。這使得SK海力士成為目前唯一能夠滿足英偉達要求的HBM4供應商，在談判中占據絕對優勢。

三星目標價格瞄準SK海力士

據業內人士透露，英偉達在與SK海力士敲定明年的HBM4供貨合同僅一周后，便邀請三星參與明年HBM4供應的價格談判。目前談判已進入最后階段，預計年內將做出最終決定。

雖然三星此前供應的12層堆疊的HBM3E的單價相對較低，比SK海力士的同類產品低約30%，但是對于12層堆疊的HBM4的供應價格，三星的目標是以英偉達與SK海力士簽訂HBM4供應合同的價格相當，即維持在500美元中段左右，相比之前的HBM3E供應價格提升了超過150%。

一位消息人士解釋說：“三星此前已為英偉達預留了HBM3E芯片，但由于認證延遲，導致產品無法及時出貨，迫使其緊急將產品供應給其他大型科技公司。這部分產品不得不以更低的價格出售，從而拉低了平均單價。” 

值得注意的是，三星正在利用更先進1c DRAM的HBM4的大規模生產，來確保對SK海力士的基于1b DRAM的HBM4的競爭優勢。這或許也是三星要求對英偉達供應HBM4的價格與SK海力士相當的底氣；同時，明年市場對于HBM4的需求已經超過了市場供應，在只有SK海力士和三星具有HBM4量產供應能力的情況下，三星自然不愿意降低單價，即使降價，價格差異也不會很大。

三星最早可能在明年第二季度就開始供應芯片，這將打破SK海力士在上半年壟斷英偉達HBM4供應的格局，并將兩家公司之間的供應差距從半年一次縮小到季度一次。然而，要實現這一愿景，提早實現大規模量產必不可少。目前，三星1c DRAM的HBM4標準良率僅為50%。

為了避免在DRAM領域失去主導地位，提升對于SK海力士的競爭力，三星計劃在明年年底前將其HBM4的1C DRAM產能從目前的每月2萬片晶圓提高到每月15萬片晶圓，以滿足市場對于HBM4的需求。三星官員表示：“如果算上現有成熟工藝線改造為1c DRAM的產能，我們明年每月將能夠分配約15萬個1c DRAM晶圓用于HBM4。”

中國正在加速追趕

面對HBM市場的巨大機遇和技術壁壘，中國存儲產業正在加速追趕。目前，長鑫存儲已實現16nm HBM3量產并供應華為，成為全球第三個具備HBM3量產能力的國家。盡管國產HBM3在層數（8層）和帶寬（6.4Gbps）上落后于SK海力士的12層HBM3E（9.6Gbps），但16nm工藝成熟度已支撐商業化落地。

國家投入超百億資金支持國產HBM發展：在產業鏈協同方面，國產設備廠商（如中微公司的先進封裝設備、賽騰股份的HBM檢測設備）和材料供應商已切入HBM供應鏈，目標2026年市占率突破20%。