隨著三星推進其 HBM4 時間表，它也在下一代 DRAM 方面取得了長足的進步。CES 和三星的新聞稿顯示，其 LPDDR6 被評為 2026 年移動設備、配件和應用程序類別創新獎獲獎者。新公布的規格特別指出，12 納米設計可提供 10.7Gbps 數據速率和擴展的 I/O 以實現更高帶寬——專為數據密集型移動、邊緣和設備上的 AI 工作負載而構建。

TechPowerUp 援引三星的話報道稱，LPDDR6 的能效比 LPDDR5X 提高了 21%，與其帶寬和速度相匹配，同時功耗減少了約五分之一。該媒體還指出，未來的 LPDDR6 版本可能會攀升至 14 Gbps，甚至超過最快的超頻LPDDR5X。正如報告所強調的那樣，三星的調諧LPDDR5X已經達到 10.7 Gbps，有效地為 LPDDR6 奠定了起跑線。

報告補充說，更多細節應該會在即將到來的 2026 年 CES 上公布，三星計劃在會上演示運行新內存的設備并詳細介紹其主要功能。

據三星稱，LPDDR6 還帶來了更強大的安全功能來保護數據完整性，將其用例推向移動之外的工業和關鍵任務 AI 應用。

內存巨頭的 LPDDR6 路線圖

三星并不是唯一一家為 LPDDR6 做準備的公司。Wccftech 援引 SK 海力士的路線圖報道稱，該公司正在推出廣泛的 DRAM——從標準 LPDDR6 到以 AI 為中心的“AI-D”解決方案，如 LPDDR5X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R 和第二代 CXL LPDDR6-PIM。報告稱，SK 海力士的 LPDDR6 預計將于 2026 年推出，而 DDR6 可能會在 2029 年至 2031 年之間上市。

美光尚未提供 LPDDR6 的詳細時間，但據報道，在 6 月份的財報電話會議上，該公司標志著一個關鍵的里程碑：根據 Tom's Hardware 的說法，基于 1γ 的 LPDDR5 DRAM 的首次合格樣品出貨。報告補充說，1γ 工藝（美光的第 6 代 10nm 級節點）比 1β 功耗降低 20%，性能提高 15%，位密度提高 30%，一旦良率穩定，就有可能降低生產成本。