我們現在正處于人工智能時代，數據是創新的命脈，而嵌入式 NVM 是一項基石技術，無需使用電源即可保留信息，并支持從 MCU 和物聯網 SoC 到汽車控制器和安全元件的一切。

截至 2025 年 11 月，嵌入式 NVM 發展迅速。邊緣數據激增，人工智能功能登陸 MCU 和 SoC，功耗預算比以往任何時候都更加緊張。內存是我們構建設備的核心。這項調查著眼于 eNVM 在市場、技術和采用方面的現狀，以及它下一步的發展方向。

市場概況和增長

嵌入式新興 NVM，包括 MRAM、RRAM/ReRAM 和 PCM，正在進入 MCU、連接和邊緣 AI 設備的更廣泛采用階段，汽車和工業市場的發展勢頭正在增強。研究公司 Yole Group 表示，到 3 年，嵌入式新興領域將超過 $2030B，這反映了主流工藝節點的更廣泛可用性以及 eFlash 不再適合 ≤28 納米的更強吸引力。

技術進步

嵌入式閃存仍然是基礎，但高級節點的擴展限制已將 MRAM、ReRAM 和嵌入式 PCM 推向前臺。晶圓代工廠和 IDM 正在將嵌入式選項從 28/22 nm 平面 CMOS 擴展到 10-12 nm 級平臺，包括 FinFET。Yole 強調了積極的代工路線圖：臺積電已經建立了大批量 MRAM/ReRAM，并正在為 12 年及以后準備 2025 納米 FinFET ReRAM/MRAM。三星、格芯、聯電和中芯國際正在加速通用MCU和高性能汽車設計中的嵌入式MRAM/ReRAM/PCM。意法半導體作為 IDM 脫穎而出，完全致力于嵌入式 PCM，為工業和汽車 MCU 提供 xMemory 解決方案，18 納米 FD-SOI 將在 2025 年后擴大覆蓋范圍。

同時，BCD 和 HV-CMOS 流程正在整合嵌入式 NVM，作為模擬、電源管理和混合信號設計中 EEPROM/OTP 的實用替代品。在 IP 方面，供應商正在為這些平臺認證嵌入式 NVM 技術，為設計人員提供更多選擇，其中成本、耐用性和保留率超過了傳統選擇。除了代碼和數據存儲之外，使用 eNVM 的內存內/近內存計算概念也越來越受到低功耗邊緣 AI 推理的興趣。

驅動因素、挑戰和用例

汽車仍然是嵌入式新興 NVM 的重心，隨著越來越多的產品投入生產，2025 年安全 IC 和工業 MCU 將顯著增加。在實踐中，ReRAM、MRAM 和 PCM 各有其作用：ReRAM 在多個大批量類別中越來越受歡迎;MRAM 和 PCM 在速度和耐用性占主導地位的地方很有吸引力。這種組合因節點、應用和供應商路線圖而異。

挑戰是熟悉的：在高級邏輯節點上集成 eNVM，權衡耐用性和保留率，獲得汽車級可靠性，并隨著嵌入式代碼和 AI 參數的增長實現具有成本效益的密度。趨勢線是積極的，PDK/IP 可用性不斷增長，容量不斷增加，因此這些問題正在得到解決，而不是推遲。

展望

到 2030 年，嵌入式 NVM 將支持更多片上 AI 功能和實用的內存內/近內存計算塊，并更廣泛地用于邊緣受神經形態啟發的加速器。Yole 的預測表明，嵌入式新興領域現在是增長的主要引擎，以大批量 MCU 和模擬 IC 中的 ReRAM 為首，而 MRAM 和嵌入式 PCM 則在性能關鍵型領域得到鞏固。隨著邊緣數據的增長，eNVM 的作用從“僅存儲”擴展到計算結構的一部分，重新定義了效率，并使嵌入式內存比以往任何時候都更加重要。

底線：到 2025 年，嵌入式 NVM 不僅僅是內存，它還是智能、持久的片上系統的推動者。隨著 MCU 和邊緣 SoC 的加速采用，以及領先晶圓代工廠和 IDM 的清晰路線圖，發展軌跡已經確定：嵌入式內存比以往任何時候都更加重要。通過參加簡短的調查讓我們知道您的意見。