就在美光（Micron）剛剛駁斥“HBM4被擱置”的傳聞后，另一家存儲巨頭三星（Samsung）隨即宣布已啟動HBM4的量產，并開始出貨首批商用產品，在這一關鍵市場中取得先發優勢。根據其新聞稿，三星利用先進的第六代10納米級（1c）DRAM工藝和4納米邏輯芯片制程，從一開始就實現了高良率與峰值性能，無需任何重新設計。值得注意的是，三星強調其HBM4可穩定提供11.7 Gbps的數據傳輸速率，比目前行業主流的8 Gbps標準快約46%。這也比上一代HBM3E（最高9.6 Gbps）提升了1.22倍。此外，公
關鍵字：
三星 HBM
總部位于美國的第三大DRAM供應商美光可能會被排除在英偉達的首批第六代高帶寬內存（HBM4）供應鏈之外，預計英偉達、AMD等公司下一代AI芯片的HBM4供應將由韓國企業三星、SK海力士瓜分。但也有觀點認為美光被排除在初始供應鏈之外的可能性很低，因為英偉達正在尋求使其HBM4市場的供應商多元化。半導體分析公司SemiAnalysis將美光在英偉達下一代AI芯片Vera Rubin的HBM4市場份額下調至0%，“目前沒有跡象表明英偉達向美光訂購HBM4”，并預測SK海力士將占據英偉達HBM4供應的70%份額，
關鍵字：
HBM4 三星 SK海力士 美光
人工智能競賽的最大贏家是誰？人工智能超級周期正在重塑半導體和電子產業，人工智能基礎設施的大規模建設讓整個供應鏈承壓。集邦咨詢的預估數據顯示，盡管英偉達等人工智能加速器研發企業正借人工智能熱潮賺得盆滿缽滿，但存儲芯片廠商才是最大的獲利者。究其原因，除大宗商品市場的運行規律外，存儲芯片廠商與芯片代工廠的商業模式、擴張策略存在本質差異，是造就這一結果的關鍵。需求激增，供應告急集邦咨詢預測，2026 年全球芯片代工市場營收預計為 2187 億美元，而 3D NAND 閃存和 DRAM 動態隨機存取存儲器的營收總額
關鍵字：
存儲芯片 芯片代工 臺積電 三星 海力士 美光 帶寬存儲
隨著存儲芯片價格持續上漲，三星電子與SK海力士有望實現NAND閃存業務毛利率的歷史新高。據ZDNet報道，兩家公司預計將在今年上半年繼續激進上調NAND產品價格，業內預估其毛利率將攀升至40%–50% 區間。ZDNet指出，這將是NAND產品近十年來首次達到如此高的盈利水平——上一次類似盛況還要追溯到2017年的存儲“超級周期”。報道補充稱，早在2025年第四季度，NAND毛利率已升至約20%。報道援引業內人士消息稱，市場普遍預期NAND價格將在第一季度和第二季度分階段持續上漲。由于存儲廠商對N
關鍵字：
三星 海力士 存儲
隨著臺積電正式宣布2nm制程工藝量產，三星電子和英特爾也加入競爭，圍繞大型科技公司的晶圓代工競爭正迎來一個重要的轉折點。英偉達聯手英特爾根據近期行業報告，英偉達以每股23.28美元的價格購入了214,776,632股英特爾股票，總投資額達50億美元 —— 此次收購使英偉達成為英特爾的主要股東，持有約4%的股份。業內人士認為，這筆投資并非簡單的財務決策，而是一項戰略舉措。分析表明，此舉旨在將英特爾的CPU設計技術與英偉達的AI能力相結合，同時為未來在芯片生產領域的合作留下空間。英偉達收購英特爾股份，再次撼動
關鍵字：
晶圓代工 三星 英特爾 臺積電 英偉達 2nm
據韓媒ETNews報道，三星顯示（Samsung Display）正評估擴大面向蘋果折疊屏產品的OLED產能。公司正在審議追加投資，以強化不僅針對蘋果首款折疊屏iPhone、也包括后續機型的生產能力，反映出蘋果對折疊屏產品線日益增長的期待。報道稱，三星顯示正考慮在其位于忠清南道牙山市的A4工廠新增折疊屏OLED生產設備，重點升級包括薄膜晶體管（TFT）產線在內的背板（backplane）。整體擴產方向已確定，待內部審議敲定具體投資規模后，預計將于2026年第二季度啟動資本支出。推動此次擴產的關鍵因素在于，
關鍵字：
三星 OLED
隨著英偉達（NVIDIA）計劃于2026年3月中旬在GTC大會上推出下一代AI加速器“Vera Rubin”，三星與SK海力士在HBM4（第四代高帶寬內存）領域的競爭正引發市場高度關注。據韓聯社（Yonhap News）和《韓國經濟新聞》（Hankyung）報道，三星有望成為全球首家在農歷新年后實現HBM4量產并出貨的廠商，但其初期市場份額預計僅在25%左右。《韓國經濟新聞》援引業內人士消息稱，英偉達已于2025年底初步分配了HBM4的采購份額：SK海力士獲得最大份額，約為55%；三星位居第二，占比約25
關鍵字：
存儲 HBM 三星
綜合韓媒報道，三星電子和SK海力士在第六代高帶寬內存（HBM4）領域均已掌握16層堆疊封裝技術，并具備量產能力。不過，兩家企業的技術路線存在差異：三星采用非導電薄膜熱壓縮（TC-NCF）技術，而SK海力士則選擇了Advanced MR-MUF（先進模塑底部填充）技術。三星存儲器事業部副社長金載俊（音譯）在2025年第4季法說會上透露，三星已實現基于TC-NCF技術的16層HBM4堆疊封裝技術達到可量產水準，能夠及時滿足客戶需求。韓媒分析稱，這意味著三星在10納米級第六代1c DRAM的16層HBM4封裝工
關鍵字：
三星 SK海力士 HBM4 16層 堆疊封裝
