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三星 LPDDR6 內(nèi)存規(guī)格揭曉：10.7nm 速度為 12Gbps;據(jù)報(bào)道，著眼于 14 Gbps
- 隨著三星推進(jìn)其 HBM4 時(shí)間表，它也在下一代 DRAM 方面取得了長足的進(jìn)步。CES?和三星的新聞稿顯示，其 LPDDR6 被評為 2026 年移動設(shè)備、配件和應(yīng)用程序類別創(chuàng)新獎獲獎?wù)摺Ｐ鹿嫉囊?guī)格特別指出，12 納米設(shè)計(jì)可提供 10.7Gbps 數(shù)據(jù)速率和擴(kuò)展的 I/O 以實(shí)現(xiàn)更高帶寬——專為數(shù)據(jù)密集型移動、邊緣和設(shè)備上的 AI 工作負(fù)載而構(gòu)建。TechPowerUp?援引三星的話報(bào)道稱，LPDDR6 的能效比 LPDDR5X 提高了 21%，與其帶寬和速度相匹配，同時(shí)功耗減少了約
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Cadence率先推出業(yè)內(nèi)首款LPDDR6/5X 14.4Gbps內(nèi)存IP，為新一代AI基礎(chǔ)架構(gòu)助力
- 楷登電子（美國 Cadence 公司）近日宣布業(yè)內(nèi)首個(gè) LPDDR6/5X 內(nèi)存 IP 系統(tǒng)解決方案完成流片。該解決方案已經(jīng)過優(yōu)化，運(yùn)行速率高達(dá) 14.4Gbps，比上一代 LPDDR DRAM 快 50%。全新的 Cadence? LPDDR6/5X 內(nèi)存 IP 系統(tǒng)解決方案是擴(kuò)展 AI 基礎(chǔ)架構(gòu)的關(guān)鍵驅(qū)動因素。經(jīng)過擴(kuò)展之后，AI 基礎(chǔ)架構(gòu)可以適應(yīng)新一代 AI LLM、代理 AI 及其他垂直領(lǐng)域計(jì)算密集型工作負(fù)載對于內(nèi)存帶寬和容量的需求。在這方面，Cadence 目前正在與領(lǐng)先的 AI、高性能計(jì)算（HP
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JEDEC發(fā)布針對移動和AI的LPDDR6
- JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會 （JEDEC Solid State Technology Association） 宣布發(fā)布最新的低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率 6 （LPDDR6） 標(biāo)準(zhǔn) JESD209-6。JESD209-6 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)將顯著提高一系列應(yīng)用的內(nèi)存速度和效率，包括移動設(shè)備和 AI 系統(tǒng)。新標(biāo)準(zhǔn)代表了內(nèi)存技術(shù)的重大進(jìn)步，提供了增強(qiáng)的性能、能效和安全性。為了實(shí)現(xiàn) AI 應(yīng)用程序和其他高性能工作負(fù)載，LPDDR6 采用雙子通道架構(gòu)，允許靈活作，同時(shí)保持 32 字節(jié)的小訪問粒度。此外，LPDDR6 還提
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JEDEC發(fā)布首個(gè)LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)
- 制定微電子標(biāo)準(zhǔn)的全球機(jī)構(gòu)聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會 （JEDEC） 剛剛發(fā)布了 JESD209-6。本文檔定義了下一代內(nèi)存設(shè)計(jì) LPDDR6，并且是第一個(gè)提到 DDR6 的官方規(guī)范。根據(jù) JEDEC 的說法，LPDDR6 提供了改進(jìn)的性能、更高的能效以及增強(qiáng)的安全性和可靠性。該集團(tuán)推出 DDR5 已經(jīng)五年了，從那時(shí)起的技術(shù)進(jìn)步需要發(fā)布更快的標(biāo)準(zhǔn)，尤其是對于移動設(shè)備和邊緣 AI 應(yīng)用。該組織表示，它通過增加子通道的數(shù)量和減小其大小來提高 LPDDR6 的性能。DDR5 將 DDR4 使用的
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是德科技推出完整的LPDDR6解決方案
- ●? ?面向移動應(yīng)用、客戶端計(jì)算和人工智能應(yīng)用，為?LPDDR6內(nèi)存提供完整的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證解決方案?●? ?支持?JEDEC協(xié)會持續(xù)推廣的?LPDDR6?新內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)●? ?聚焦速度優(yōu)化、能效和可靠性測試，增強(qiáng)性能分析●? ?采用先進(jìn)的基于測量的噪聲補(bǔ)償技術(shù)，實(shí)現(xiàn)卓越的信號完整性是德科技完整的?LPDDR6?測試解決方案，涵蓋帶寬為33 GHz?的UX
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LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)即將敲定：適應(yīng)AI計(jì)算新需求
- 隨著人工智能技術(shù)的廣泛應(yīng)用，移動產(chǎn)品對內(nèi)存性能的需求日益增長，尤其需要相較LPDDR5X更為高效的數(shù)據(jù)處理能力以支撐端側(cè)AI模型的運(yùn)行。一直懸而未決的LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)也進(jìn)入最終的敲定期，預(yù)計(jì)到2025年下半年我們有望看到采用新一代LPDDR6的產(chǎn)品上市。此前有報(bào)道稱，高通第四代驍龍8平臺將支持LPDDR6，以進(jìn)一步提升定制Oryon內(nèi)核的性能。LPDDR6帶來了哪些變化？目前，LPDDR最新的主流版本是LPDDR5（6.4Gbps），于2019年2月發(fā)布。之后，業(yè)界又陸續(xù)發(fā)布了小幅更新、改進(jìn)版的LPDDR
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老對頭三星、SK海力士結(jié)盟！聯(lián)手推動LPDDR6-PIM內(nèi)存
- 12月2日消息，據(jù)韓國媒體報(bào)道， 在全球內(nèi)存市場上長期競爭的三星電子和SK海力士，近日出人意料地結(jié)成聯(lián)盟，共同推動LPDDR6-PIM內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)化。這也意味著兩家公司在面對AI內(nèi)存技術(shù)商業(yè)化的共同挑戰(zhàn)時(shí)，愿意擱置競爭，共同推動行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的制定。雙方合作旨在加速專為人工智能優(yōu)化的低功耗內(nèi)存技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程，以適應(yīng)設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的發(fā)展。隨著設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的興起，PIM內(nèi)存技術(shù)越來越受到重視。PIM技術(shù)通過將存儲和計(jì)算結(jié)合，直接在存儲單元進(jìn)行計(jì)算，有效解決了傳統(tǒng)芯片在運(yùn)行AI算法時(shí)的“存儲墻”和“功耗墻
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 內(nèi)存 LPDDR6
存儲兩旬，迎來DDR6
- 近期，JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會是微電子產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)）除了籌備制定新一代 DDR6 高性能內(nèi)存，還在積極準(zhǔn)備新一代低功耗內(nèi)存 LPDDR6，主要用于智能手機(jī)、輕薄筆記本等。隨著半導(dǎo)體行業(yè)逐步走出下行周期，存儲作為半導(dǎo)體行業(yè)中周期性波動更為明顯的細(xì)分領(lǐng)域，在今年出現(xiàn)較為明顯的復(fù)蘇跡象。DDR6 即將成為下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。存儲 20 年DDR（DDR1）：DDR SDRAM 于 2000 年推出，與其前身 SDR SDRAM（單速率 SDRAM）相比有了顯著的改進(jìn)。與 SDR SDRAM 相比，DDR1 的
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