三星電子計劃于2026年下半年量產2nm先進晶圓代工工藝，目標減少營業虧損。據證券機構估計，三星晶圓代工部門2025年營業虧損約為6萬億韓元（約合人民幣288億元）。然而，隨著2nm工藝全面投產，預計虧損將縮減至3萬億韓元（約合人民幣144億元）。 在1月29日的2025年第四季度財報會議上，三星電子表示，第二代2nm工藝研發進展順利，已達到良率和性能目標，預計今年下半年實現量產。三星正與主要客戶同步開展性能、功耗和面積（PPA）評估及測試芯片合作，技術驗證按計劃推進。 三星電子正在美
關鍵字：
三星 2nm 晶圓代工
據韓媒 ETNews 報道，三星電機已將其半導體玻璃基板商業化項目從前沿技術研發組織轉移至業務部門。據悉，調整后的半導體玻璃基板項目被劃歸封裝解決方案事業部管理。業內人士透露，此舉表明三星電機正為技術商用化做準備，包括確保核心技術的可用性、量產能力以及市場供貨計劃。半導體玻璃基板被認為是行業下一代關鍵技術，采用玻璃材料替代傳統塑料，可顯著提升性能。相比現有基板，玻璃基板的翹曲現象更少，且更易于實現精細電路。目前，包括三星電子、英特爾、博通、AMD 和亞馬遜 AWS 在內的多家企業均在積極研發該技術。三星電
關鍵字：
三星 半導體 玻璃基板
2 月 2 日消息，據韓媒 ZDNet Korea 報道，高帶寬內存（HBM）的量產節奏正在被重新改寫。傳統半導體產品一般都是先用樣品完成客戶的質量認證測試，通過之后才進入正式量產，但在 HBM 供應鏈上，為了緊跟核心客戶需求，廠商開始在認證結束前就提前投產。當地時間 2 月 1 日的業內消息稱，三星電子與 SK 海力士為了滿足英偉達的 HBM 需求，在測試尚未完全結束的情況下，已經提前啟動 HBM4 量產。SK 海力士在業績說明中明確表示：“HBM4 自去年 9 月建立量產體系以來，正在按照客戶要求的數
關鍵字：
英偉達 三星 SK海力士 量產 HBM4
內存供應緊張局面仍在持續。據《日經亞洲》援引消息人士稱，三大存儲芯片制造商——美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）和三星電子（Samsung Electronics）已加強對客戶訂單的審查，以防止蓄意囤積庫存。報道稱，這三家公司已收緊要求，要求客戶提供終端客戶信息及訂單數量，以確保需求真實，避免過度預訂或大規模囤貨進一步擾亂市場。在當前持續短缺的背景下，報告指出，入門級和中端消費電子產品——如電視機、機頂盒、家用路由器、低價平板電腦、智能手機和PC——預計將受到最嚴重沖擊，而汽車行業也可能
關鍵字：
三星 海力士 存儲
三星電子與SK海力士可能大幅上調供應給蘋果iPhone的LPDDR內存價格。據ZDNet援引業內人士消息，兩家公司已在2026年第一季度與蘋果就LPDDR供貨價格展開談判，并提出顯著漲價要求：三星電子尋求環比（QoQ）漲幅超過80%，而SK海力士則據稱要求漲價約100%。報道稱，蘋果作為全球領先的智能手機廠商，歷來憑借其龐大的采購規模以相對較低的價格獲得LPDDR內存。然而，自去年年中以來，內存供應持續趨緊，蘋果似乎已難以抵擋整體市場價格上漲的趨勢。因此，三星電子和SK海力士有望在2026年第一季度進一步
關鍵字：
三星 iPhone DDR
三星用于人工智能加速器的 HBM3 與 HBM3E 芯片此前均存在性能問題。為獲得英偉達的認證許可，三星去年不得不對其 HBM3E 芯片進行重新設計。即便如此，這些經過改版的 HBM3E 芯片也僅用于英偉達在中國市場銷售的部分特定人工智能加速器產品中。而如今三星的市場地位得到顯著鞏固，其研發的 HBM4 芯片據悉已接近通過英偉達的認證。三星 HBM4 芯片即將完成英偉達的認證流程，預計于 2026 年 2 月啟動量產。該款芯片已于 2025 年 9 月送交英偉達，目前已進入最終的質量驗證階段。一旦量產啟動
關鍵字：
?三星 人工智能 HBM 英偉達
三星今年第一季度對NAND閃存的供應合約價格已上調超過100%，目前客戶已收到通知。據行業知情人士透露，三星去年底已經完成了與主要客戶的供應合同談判，從一月起正式實施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產品采取了類似的定價策略；存儲芯片大廠SanDisk也計劃在一季度將面向企業級的NAND價格上調100%。目前，三星已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續。市場研究機構TrendForce的數據顯示，去年第四季度NAND閃存價格漲幅為上一季度的3
關鍵字：
存儲 NAND DRAM 三星 SK海力士
三星介紹
韓國三星電子成立于1969年，正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有logo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經成為對中國投資最大的韓資企業之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業的水平。2003年，三星品牌價值108.5億美元，世界排名25位，被商務周刊評選為世界上發展最快的高科技品牌。
[
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473